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[实用新型]一种激光芯片及光模块-CN202122905995.4有效
发明人：梁海波;章力明;马军涛 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供的激光芯片及光模块中，激光芯片表面设置有至少两个激光器，其中一个所述激光器包括增益区和光栅区，光栅区设有电极，通过电极向光栅区输入不同电流以输出不同波长光束，进而向相对短波长方向增加光栅自身的波长调制范围；另一个所述激光器包括增益区和光栅区，且光栅区的光波导延伸方向相对于出光方向倾斜，通过改变倾斜角大小以输出不同波长的第二光束，通过采用斜波导设计，实现向相对长波长方向增加波长调制范围。本申请可以实现在激光芯片层次集成激光器，实现单颗芯片多路激光器同时工作，提高芯片的集成密度，且可以通过载流子注入变化和斜波导共同实现波长的精确调制。
一种激光芯片模块

[发明专利]一种宽谱可调谐半导体激光器-CN202111620187.1在审
发明人：张金胜;冯丽彬;张登巍;李鑫 -专利权人：苏州鼎芯光电科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本申请涉及光通信器件技术领域，尤其涉及一种宽谱可调谐半导体激光器，旨在解决现有技术存在可调谐激光器的波长可调范围受到单一有源区的限制，可调范围较小，难以满足可调波长宽度逐渐增大的使用需求的问题，其技术方案是一种宽谱可调谐半导体激光器，包括分别设于激光器两端的第一反射区以及第二反射区，第一反射区和第二反射区之间设有总增益区，总增益区包括至少两个子增益区，若干个子增益区并行设置，本申请具有增大光通信波长可调范围的效果。
一种宽谱可调谐半导体激光器

[发明专利]一种大功率超高效率的半导体器件及其制备方法-CN202111626003.2有效
发明人：周立;王俊;苟于单;程洋;肖啸;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种大功率超高效率的半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：位于半导体衬底层上的N型限制层；位于N型限制层背离半导体衬底层一侧的有源层；位于有源层背离N型限制层一侧的P型限制层，P型限制层包括P型限制体掺杂层；位于N型限制层和有源层之间的N型波导层，N型波导层包括N型波导体掺杂层；位于P型限制层和有源层之间的P型波导层；N型波导层还包括：位于N型波导体掺杂层朝向N型限制层一侧表面且与N型限制层接触的第一N型突变面掺杂界面层；和/或，P型限制层还包括：位于P型限制体掺杂层朝向P型波导层一侧表面且与P型波导层接触的第一P型突变面掺杂界面层。大功率超高效率的半导体器件的发光效率提高。
一种大功率超高效率半导体器件及其制备方法

[发明专利]光学半导体器件-CN202110990196.3在审
发明人：菅一辉;中原宏治 -专利权人：朗美通日本株式会社
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：一种光学半导体器件，包括:多量子阱层，包括彼此交替重叠的一些阱层和一些势垒层；光学约束层；以及插置在多量子阱层和光学约束层之间的引导层。每个势垒层是未掺杂层，最外层是势垒层中的一个。光学约束层的折射率大于最外层的折射率，带隙小于最外层的带隙。引导层包括与最外层接触的第一相邻层，并且引导层比光学约束层薄。光学约束层和引导层中的每一个都是n型半导体层。引导层的第一相邻层的带隙大于光学约束层的带隙。
光学半导体器件

[发明专利]一种半导体激光器结构-CN202011396116.3有效
发明人：何林安;周坤;杜维川;李弋;高松信;唐淳 -专利权人：中国工程物理研究院应用电子学研究所
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器结构，属于半导体光电子的技术领域，该结构包括：由下往上分别设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层和欧姆接触层，其中，在所述下波导层与有源层之间、有源层与上波导层之间分别嵌入有高折射率层，以达到有效提高大光腔波导结构的基模限制因子，同时增强波导对载流子的限制，降低器件的阈值电流，降低高阶模的模式增益，进而提高大光腔波导结构半导体激光器的基模输出功率，改善光束质量，为制备高性能的790nm高功率半导体激光器奠定基础的目的。
一种半导体激光器结构

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202111565701.6有效
发明人：王俊;谭少阳;周立;王邦国;郭银涛;廖新胜;李泉灵 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的N型波导结构；位于所述N型波导结构背离所述半导体衬底层一侧表面的有源层；所述N型波导结构包括层叠的第一N型波导层和第二N型波导层，所述第二N型波导层位于所述第一N型波导层和所述有源层之间，所述第一N型波导层的导带能级和所述第二N型波导层的导带能级相同，所述第一N型波导层的价带能级低于所述第二N型波导层的价带能级。所述半导体结构提高了发光效率。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种基于张应变扩散阻挡层的激光器件及其制备方法-CN201911163712.4有效
发明人：王朝旺;刘飞;于军;邓桃 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基于张应变扩散阻挡层的激光器件及其制备方法，所述器件包括由下至上依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、Gax1In1‑x1P下过渡层、Al1‑x2Inx2P下限制层、(Al1‑x3Gax3)y1In1‑y1P下波导层、Ga1‑x4Inx4P第一量子阱、(Al1‑x5Gax5)y2In1‑y2P垒层、Ga1‑x6Inx6P第二量子阱、(Al1‑x7Gax7)y3In1‑y3P上波导层、(Al1‑x8Gax8)y4In1‑y4P扩散阻挡层、Al1‑x9Inx9P第一上限制层、Ga1‑x10Inx10P腐蚀终止层、Al1‑x11Inx11P第二上限制层、Ga1‑x12Inx12P上过渡层和GaAs帽层。本发明采用张应变扩散阻挡层，减少了P限制层掺杂剂向有源区的扩散，降低了内损耗；带隙增加，降低了N限制层电子扩散；提高了光限制因子。与现有生长方法相比，此方法可提高光电转效率，提高半导体激光器的高温高可靠性，有利于实现小功率红光激光器的高温高可靠性应用。
一种基于应变扩散阻挡激光器件及其制备方法

[发明专利]一种单片集成波导装置及其集成半导体芯片-CN202110176830.X有效
发明人：陈伯庄 -专利权人：桂林雷光科技有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种单片集成波导装置，包括激光段以及调制器段，激光段包含波长选择元件，激光段和调制器段分别包含光模在其中传播的激光波导和调制器波导，调制器段用于调制相位和/或振幅。单片集成波导装置采用一个单片装置，由多个激光器段组成，每个激光器段都具有独立的激光条；或者采用由多个激光器段和多个用于调制相位的调制器段组成dev单片器件，并共同形成在同一个芯片上。一种集成半导体芯片，包括：单片集成波导装置以及前后视镜，单片集成波导装置具有多个段，与前后视镜成一定角度，激光器段发射的激光直接耦合到调制器段。
一种单片集成波导装置及其半导体芯片

[发明专利]一种提高蓝、绿光半导体激光器电学特性的方法及器件-CN202111384516.7在审
发明人：王新强;杨嘉嘉;黄振;陶仁春;沈波 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高蓝、绿光半导体激光器电学特性的方法及器件。本发明在蓝、绿光半导体激光器的上限制层的上、下表面各设置一层Al组分渐变的p‑AlGaN极化诱导层，通过双层极化诱导p型掺杂的的方式增加空穴注入，减少电子泄漏，提高有源区载流子复合效率，改善蓝、绿光激光器电学特性。本发明采用的处理方法具有工艺稳定、成本低廉、成品率高、设备简单易操作、适合产业化生产等优点。
一种提高半导体激光器电学特性方法器件

[发明专利]一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法-CN202010919591.8在审
发明人：刘飞;于军;邓桃;赵凯迪 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法，属于光电子技术领域，器件包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、(Al1‑x1Gax1)y1In1‑y1P渐变下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、(Al1‑x5Gax5)y3In1‑y3P渐变上波导层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、上过渡层和帽层，通过优化渐变波导层结构设计，在AlGaInP渐变波导层中插入组分稳定(Al1‑xGax)yIn1‑yP结构，优化该层厚度设计，达到抑制电子溢出的目的，同时利用AlInP作为限制层具有较高的光限制因子，使小功率AlGaInP红光激光器具有较小的工作电压及工作电流，高温工作时更加稳定。
一种优化渐变波导功率 algainp 红光半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种高均匀性高功率的激光器外延片及其制备方法-CN202010850453.9在审
发明人：赵凯迪;秦鹏;李志虎 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种高均匀性高功率的激光器外延片及其制备方法。本发明中GaAsP量子阱和GaInP限制层之间的上下波导层均由P组分渐变的GaAsP波导层和固定组分的GaAsP波导层两部分组成。GaAsP组分渐变波导层和GaAsP固定组分波导层不仅可以起限制电子和光场的作用，也可以很好地消除生长量子阱前后反应室中多余的元素，给量子阱的生长提供干净的环境，避免因为背景掺杂的影响导致外延片的波长、应力、均匀性等参数发生变化。本发明采用GaAsP作为量子阱材料，避免了含铝的有源区容易氧化和产生暗线缺陷的缺点，并且GaAsP量子阱可以通过控制As和P的比例来控制张应变的大小来降低阈值，实现TE单模输出。
一种均匀功率激光器外延及其制备方法

[发明专利]一种模式控制半导体器件及其制备方法-CN202111472150.9有效
发明人：谭少阳;王俊;刘停停;李泉灵;廖新胜;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种模式控制半导体器件及其制备方法，模式控制半导体器件具有相对设置的前腔面和后腔面，模式控制半导体器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；第一限制层和第二限制层，位于半导体衬底层上且分别位于有源层的两侧；位于第一限制层和有源层之间的第一波导层；位于第二限制层和有源层之间的第二波导层，第二波导层的厚度小于或等于第一波导层的厚度；第一调光层，第一调光层位于与前腔面邻接的部分第二限制层中，第一调光层的折射率小于第二限制层的折射率，第一调光层的宽度在自后腔面至前腔面的方向上递增。所述模式控制半导体器件提升前腔面抗光学灾变损伤阈值功率的同时降低耦合损耗、生产工艺复杂度和成本。
一种模式控制半导体器件及其制备方法

[发明专利]发光装置及投影仪-CN202110856048.2在审
发明人：加瀬谷浩康;野田贵史;岸野克巳 -专利权人：精工爱普生株式会社;学校法人上智学院
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种可减少第一半导体层与第二半导体层之间的电流泄漏的发光装置。一种发光装置，包括具有多个柱状部的层叠体，所述柱状部包括第一半导体层、导电型与所述第一半导体层不同的第二半导体层、以及设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第三半导体层，其中，所述第三半导体层具有发光层，所述第二半导体层包括：第一部分；以及第二部分，从所述第一半导体层及所述发光层的层叠方向俯视时，包围所述第一部分，且杂质浓度比所述第一部分低。
发光装置投影仪

[发明专利]一种用于1550nm波长激光器的半导体外延晶片-CN202010813856.6有效
发明人：陈基生 -专利权人：厦门中芯晶研半导体有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于1550nm波长激光器的半导体外延晶片，包括n‑InP衬底及衬底依次向上的盖层、限制层、势垒层、量子阱、限制层、保护层、稀释波导层、盖层、过渡层、欧姆接触层；分为衬底材料、无源波导区、有源区、稀释波导区、脊型波导，通过降低1550nm波长激光器光子腔内的内部损耗的半导体外延晶片在p层材料中吸收来提升半导体激光器的光功率；盖层、过渡层和欧姆接触层构成的脊型波导结构来增加半导体激光器外延结构中增强光的横向限制提升1550nm波长激光器半导体外延晶片光场分布。
一种用于 1550 nm 波长激光器半导体外延晶片

[发明专利]具有模式扩展层的半导体激光器-CN202080045660.5在审
发明人：程宁;刘翔;弗兰克·埃芬伯格 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：一种半导体激光器，包括：衬底；第一包覆层，设置在所述衬底上方；第二包覆层，设置在所述第一包覆层上方，使得所述第一包覆层位于所述衬底与所述第二包覆层之间；以及所述第一包覆层内的第一模式扩展层、所述第二包覆层内的第二模式扩展层、或所述第一包覆层内的所述第一模式扩展层和所述第二包覆内的所述第二模式扩展层两者。
具有模式扩展半导体激光器