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- [实用新型]一种半导体芯片制造用蚀刻后清洗装置-CN202023289721.9有效
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欧鹏;覃小秋
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桂林雷光科技有限公司
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2020-12-30
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2021-11-09
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B08B3/12
- 本实用新型涉及芯片制造设备技术领域，且公开了一种半导体芯片制造用蚀刻后清洗装置，包括超声波清洗机，超声波清洗机的外壁固定连接有多个固定杆，多个固定杆的杆壁共同固定连接有储液槽，储液槽的下表面开设有通孔，且通孔的孔壁固定连接有固定管，固定管的内壁固定连接有电动推杆，电动推杆的底端固定连接有U形板，U形板的外壁固定连接有网框，网框的内壁固定连接有多个分隔网板，储液槽的下表面固定连接有空心板，空心板的下表面固定连通有多个喷淋头。本实用新型使半导体芯片蚀刻后清洗装置具有二次清洗和干燥的功能，提高了半导体芯片在清洗装置内清洗的效果，同时提高了半导体芯片的制造品质。
- 一种半导体芯片制造蚀刻清洗装置
- [发明专利]一种半导体有源与无源集成耦合方法-CN202110169785.5有效
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陈伯庄
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桂林雷光科技有限公司
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2021-02-08
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2021-09-07
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H01S5/02326
- 本发明提供一种半导体有源与无源集成耦合方法，将激光二极管（1）与硅衬底（4）上的无源波导（7）进行高精度对齐耦合，包括：在激光二极管（1）的表面上形成多个导电材料柱（2）；将硅衬底（4）与激光二极管（1）的表面匹配的一侧形成多个匹配支柱（3）或蚀刻硅钉；导电材料柱（2）及匹配支柱（3）沿相反方向移动动态组装，将导电材料柱（2）压到匹配支柱（3）或蚀刻硅钉上；对硅衬底（4）上的匹配支柱（3）形成的P触点和N触点施加电流，为激光二极管（1）通电；激光二极管的P触点（6）和N触点（5）一旦达到所需位置，激光二极管（1）将固定停留在该位置上，从而完成激光二极管（1）与无源波导（7）的有源集成耦合。
- 一种半导体有源无源集成耦合方法
- [发明专利]一种半导体制造方法-CN202110182585.3有效
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陈伯庄
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桂林雷光科技有限公司
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2021-02-08
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2021-08-24
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H01S5/34
- 本发明提供一种半导体制造方法，在单个半导体外延沉积过程中在同一平面内生长不同层厚度量子阱，包括如下步骤：进行第一次层外延，以生长基本的外延层结构，基本的外延层结构包括衬底、一个牺牲层和一个桥接层，牺牲层位于衬底和桥接层之间；通过光刻和蚀刻形成桥图案，并形成带有图案化桥头悬垂的晶片；清洗晶片；将清洗后带有图案化桥头悬垂的晶片送回外延设备进行第二次层外延；选择性去除部分高架桥结构，从而形成不同区域中具有不同厚度外延层的晶片。还提供了相应的激光器集成结构制造方法及由此制造的激光器集成结构。当该光学模式通过波束形成部分离开集成设备时，所得的远场图案更窄，有利于将设备光耦合到光纤中及设备的可靠性。
- 一种半导体制造方法
- [实用新型]一种芯片制造用晶圆裂片机-CN202023281020.0有效
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赵肃;文帆
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桂林雷光科技有限公司
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2020-12-30
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2021-08-10
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H01L21/67
- 本实用新型涉及芯片制造设备技术领域，且公开了一种芯片制造用晶圆裂片机，包括晶圆裂片机本体、控制主机和壳盖，晶圆裂片机本体的下表面四角处均固定连接有万向滚珠，万向滚珠的底端固定连接有支撑杆，支撑杆的杆壁活动套接有圆筒，圆筒的外壁开设有螺纹孔，且螺纹孔的孔壁螺纹连接有固定螺栓，多个圆筒的下表面共同固定连接有L形板。本实用新型不仅使晶圆裂片机具有安装快速找平功能，还使其具有移动颠簸缓冲功能，进而提高了晶圆裂片机安装使用的便捷性和效率，同时提高了晶圆裂片机移动的安全性，并能够保证晶圆裂片机的使用寿命和工作可靠性，以及能够有效晶圆裂片机中控制主机维护的便捷性。
- 一种芯片制造用晶圆裂片
- [实用新型]一种芯片生产制造用冷却装置-CN202023290751.1有效
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覃小秋;欧鹏
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桂林雷光科技有限公司
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2020-12-30
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2021-08-10
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H01L21/67
- 本实用新型涉及芯片制造技术领域，且公开了一种芯片生产制造用冷却装置，包括底板和支撑板，两个所述支撑板分别固定设置于底板的上表面两侧，两个所述支撑板的顶端固定设置有顶板，所述顶板的下方设置有往复丝杆，所述往复丝杆的两端均通过第一滚动轴承与对应的支撑板转动连接，所述往复丝杆的杆壁螺纹套接有滑块，所述滑块的下表面固定设置有风机，右侧所述支撑板的右侧设置有电机，所述电机的输出端与往复丝杆的右端固定连接，两个所述支撑板中部之间设置有转杆，所述转杆的两端均通过第二滚动轴承与对应的支撑板转动连接。本实用新型能够不间断的对芯片进行冷却工作，大大的减少了停机时间，提高工作效率。
- 一种芯片生产制造冷却装置
- [实用新型]一种采用可吸收光栅的抗反射激光器-CN202022244025.X有效
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侯春鸽;陈伯庄
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桂林雷光科技有限公司
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2020-10-10
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2021-02-05
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H01S5/12
- 本实用新型公开一种采用可吸收光栅的抗反射激光器，主要由缓冲层、下层分别限制异质结、有源区、上层分别限制异质结、盖层、接触层、P面金属电极、N面金属电极、高反射膜、增透膜和衍射光栅层组成。衍射光栅层采用双层结构，使得衍射光栅层在具备对激光器光谱的选择特性的同时，能够对于反射光存在一定的吸收作用，以降低对激光器腔内原谐振光的干扰，提高激光器调制带宽的稳定性和降低调制的误码率。此外，衍射光栅层采用部分光栅结构与完整光栅结构相比，通过缩短整个光栅长度来达到增加光栅层的高度的目的，从而能够为衍射光栅层特别是激光吸收层提供足够的高度空间，以达到进一步有效增强反射光吸收效果的目的。
- 一种采用吸收光栅反射激光器
- [发明专利]一种采用可吸收光栅的抗反射激光器-CN202011079931.7在审
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侯春鸽;陈伯庄
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桂林雷光科技有限公司
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2020-10-10
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2020-12-11
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H01S5/12
- 本发明公开一种采用可吸收光栅的抗反射激光器，主要由缓冲层、下层分别限制异质结、有源区、上层分别限制异质结、盖层、接触层、P面金属电极、N面金属电极、高反射膜、增透膜和衍射光栅层组成。衍射光栅层采用双层结构，使得衍射光栅层在具备对激光器光谱的选择特性的同时，能够对于反射光存在一定的吸收作用，以降低对激光器腔内原谐振光的干扰，提高激光器调制带宽的稳定性和降低调制的误码率。此外，衍射光栅层采用部分光栅结构与完整光栅结构相比，通过缩短整个光栅长度来达到增加光栅层的高度的目的，从而能够为衍射光栅层特别是激光吸收层提供足够的高度空间，以达到进一步有效增强反射光吸收效果的目的。
- 一种采用吸收光栅反射激光器
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