[发明专利]一种发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202011615651.3 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112652691A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 朱酉良;马爽;蒋振宇;闫春辉 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括：外延层，包括第一半导体层；半导体电极，半导体电极设置于第一半导体层上，并与第一半导体层接触，其中半导体电极与第一半导体层具有相同的掺杂类型；金属电极，设置于半导体电极背离第一半导体层的一侧，并与半导体电极形成欧姆接触，其中半导体电极的禁带宽度低于第一半导体层的禁带宽度。通过上述方式，本申请能够解决现有技术中因高温退火工艺而引起的技术问题，降低制造成本，并提高发光二极管的辐射功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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