“太田毅”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置-CN201811565998.4有效
发明人：川野浩平;太田毅 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，其能够在保持安全性的同时更快地关断放电控制晶体管。在放电停止处理中，控制单元导通开关元件，并且执行第一放电停止模式，在第一放电停止模式中，经由负载撤消放电控制晶体管的栅极电压，并且在预定的放电停止模式切换定时处，控制单元切换至第二放电停止模式，在第二放电停止模式中，直接将放电控制晶体管的栅极电压撤消到低电压电源。
半导体装置

[发明专利]半导体器件和电池组-CN202010115370.5有效
发明人： 太田毅;坚固山洋平 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及半导体器件和电池组。为了抑制在电池的长期存放之后的系统关闭的发生。一种半导体器件包括：控制电池单元的充电和放电的控制单元；以及存储指定可以被稳定地提供给设置有电池组的应用系统的电池单元的电源能力的电源能力值的ROM。在电池组从睡眠模式返回之后并且在从系统接收到电源能力值的传输请求之前，控制单元执行将ROM中的电源能力值更新为小于睡眠模式之前的电源能力值的值的电源能力值更新过程。
半导体器件电池组

[发明专利]慢性肾脏病的治疗或预防方法-CN202080076105.9在审
发明人：佐野龙平;山中雅夫;太田毅 -专利权人：日本烟草产业株式会社
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： A61K45/00 文献下载
摘要：目的之一在于，提供慢性肾脏病的治疗或预防。提供慢性肾脏病的治疗或预防用药物组合物，其含有抑制SGLT1的化合物或其制药上可接受的盐。
慢性肾脏病治疗预防方法

[发明专利]含有吡唑酰胺化合物的慢性肾脏病的治疗或预防剂-CN201980059377.5在审
发明人：齐藤友幸;太田毅;角谷真;米良泰子 -专利权人：日本烟草产业株式会社
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： A61K31/415 文献下载
摘要：本发明的目的是提供化合物A或其药学上可接受的盐、或化合物A的一水合物的新的药物用途。本发明涉及含有化合物A或其药学上可接受的盐、或化合物A的一水合物作为有效成分的慢性肾脏病的治疗剂或预防剂。
含有吡唑化合物慢性肾脏病治疗预防

[发明专利]窄带化激光装置-CN201580081429.0有效
发明人：古里博志;石田启介;太田毅;熊崎贵仁;若林理 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01S3/137 文献下载
摘要：窄带化激光装置通过进行包括第1突发振荡和接着第1突发振荡而进行的第2突发振荡的多次的突发振荡而输出脉冲激光，该窄带化激光装置包括：激光谐振器；腔，其配置在激光谐振器之间；配置于腔内的一对电极；电源，其对一对电极施加脉冲电压；波长选择元件，其配置于激光谐振器；谱带宽度可变部，其配置在激光谐振器；及控制部，其测量开始第2突发振荡之前的规定期间中的占空比和从结束第1突发振荡时起到开始第2突发振荡为止的停止时间，并根据占空比和停止时间而控制谱带宽度可变部。
窄带激光装置

[发明专利]窄带化激光装置-CN201680077589.2有效
发明人：古里博志;太田毅;河野夏彦;若林理;熊崎贵仁 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01S3/137 文献下载
摘要：窄带化激光装置可以进行包括第1突发振荡和接在第1突发振荡后进行的第2突发振荡的多次突发振荡而输出脉冲激光，该窄带化激光装置具有：激光谐振器；腔，其配置在激光谐振器之间；一对电极，它们配置于腔；电源，其向一对电极施加脉冲电压；波长选择元件，其配置于激光谐振器；谱带宽度可变部，其配置于激光谐振器；波长可变部，其变更波长选择元件的选择波长；以及控制部，其根据从第1突发振荡结束时到第2突发振荡开始时之间的谱带宽度可变部的控制量，控制波长可变部。
窄带激光装置

[发明专利]激光装置管理系统-CN201580082992.X有效
发明人：峰岸裕司;五十岚豊;太田毅 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：本公开提供一种激光装置管理系统，其可以具备：服务器，以存储第一信息、第二信息和第三信息的方式构成，第一信息以通过第一访问权限可以进行访问的方式受到访问限制，第二信息以通过第二访问权限可以进行访问的方式受到访问限制，第三信息以通过第一访问权限和第二访问权限的双方可以进行访问的方式受到访问限制；以及激光装置，包括激光输出部和控制部，激光输出部向进行晶片曝光的曝光装置输出脉冲激光束，控制部进行将第一信息、第二信息和第三信息保存在服务器中的控制。第二信息包括互相建立对应的曝光装置的晶片曝光关联信息与激光装置的激光控制关联信息。
激光装置管理系统

[发明专利]窄带化激光装置-CN201580053741.9有效
发明人：守屋正人;太田毅;石田启介;草间高史 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01S3/13 文献下载
摘要：窄带化激光装置可以具有：激光谐振器，其包含使光谱宽度窄带化的光学元件；一对放电电极，它们隔着激光谐振器的脉冲激光的光路配置；电源，其对一对放电电极施加脉冲状的电压；第1波长计测器，其对从激光谐振器输出的脉冲激光的波长进行计测，输出第1计测结果；第2波长计测器，其对从激光谐振器输出的脉冲激光的波长进行计测，输出第2计测结果；以及控制部，其根据第2计测结果对第1计测结果进行校正。控制部根据以第1方式控制电源时的第2计测结果与以第2方式控制电源时的第2计测结果之差，对第1计测结果进行校正，其中，该第1方式是电源以第1重复频率对一对放电电极施加脉冲状的电压，该第2方式是电源以比第1重复频率高的第2重复频率对一对放电电极施加脉冲状的电压。
窄带激光装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310410073.3有效
发明人：外村文男;石井秀雄;太田毅 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。第一MOSFET形成在芯片的第一区域中，且第二MOSFET形成在其第二区域中。第一源极端子和第一栅极端子形成在第一区域中。在第二区域中，第二源极端子和第二栅极端子被布置为在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向上对齐。温度检测二极管被布置在第一源极端子和第二源极端子之间。温度检测二极管的第一端子和第二端子在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向的第一方向上或基本上与其垂直的第二方向上对齐。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]拍摄立体移动图像和平面移动图像的图像拍摄元件以及装配有其的图像拍摄装置-CN201280028247.3有效
发明人：河村典子;河合智行;大岛宗之;太田毅;远藤宏;井上知己 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：多个像素2被以正方格子形式布置，RGB的滤色器以拜耳排列布置，并且获取用于右眼的拍摄图像信号的第一相差检测像素3和获取用于左眼的拍摄图像信号的第二相差检测像素4的对设置在所述正方格子形式中的离散的且周期性的位置上，所述第一相差检测像素3在水平方向和垂直方向两者上被以2n+1个像素（n=1,2,…）的间隔设置在所述正方格子形式的各个像素之中，而所述对的所述第二相差检测像素4被设置在具有同色滤色器并且相对于所述第一相差检测像素间隔开两个像素的像素上。
拍摄立体移动图像平面元件以及装配装置

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其读取方法-CN200910259012.5无效
发明人： 太田毅 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种非易失性半导体存储装置，即使发生FG-FG耦合效应亦能够防止误读取动作出现。非易失性半导体存储装置具有一存储器单元阵列，利用设定不同启始电压来记录至少LSB和MSB两位；以及一控制电路，用以控制对于上述存储器单元阵列进行数据读取的动作。当第一字符线连接的存储器单元进行数据读取时，判断相邻的第二字符线连接的存储器单元是否进行MSB的写入动作。当判断出进行MSB的写入动作时，则将上述第一字符线连接的存储器单元中进行数据读取的位线的预充电电压，降低一既定电压，用以抵消各栅极间的耦合效应所导致的启始电压上升电压部分。
非易失性半导体存储装置及其读取方法

[发明专利]杂芳族五环化合物及其医药应用-CN200480009487.4无效
发明人：池本知之;田中正浩;油纳健夫;坂本丞平;中西博行;中川祐一;太田毅;坂田昌平;森长寿代 -专利权人：日本烟草产业株式会社
申请日： 2004-04-09 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： C07D263/32 文献下载
摘要：本发明公开了由式[I]表示的5元杂芳环化合物、其前药及其药用盐，其中V是CH或N；W是S或O；R¹和R²各自是H等；X是－N(R⁴)－，－O－，－S－，－SO₂－N(R⁵)－，－CO－N(R⁷)－等；L是(见式I、见式II)，其中R²⁰，R²¹，R²²和R²⁵各自是H等；E是芳基或杂芳环基团；R是－COOH等；B是芳基等；R³是H等；Y是－C(R¹³)(R¹⁴)－N(R¹²)－，－C(R¹³)(R¹⁴)－O－,－N(R¹¹)－，－O－等；A是亚烷基；和Z是芳基等。化合物[I]具有优越的蛋白质酪氨酸磷酸酶1B抑制活性和用作糖尿病、糖尿病并发症、高脂血症、肥胖症等的治疗剂。
杂芳族五环化及其医药应用

[发明专利]高电压用可变电阻器-CN96121551.8无效
发明人：大门和史;太田毅;开宪一 -专利权人：北陆电气工业株式会社
申请日： 1996-12-13 - 公布日： 1998-06-17 - 主分类号： H01C10/30 文献下载
摘要：一种能使电路基板的尺寸减小的高电压用可变电阻器。采用端子零件8作为将滑动件7和输出部8f电气连接的连接装置,而该滑动件7固定在工作轴4上并在电路基板1的表面上形成的可变电阻图形上滑动。设在端子零件8的接点支承部8b的前端的触点部8a与滑动件7的板状部7c的接触点位于与电路基板1的表面留有间隔的工作轴4侧。端子零件8的定位部8c位于可变电阻图形的半径方向的外侧,接点支承部8b横跨在可变电阻图形VR上。
电压可变电阻器

1
共 13 条