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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[其他]承载盘堆叠组件-CN202290000051.2有效
发明人：李佳纯;周鸿霖;陈昭旭;刘芳君;徐泓谊;林家佑;高珮龄;詹志铭 -专利权人：瑞仪（广州）光电子器件有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B65D19/38 文献下载
摘要：一种承载盘堆叠组件(500)，包含两个承载盘(600)与缓冲单元(700)，承载盘(600)互相叠合，且在承载盘(600)之间形成容置空间(E1)，容置空间(E1)配置以容纳承载件(B1)，每一承载盘(600)包含设在承载盘(600)的表面上且朝容置空间(E1)延伸的至少一个压制部(610)，缓冲单元(700)设置在容置空间(E1)中，且配置于承载件(B1)与位于上方的承载盘(600)之间，压制部(610)配置以对缓冲单元(700)进行干涉压制，以缩减缓冲单元(700)的厚度。
承载堆叠组件

[发明专利]读取辅助系统、移动体、读取辅助方法、程序以及存储介质-CN201980060222.3有效
发明人： 林家佑 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G08C19/36 文献下载
摘要：实施方式的读取辅助系统具备处理装置。所述处理装置包括数字区域提取部和种类决定部。所述数字区域提取部从拍摄有计量仪器的区域的候选即候选区域中提取所述计量仪器的分别包含多个数字在内的多个数字区域。所述种类决定部基于所述多个数字区域的位置来决定所述计量仪器的种类。
读取辅助系统移动方法程序以及存储介质

[发明专利]机械手、保持装置及装卸系统-CN202211099441.2在审
发明人：芝田元二郎;池谷之宏;泷利和;林家佑;豊岛毅;藤原弘章;三之谷祐辅 -专利权人：株式会社东芝;东芝基础设施系统株式会社
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： B65G47/91 文献下载
摘要：本发明提供能够稳定地保持更多样的物品的机械手、保持装置及装卸系统。根据实施方式，机械手具备第一保持单元及第二保持单元。所述第一保持单元在与第一方向交叉的第二方向上设置有多个，多个所述第一保持单元能够在所述第一方向上彼此独立地移动。所述多个第一保持单元分别包括能够保持物品的多个第一保持部。所述第二保持单元能够在与平行于所述第一方向及所述第二方向的面交叉的第三方向上移动。所述第二保持单元包括能够保持所述物品的多个第二保持部。
机械手保持装置装卸系统

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN201811588101.X有效
发明人：李志鹏;林家佑;魏易玄 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器结构及其制造方法，存储器结构包括第一晶体管、第二晶体管、介电层与电容器。第二晶体管位于第一晶体管的一侧。介电层覆盖第一晶体管与第二晶体管。在介电层中具有相连通的第一开口与第二开口。第二开口位于第一开口的侧边。电容器耦接在第一晶体管与第二晶体管之间。电容器包括第一电极、第二电极与绝缘层。第一电极设置在第一开口的表面上。第二电极设置在第一开口中的第一电极上，且具有延伸至第二开口中的延伸部。延伸部覆盖第二开口所暴露出的第一电极的侧面。绝缘层设置在第一电极与第二电极之间。
存储器结构及其制造方法

[发明专利]处理方法、计算装置以及存储介质-CN202210683331.4在审
发明人：日下翼;林家佑 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：实施方式的处理方法、计算装置以及存储介质，将拍摄到仪表的图像的至少一部分以所述仪表的中心为基准进行极坐标变换，所述仪表具有以旋转轴为中心旋转的指针、显示盘、以及在所述显示盘上在所述旋转轴的周围沿周向配置的多个刻度，在与所述周向对应的第一方向的各点，计算与从所述中心朝向所述刻度的径向对应的第二方向的至少一部分的亮度的合计值和所述第二方向的至少一部分的亮度的偏差。
处理方法计算装置以及存储介质

[发明专利]读取系统、读取方法、程序以及存储介质-CN201980028538.4有效
发明人：日下翼;林家佑 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G08C19/36 文献下载
摘要：实施方式的读取系统具备计算部和判定部。所述计算部对拍摄到仪表的图像的至少一部分，以所述仪表的中心为基准进行极坐标变换，所述仪表具有以旋转轴为中心旋转的指针、显示盘、以及在所述显示盘上在所述旋转轴的周围沿周向配置的多个刻度。所述计算部在与所述周向对应的第一方向的各点，计算与从所述中心朝向所述刻度的径向对应的第二方向的至少一部分的亮度的合计值和所述第二方向的至少一部分的亮度的偏差。所述判定部使用所述合计值及所述偏差，判定所述指针所存在的位置。
读取系统方法程序以及存储介质

[发明专利]静态随机存取存储器元件及其制造方法-CN202010428839.0在审
发明人：张守仁;魏易玄;曾培修;林家佑 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开一种静态随机存取存储器元件及其制造方法，其中该静态随机存取存储器元件包括基底、第一晶体管、第二晶体管、金属内连线结构与电容器。金属内连线结构形成于第一与第二晶体管上，电容器设置于金属内连线结构内并耦接在第一晶体管与第二晶体管之间。电容器由下往上包括下金属层、第一电极层、介电层、第二电极层与上金属层。所述下金属层耦接所述第一晶体管的源极节点与所述第二晶体管的源极节点。下金属层与金属内连线结构中第n层的金属层是以同一层材料形成，其中n≥1；上金属层与金属内连线结构中第m层的金属层是以同一层材料形成，其中m≥n+1。
静态随机存取存储器元件及其制造方法

[发明专利]静态随机存取存储器元件及其制造方法-CN202010385789.2在审
发明人：张守仁;魏易玄;林家佑;曾培修;李志鹏;林琪伟 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开一种静态随机存取存储器元件及其制造方法，其中该静态随机存取存储器元件包括基底、至少一2晶体管‑静态随机存取存储器(2T‑SRAM)、内层介电层、多个接触窗、层间介电层、多个介层窗与一导电线路。2T‑SRAM设置在基底上，内层介电层覆盖2T‑SRAM，接触窗则设置在内层介电层中并耦接所述2T‑SRAM。层间介电层覆盖内层介电层与接触窗，介层窗则设置在层间介电层中并经由各个接触窗耦接所述2T‑SRAM。所述导电线路是设置在层间介电层上并连接多个介层窗，其中所述导电线路的厚度小于或等于十分之一的介层窗的厚度，因此与传统位线相比，能大幅降低耦合效应。
静态随机存取存储器元件及其制造方法

[发明专利]用于双晶体管静态随机存取存储器的位线结构-CN201910976746.9在审
发明人：曾培修;魏易玄;林家佑;张守仁;林琪伟;林宏勋 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开一种用于双晶体管静态随机存取存储器的位线结构，包含多条位线沿着第一方向延伸越过下方多个双晶体管静态随机存取存储器，其中每条该位线由多个沿着该第一方向延伸的第一部位与第二部位交互电连接而成，该些第一部位与该些第二部位分别位于一第一介电层与一第二介电层，且每条该位线的该些第一部位对应相邻位线的该些第二部位。
用于双晶静态随机存取存储器结构

[发明专利]读取系统、移动体、读取方法以及存储介质-CN202010460531.4在审
发明人： 林家佑 -专利权人：株式会社东芝;东芝数字解决方案株式会社
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G06T7/13 文献下载
摘要：根据一个实施方式，读取系统具备第一提取部和读取部。所述第一提取部从映现有计量仪器的图像中提取被第一轮廓包围的第一区域、和被位于比所述第一轮廓靠外侧的位置的第二轮廓包围的第二区域。所述读取部基于所述第一区域计算第一读数，并基于所述第二区域计算第二读数，并且基于所述第一区域计算与所述第一读数有关的第一得分，并基于所述第二区域计算与所述第二读数有关的第二得分。
读取系统移动方法以及存储介质

[发明专利]读取系统、读取方法及存储介质-CN201980019593.7在审
发明人： 林家佑;日下翼 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：实施方式的读取系统具备提取部、生成部、校正部及读取部。所述提取部从输入图像中提取第一候选区域，该第一候选区域成为拍摄到仪器的区域的候选。在所述第一候选区域的外形为圆状的情况下，所述生成部在所述第一候选区域的周围生成与所述第一候选区域的外形对应的四边形。所述校正部使用所生成的所述四边形，以使所述第一候选区域的外形接近正圆的方式进行校正，由此生成第二候选区域。所述读取部从所述第二候选区域读取由仪器指示的数值。
读取系统方法存储介质

[发明专利]卷线装置及卷线方法-CN201410338881.8有效
发明人： 林家佑 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01F41/04 文献下载
摘要：本发明涉及将线卷绕到工件上的卷线装置及卷绕方法，能够高效地检测线相对于移动路径产生了偏移。卷线装置具备支撑部；压贴部，将线夹持在该压贴部与支撑部之间；移动部，使支撑部与压贴部的相对位置移动；控制部，控制移动部的动作；目标移动速度计算部，基于压贴部相对于支撑部移动的规定的移动路径的信息和移动部的动作信息，检测压贴部相对于支撑部的压贴部的目标相对移动速度；线输送速度检测部，压贴部的移动所伴随的线的输送速度；偏移量计算部，计算目标移动速度计算部的检测结果与线输送速度检测部的检测结果的差；以及判断部，基于偏移量计算部的计算结果，判断线是否相对于移动路径产生了偏移。
线装方法

[发明专利]卷线装置、卷线方法-CN201410450337.2有效
发明人： A·L·罗马什;冈本浩典;林家佑;清水洋介;小柳圭 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01F41/063 文献下载
摘要：本发明涉及能够在形状复杂的卷线框上卷绕线材的卷线装置及卷绕方法。根据实施方式，卷线装置具备卷线框；卷芯，固定有上述卷线框；按压部，将线材按压至上述卷线框；移动机构，分别沿着互相正交的第1～3轴相对于上述卷芯相对地移动上述按压部；第1旋转机构，绕着相对于上述卷芯而设定的互相正交的第4、5轴，相对于上述按压部相对地旋转上述卷芯；第2旋转机构，绕着第6轴相对于上述卷芯相对地旋转上述按压部，上述卷芯位于上述第4、5轴与上述第1～3轴中的任意2个轴平行的初始位置时的、上述第1～3轴中剩余的1个轴与上述第6轴平行；以及控制部，控制上述移动机构的动作和上述第1、2旋转机构的动作。
线装方法

[发明专利]相变化内存组件及其制造方法-CN200910130683.1有效
发明人：庄仁吉;黄明政;李乾铭;林家佑;王敏智 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变化内存组件及其制造方法。根据该相变化内存组件的制作方法，提供基底，其上形成有下电极，形成加热电极和介电层于下电极上，其中加热电极被介电层环绕，蚀刻加热电极，以于介电层中形成凹槽。沉积相变化材料于介电层上并填入凹槽中，研磨相变化材料，移除高于介电层表面的部分相变化层，形成局限于介电层的凹槽中的相变化层，形成上电极于相变化层和介电层上。根据本发明，组件的微缩可不受到黄光光刻极限的影响，因此可进一步微缩组件单元尺寸和提供较大的工艺窗。
相变内存组件及其制造方法

[发明专利]相变化存储装置及其制造方法-CN200810190672.8有效
发明人：李乾铭;黄明政;庄仁吉;林家佑;王敏智 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变化存储装置及其制造方法。相变化内存装置，包括：基底，其上设置有第一介电层；第一电极，设置于该第一介电层内；第二介电层，位于该第一介电层上；加热电极，设置于该第二介电层内；相变化材料层，位于该第二介电层上；以及第二电极，位于该相变化材料层之上，其中该加热电极具有接触该第一电极的第一部以及接触该相变化材料层的第二部，该第二部包括金属硅化物而该第一部不包括金属硅化物。
相变存储装置及其制造方法

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