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[发明专利]非易失性存储器及其制造工艺-CN200910174056.8无效
发明人：白田理一郎 -专利权人： 力晶半导体股份有限公司
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种非易失性存储器及其制造工艺，该非易失性存储器包括基底、隔离结构、浮置栅极以及隧穿层。隔离结构配置在基底中且突出于基底，浮置栅极为位在突出于基底的隔离结构的侧壁上的导体间隙壁，以及隧穿层位在每一浮置栅极与基底之间。另，也叙述一种非易失性存储器的制造工艺，包括在基底中形成突出于基底的隔离结构、在基底上形成隧穿层以及接着形成浮置栅极，其中浮置栅极为形成在突出于基底的隔离结构的侧壁上的导体间隙壁。
非易失性存储器及其制造工艺

[发明专利]相变化内存组件及其制造方法-CN200910130683.1有效
发明人：庄仁吉;黄明政;李乾铭;林家佑;王敏智 -专利权人： 力晶半导体股份有限公司
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变化内存组件及其制造方法。根据该相变化内存组件的制作方法，提供基底，其上形成有下电极，形成加热电极和介电层于下电极上，其中加热电极被介电层环绕，蚀刻加热电极，以于介电层中形成凹槽。沉积相变化材料于介电层上并填入凹槽中，研磨相变化材料，移除高于介电层表面的部分相变化层，形成局限于介电层的凹槽中的相变化层，形成上电极于相变化层和介电层上。根据本发明，组件的微缩可不受到黄光光刻极限的影响，因此可进一步微缩组件单元尺寸和提供较大的工艺窗。
相变内存组件及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其读取方法-CN200910259012.5无效
发明人：太田毅 -专利权人： 力晶半导体股份有限公司
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种非易失性半导体存储装置，即使发生FG-FG耦合效应亦能够防止误读取动作出现。非易失性半导体存储装置具有一存储器单元阵列，利用设定不同启始电压来记录至少LSB和MSB两位；以及一控制电路，用以控制对于上述存储器单元阵列进行数据读取的动作。当第一字符线连接的存储器单元进行数据读取时，判断相邻的第二字符线连接的存储器单元是否进行MSB的写入动作。当判断出进行MSB的写入动作时，则将上述第一字符线连接的存储器单元中进行数据读取的位线的预充电电压，降低一既定电压，用以抵消各栅极间的耦合效应所导致的启始电压上升电压部分。
非易失性半导体存储装置及其读取方法

[发明专利]风扇模块-CN200910006155.5有效
发明人：蔡士材;梁源正;林琦锠 -专利权人： 力晶半导体股份有限公司
申请日： 2009-02-03 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： F04D25/08 文献下载
摘要：一种风扇模块，其包括底座、电源盒以及风扇本体。底座包括底板与多个卡合部，卡合部位于底板上。电源盒配置在底板上，包括电源电极。风扇本体包括扇框、扇叶组、多个凸缘以及风扇电极。扇框具有容置空间，扇叶组位于容置空间中。凸缘位于扇框的外周缘，借由使凸缘分别卡合于卡合部或从卡合部分离，而使风扇本体与底座结合或分离。风扇电极与扇叶组连接，当风扇本体与底座结合时，风扇电极与电源电极接触。
风扇模块

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其写入方法-CN200910253173.3无效
发明人：白田理一郎 -专利权人： 力晶半导体股份有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供能防止栅极引发漏极漏电流(GIDL)误写的非易失性半导体存储装置及其写入方法，非易失性半导体存储装置包括：非易失性的存储单元阵列10，通过对串接于所选位线两端的选择晶体管Qs1与Qs2间的每一存储单元晶体管设定多个相异启始电压，用以记录多个数值；及控制电路11，对来自于该存储单元阵列10的数据进行写入控制。控制电路11针对分别邻接于位线两端的选择晶体管Qs1与Qs2的至少多个第一存储单元晶体管Q0、Q1、Q32与Q33记录两个数值，并针对该等第一存储单元晶体管以外的多个第二晶体管Q2～Q31记录三个以上的多个数值。
非易失性半导体存储装置及其写入方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN200910262438.6有效
发明人：古山孝昭 -专利权人： 力晶半导体股份有限公司
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明的非易失性半导体存储装置用以控制芯片尺寸的增加并防止相邻总位线GBL间电容容量所导致的误读，包括：非易失性的存储单元阵列，通过对串接于所选位线两端的选择栅极晶体管间的每一存储单元晶体管设定启始电压，用以记录数据；及控制电路11，经由与多条位线共同连接的总位线，用以从上述存储单元晶体管控制读取位线及数据，其中，于上述总位线中的一位置，利用接地晶体管23来连接总位线及既定电源线。上述接地晶体管23邻接于进行数据读取的总位线，且连接于未进行数据读取的总位线，是由上述控制电路11开启。
非易失性半导体存储装置

[发明专利]相变化存储装置及其制造方法-CN200810190672.8有效
发明人：李乾铭;黄明政;庄仁吉;林家佑;王敏智 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变化存储装置及其制造方法。相变化内存装置，包括：基底，其上设置有第一介电层；第一电极，设置于该第一介电层内；第二介电层，位于该第一介电层上；加热电极，设置于该第二介电层内；相变化材料层，位于该第二介电层上；以及第二电极，位于该相变化材料层之上，其中该加热电极具有接触该第一电极的第一部以及接触该相变化材料层的第二部，该第二部包括金属硅化物而该第一部不包括金属硅化物。
相变存储装置及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其写入方法-CN200910208291.2无效
发明人：马西亚斯·贝尔 -专利权人： 力晶半导体股份有限公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明的目的是减低验证操作的数目，缩短写入需要的时间。解决方法是在对于对应多个状态的相互不同的多个启始电压设定至各存储单元并藉此记录多值状态的非易失性半导体存储阵列，控制其写入的非易失性半导体存储装置中，一边由既定的写入开始电压开始依序将写入电压增加既定的电压增加量，一边验证并将上述存储单元写入时，根据先前进行的写入中验证操作通过时的写入脉冲数，决定及设定上述写入开始电压进行写入。
非易失性半导体存储装置及其写入方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置用的分页缓冲电路及其控制方法-CN200910209395.5有效
发明人：村上洋树 -专利权人： 力晶半导体股份有限公司
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明涉及非易失性半导体存储装置用的分页缓冲电路及其控制方法。分页缓冲电路14连接非易失性存储器阵列10，在既定分页单位的数据写入及读出存储单元阵列10时，将数据暂时地储存，该分页缓冲电路14中对于多条位线，设有包含1个位线选择器14s、含2个锁存器L1、L2的分页缓冲单元电路14u、及锁存器L3的至少1个锁存电路14v-1。位线选择器14s选择上述多条位线中的1条，连接至上述分页缓冲单元电路14u，锁存器L1暂时地储存从被选择的位线的存储单元读出的数据，并通过锁存器L2或L3输出，另一方面，上述锁存器L1将通过锁存器L2或L3输入的写入数据暂时储存后，输出至被选择的位线的存储单元进行写入。
非易失性半导体存储装置分页缓冲电路及其控制方法

[发明专利]相变化存储元件及其形成方法-CN200910134896.1有效
发明人：陈达;蔡铭进 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变化存储元件及其形成方法。该相变化存储元件包括：第一电极及第二电极；相变化材料层电性连结该第一电极及该第二电极；以及至少二电性孤立导体，形成于该第一电极及该第二电极间并与该第一电极及该第二电极分隔，且直接与该相变化材料层接触。
相变存储元件及其形成方法

[发明专利]元件的制造方法-CN200810165772.5有效
发明人：何青原;藤田博丈;江柏叡 -专利权人： 力晶半导体股份有限公司
申请日： 2008-09-23 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种元件的制造方法。提供具有至少二隔离结构的基底。在隔离结构之间的基底上依序形成第一氧化物层及第一导体层。进行第一氮化工艺，以在第一导体层及隔离结构的表面上分别形成第一氮化物层及第一氮氧化物层。形成第二氧化物层在第一氮化物层及第一氮氧化物层上。进行一密实工艺，以氧化隔离结构的表面上的第一氮氧化物层。形成第二氮化物层在第二氧化物层上。形成第三氧化物层在第二氮化物上。进行第二氮化工艺，以在第三氧化物层的表面上形成第三氮化物层。形成第二导体层在第三氮化物层上。
元件制造方法

[发明专利]偏轴光源、遮光板及以单次曝光定义不同形态图案的方法-CN200810165773.X有效
发明人：张宜翔 -专利权人： 力晶半导体股份有限公司
申请日： 2008-09-23 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供偏轴光源、遮光板及以单次曝光定义不同形态图案的方法。一种偏轴光源，其照光面上有一X偶极照光图案、一Y偶极照光图案以及一四极照光图案，其中该四极照光图案的照光面积小于该X或Y偶极照光图案。本发明并提出一种可用以构成上述偏轴光源的具有对应开口的遮光板，以及利用上述偏轴光源的一种以单次曝光定义不同形态图案的方法。
光源遮光板曝光定义不同形态图案方法

[发明专利]存储器元件及其制造方法、半导体元件-CN200810165774.4无效
发明人：李政鸿;赵志明;黄汉屏;洪哲怀 -专利权人： 力晶半导体股份有限公司
申请日： 2008-09-23 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器元件及其制造方法、一种半导体元件。该半导体元件设置于基底上，此半导体元件具有二隔离结构、第一导体层、电荷陷入层、第二导体层与栅介电层。二隔离结构设置于基底中以定义有源区。第二导体层设置于基底上跨过二隔离结构。第一导体层设置于二隔离结构之间，且位于第二导体层与基底之间，第一导体层电连接第二导体层。电荷陷入层设置于基底上，且至少覆盖二隔离结构与第一导体层之间的界面。栅介电层设置于该第一导体层与该基底之间。利用电荷陷入层覆盖浅沟渠隔离结构与浮置栅极之间的界面，以抑制颈结效应。
存储器元件及其制造方法半导体

[发明专利]承载装置及沉积机台的监测方法-CN200810212980.6无效
发明人：赖宏岱 -专利权人： 力晶半导体股份有限公司
申请日： 2008-09-17 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种承载装置及沉积机台的监测方法。该承载装置适于配置在沉积机台中以承载一晶片。此承载装置包括承载座、沉积环以及侦测单元。承载座用以放置晶片于其上。沉积环配置于承载座的外围表面上。侦测单元包括至少一个第一电极、至少一个第二电极、信号输出部与信号接收部。第一电极与第二电极分别配置于承载座的表面，且第一电极与第二电极互不接触。信号输出部连接第一电极，以输出一信号。信号接收部连接第二电极，其中通过信号接收部是否接收到此信号，以判断第一电极与第二电极是否电性连接在一起。
承载装置沉积机台监测方法

[发明专利]自动化物料搬运系统和自动化物料搬运方法-CN200810212981.0无效
发明人：郭嘉呈;郑远钟 -专利权人： 力晶半导体股份有限公司
申请日： 2008-09-17 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种结合自动化输送带搬运装置与物料控制系统的自动化物料搬运系统。利用物料控制系统分别将第一与第二虚拟仓储代码赋予自动化输送带搬运装置的第一与第二虚拟缓冲仓储。利用传输系统控制器将晶片盒搬运至并载入该第一虚拟缓冲仓储。将该晶片盒载入至该自动化输送带搬运装置的轨道上，并且将虚拟搬运车代码赋予该晶片盒。经由该自动化输送带搬运装置的轨道移动该晶片盒，并且将该晶片盒搬运至并载入该第二虚拟缓冲仓储。将该晶片盒的该虚拟搬运车代码移除，并且利用该传输系统控制器自该第二虚拟缓冲仓储取走该晶片盒。
自动化物料搬运系统方法

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