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[发明专利]一种提高Q值的FBAR谐振器-CN202310720317.1在审
发明人：张晓东;孙晓红 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明提供的一种提高Q值的FBAR谐振器，所述谐振器包括：衬底、布拉格反射层、两个电极和压电薄膜；所述衬底的上表面铺设有所述布拉格反射层；所述布拉格反射层的上表面与一个电极连接；所述一个电极与另一个电极之间设置有压电薄膜层。将电极形状设计为与声波速度快慢变化一致的梯度，声波速度在不同方向的差异，电极中心距边缘的距离也呈现差异，并保证声波到达边缘的时间相同，从而形成有效反射，提高Q值。
一种提高 fbar 谐振器

[发明专利]一种接合基板、弹性波装置及模组-CN202310783360.2在审
发明人：枋明辉;刘志煌;刘艺霖;黄世维;杨胜裕 -专利权人：泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种接合基板、弹性波装置及模组。该接合基板，包括：支撑基板，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；所述支撑基板靠近第一表面的近表面层为吸波层；所述吸波层为多孔结构，所述多孔结构的孔径直径在1nm以下。采用本发明提供的接合基板，能够使得弹性波的纵向泄露能量在吸波层中传递消耗殆尽，让杂散讯号无法再反射回器件表面，从而有效的吸收弹性波器件的纵向泄露的能量，减少体波反射，解决弹性波器件杂散讯号。
一种接合弹性装置模组

[发明专利]一种接合基板、弹性波装置及模组-CN202310783364.0在审
发明人：枋明辉;刘志煌;刘艺霖;黄世维;杨胜裕 -专利权人：泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种接合基板、弹性波装置及模组。该接合基板包括：支撑基板，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；所述支撑基板靠近第一表面的近表面层中具有低声速层；所述低声速层为多孔结构，所述多孔结构的孔径直径在5nm以上且200nm以下。采用本发明提供的接合基板，能够将声表面波能量集中在压电薄膜层表面附近，限制声表面波的能量向衬底泄露，获得更高的品质因数Q，提升SAW特性，降低损耗。
一种接合弹性装置模组

[发明专利]阻抗变换网络电路、电路板及高速信号采集设备-CN202310847994.X在审
发明人：周立功;杜少平;谢毓;张晓宇 -专利权人：广州致远仪器有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种阻抗变换网络电路、电路板及高速信号采集设备，涉及电子电路技术领域，解决了相关技术中阻抗变换网络电路的电压增益小且工作频率高而导致电路应用场景小的问题，本方案能够降低电路的工作频率，扩大电路的工作频率范围，同时提供较好的低频特性和高频特性，使得电路增益提升，进而有效地减少噪声的干扰。
阻抗变换网络电路电路板高速信号采集设备

[发明专利]多工器及射频模块-CN202310975459.2在审
发明人：王阳;吴洋洋;曹庭松;陆彬 -专利权人：北京超材信息科技有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/70 文献下载
摘要：本公开提供了一种多工器及射频模块，涉及无线电技术领域。该多工器包括：具有至少一个发送滤波器，其中一个或多个发送滤波器具有：串联臂、多个并联臂，每一并联臂包括至少一个并联臂谐振器，每一并联臂谐振器包括第一谐振器和第二谐振器，第一谐振器包括第一反射器，第二谐振器包括第二反射器；其中，第一根数是第一反射器的叉指换能器IDT电极指的根数，第二根数是第二反射器的IDT电极指的根数，第二根数与第一根数的比值为预定可调节范围，以使发送滤波器的隔离度在‑50～‑80dB内可调节。该多工器可以根据应用场景的需求调节该根数比值，从而实现对送滤波器的隔离度的调节，以适应不同应用场景的需求。
多工器射频模块

[发明专利]压电振动器件制造装置及压电振动器件的制造方法-CN202280019601.X在审
发明人：大室裕史;佐藤隆;大谷浩 -专利权人：株式会社大真空
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供能够将多个压电元件在规定的位置以规定的朝向分别配置到多个保持部件的压电振动器件制造装置及压电振动器件的制造方法。具有使多个吸附头(20)同时往返移动的吸附头移动装置(12)。多个吸附头(20)通过吸附嘴(28)分别吸附压电元件(P)。吸附头用水平移动机构(21)、吸附头用竖直移动机构(24)、吸附头用旋转移动机构(26)中的至少一个基于与多个吸附嘴(28)分别吸附的多个压电元件(P)的位置相关的信息、以及与供给至保持部件供给位置(Sh)的多个保持部件(H)的位置相关的信息，分别独立地单独调整吸附嘴(28)的位置，以能够将多个吸附嘴(28)分别吸附的压电元件(P)分别配置在对应的保持部件(H)。
压电振动器件制造装置方法

[发明专利]具有相间耦合的多相滤波器-CN202280019650.3在审
发明人： T·D·加思曼;梁赖简;C·D·帕特尔;俞欣旻;R·兰加拉詹 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H11/04 文献下载
摘要：一种示例装置包括多相跨导‑电容器滤波器。多相滤波器包括DC偏置电压节点、正同相滤波器单元、负同相滤波器单元，正正交相位滤波器单元和负正交相位滤波器单元。每个滤波器单元分别包括输入节点、输出节点和控制节点。多相滤波器还包括正同相开关和负同相开关。正同相开关耦合到正同相滤波器单元的控制节点、DC偏置电压节点，以及正正交相位滤波器单元和负正交相位滤波器单元中的一者或两者的输入节点。负同相开关耦合到负同相滤波器单元的控制节点、DC偏置电压节点，以及正正交相位滤波器单元和负正交相位滤波器单元中的一者或两者的输入节点。
具有相间耦合多相滤波器

[发明专利]一种压电谐振器及其制备方法-CN202310677828.X在审
发明人：雷永庆;舒赟翌;朱雁青 -专利权人：麦斯塔微电子（深圳）有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请提供一种压电谐振器及其制备方法，其中，该压电谐振器包括沿延伸面分布的谐振区域和梁区域，该压电谐振器包括：基底，基底包括对应谐振区域和梁区域的腔体、以及对应谐振区域的通孔，通孔连通腔体和外部空间；压电组件，压电组件设置于对应梁区域的基底上。通过上述方式，简化了压电谐振器的结构，从而降低了压电谐振器的制作成本。
一种压电谐振器及其制备方法

[发明专利]一种空腔型体声波滤波器及其制作方法-CN202210395776.2在审
发明人：郭炜;叶继春;彭贤春;张佳欣 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种空腔型体声波滤波器及其制作方法，制作方法包括：S1，在衬底的第一面依次通过外延生长得到非掺杂的GaN层和硅掺杂的n‑GaN牺牲层；S2，去掉在预定的谐振区以外的部分，在非掺杂的GaN层和n‑GaN牺牲层获得缓坡结构；S3，沉积底电极，并进行图形刻蚀获得预设的图形，并为n‑GaN牺牲层预留氧化窗口；S4，在底电极依次沉积压电薄膜层、顶电极后，经过图形刻蚀获得需要的图形结构；S5，置入阳极氧化溶液中，将硅掺杂的n‑GaN牺牲层作为阳极，铂电极作为阴极进行阳极氧化，在非掺杂的GaN层与底电极之间形成多孔结构的空气隙；S5，在压电薄膜层、顶电极的表面沉积钝化层。解决了下电极刚性不足，在制备空腔结构中腐蚀液对电极及压电薄膜损伤等问题。
一种空腔声波滤波器及其制作方法

[发明专利]体声波谐振器及其制备方法、滤波器-CN202310710126.7在审
发明人：丁志鹏;刘炎;詹道栋;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请提供一种体声波谐振器及其制备方法、滤波器。该体声波谐振器包括：衬底，所述衬底包括依次层叠设置的第一半导体层、绝缘层及第二半导体层；所述第二半导体层的表面刻蚀形成凹槽，所述凹槽贯穿所述第二半导体层；所述凹槽内形成有保护件，所述凹槽的竖向截面具有平滑轮廓以消除在所述保护件形成过程中出现的空洞缺陷。该体声波谐振器可以形成高质量的种子层、底电极、压电层以及顶电极，有效提高了体声波谐振器的器件性能。
声波谐振器及其制备方法滤波器

[发明专利]单晶压电薄膜体声波谐振器、滤波器以及电子设备-CN202310810799.X在审
发明人：杨清瑞;宋学毅;庞慰 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件领域且提供一种单晶压电薄膜体声波谐振器、滤波器以及电子设备，该谐振器包括在第一方向上依次层叠的衬底、声反射层和单晶压电薄膜，该谐振器还包括：位于所述单晶压电薄膜的靠所述声反射层一侧的下叉指电极，所述下叉指电极包括第一叉指电极和第二叉指电极，所述第一叉指电极包括沿第二方向排列的第一指，所述第二叉指电极包括沿所述第二方向排列的第二指，所述第一指与所述第二指在所述第二方向上交替排列；以及位于所述单晶压电薄膜的靠所述声反射层一侧的第一匹配层，所述第一匹配层至少位于相邻的第一指和第二指之间。由此，通过在第一指与第二指之间设置匹配层，从而能够在确保谐振器的电极化率的同时，抑制寄生模式。
压电薄膜声波谐振器滤波器以及电子设备

[发明专利]无反射式滤波器和滤波器组件-CN202310712929.6在审
发明人：杨亮;李宏军;梁毅 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本申请适用于滤波器技术领域，提供了一种无反射式滤波器和滤波器组件。该无反射式滤波器包括级联的吸收单元和反射式滤波单元；所述吸收单元被配置为将第一信号中的预设频段部分信号进行吸收得到第二信号，以及所述第二信号传输到所述反射式滤波单元；所述反射式滤波单元被配置为对所述第二信号进行滤波。本申请提供了一种新型结构的吸收式滤波器，能够大大降低反射信号对系统性能造成的影响。
反射滤波器组件

[发明专利]一种双重横模抑制的声表面波谐振器结构-CN202311218719.8在审
发明人：李晓辉;纪宣 -专利权人：苏州声芯电子科技有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种双重横模抑制的声表面波谐振器结构，属于声表面波滤波器技术领域，其包括压电基板和叉指换能器，叉指换能器包括第一汇流条、第二汇流条、第一叉指电极和第二叉指电极；叉指换能器的表面覆盖有钝化层，钝化层上设置有第一横模抑制结构和第二横模抑制结构，第一横模抑制结构与第二横模抑制结构相邻的一侧为第一临近侧面，第二横模抑制结构与第一横模抑制结构的相邻的一侧为第二临近侧面，第一临近侧面和/或第二临近侧面具有导出斜面结构。该声表面波谐振器结构不但能够抑制横向杂波，而且还能将横向杂波的能量向纵向两侧导出，从而实现双重横模抑制的效果。
一种双重抑制表面波谐振器结构

[发明专利]一种可动态调整计算速度的FIR滤波器-CN202311220928.6在审
发明人：钟晨峰;吴树伟;庄志青;胡红明;张希鹏;周玉镇 -专利权人：灿芯半导体（苏州）有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H17/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种可动态调整计算速度的FIR滤波器，涉及FIR滤波器领域，其技术方案要点包括：控制器，用于产生读写控制信号和运算控制信号；数据存储模块，用于存储输入的数据样本和运算中间结果的数据。一种可动态调整计算速度的FIR滤波器，本发明通过设置FIR运算模块，主要是利用复用芯片内部的乘法器以及累加器资源，并在面积不变的前提下，通过设置副累加器运算单元和副乘法器运算单元，并利用数据存储模块动态调整副乘法器运算单元以及副累加器运算单元的数量，能够有效的缩短节拍数量，从而实现缩短计算时间，加快数据的处理速度的目的。
一种动态调整计算速度 fir 滤波器

[发明专利]一种可动态调整计算速度的IIR滤波器-CN202311220930.3在审
发明人：钟晨峰;吴树伟;庄志青;胡红明;张希鹏;周玉镇 -专利权人：灿芯半导体（苏州）有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H17/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种可动态调整计算速度的IIR滤波器，涉及IIR滤波器技术领域，包括控制器、存储器、总线模块和IIR滤波加速模块，IIR滤波加速模块包括乘法器运算单元、累加器运算单元、副乘法器运算单元和副累加器运算单元，所述副乘法器运算单元和所述副累加器运算单元用于在计算前数据y[n]的同时，提前对未来M个y值进行运算。效果是，本发明通过在IIR滤波加速模块中增加副乘法器运算单元和副累加器运算单元，能够复用芯片内部的乘法以及累加器资源，在面积不变的前提下，通过寄存器动态调整乘法器和累加器的数量，加快IIR（无限长单位冲激响应）滤波器数据的处理速度。
一种动态调整计算速度 iir 滤波器

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