[发明专利]一种发光二极管外延片、芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811433179.4 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109860368B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片、芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上；所述接触层的材料采用锑烯。本发明通过采用锑烯形成接触层，锑烯层内的缺陷态很少，载流子在锑烯层内的迁移率很高，有利于实现P型半导体层和电极之间的欧姆接触，不会造成电流拥堵，可以改善发光二极管的串联电阻，而且对有源层发出的光线吸收较少，可以从整体上提升整个发光二极管的光效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上；其特征在于，所述接触层的材料采用锑烯。
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