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[发明专利]一种高效率光电池及其制造方法-CN202310915181.X有效
发明人：罗寅;张胜;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明涉及光电池技术领域,公开了一种高效率光电池及其制造方法，其中光电池包括从上往下依次层叠的衬底、埋氧层、外延层和二氧化硅层；外延层上设有第一介质隔离层、第二介质隔离层和深P阱区，深P阱区上设有N阱区，N阱区的顶部设有第一P+离子注入区和第一N+离子注入区，外延层上在深P阱区和第二介质隔离层之间设有第二N阱区，第二N阱区的顶面设有第二N+离子注入区；深P阱区的顶面在第一介质隔离层和N阱区之间设有第二P+离子注入区；在实际使用时，本发明的光电池形成三个PIN结构，而光在循环多次经过三个PIN结构时都能产生光电流，从而提高了光电池对光的利用效率和转换效率。
一种高效率光电池及其制造方法

[发明专利]一种叠层固态掺杂源结构及太阳能电池制备方法-CN202310013883.9在审
发明人：杜浩江;叶继春;曾俞衡;刘伟;廖明墩;杨阵海 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明提供一种叠层固态掺杂源结构及太阳能电池制备方法，叠层固态掺杂源结构包括层叠设在的正面掺杂源非晶硅层、正面介质层、晶硅衬底、背面介质层和背面掺杂源非晶硅层。本发明以一种创新的材料体系作为正面源，即利用介质层和掺杂源非晶硅层的叠层结构作为扩散源，可以调节发射极扩散所需的退火温度，尤其是降低硼扩散温度，还可以避免层错缺陷的产生，提升钝化效果；背面采用介质层和微量氮(或碳、氧)掺杂的非晶硅层作为TOPCon结构，可以调节制备温度，相应提高n型TOPCon退火温度，与正面扩散温度相匹配；由此实现通过一步高温退火同时制备发射极和TOPCon结构，减少了太阳能电池的生产步骤。
一种固态掺杂结构太阳能电池制备方法

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法-CN202310067168.3在审
发明人：郁操;王琦;董刚强;冉孝超;赵宇 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本申请涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。所述方法包括：提供硅片；硅片包括相背设置的第一表面和第二表面；在第一表面沉积第一钝化层、第一掺杂层，在第二表面沉积第二钝化层、第二掺杂层；在第一掺杂层远离硅片的表面沉积第一缓冲层；在第二掺杂层远离硅片的表面沉积第二缓冲层；在第一缓冲层远离硅片的表面沉积第一氧化锡层，在第二缓冲层远离硅片的表面沉积第二氧化锡层，得到电池第一样品；对第一样品进行电镀铜，得到第一电池。采用本方法能够降低生产成本，且可靠性高，提高光利用率。
一种异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法-CN202310066348.X在审
发明人：王琦;赵宇;冉孝超;董刚强;郁操 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本申请涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。所述方法包括：提供硅片；硅片包括相背设置的第一表面和第二表面；在第一表面沉积第一钝化层、第一掺杂层，在第二表面沉积第二钝化层、第二掺杂层；通过PVD沉积方式在第一掺杂层远离硅片的表面沉积缓冲层；在缓冲层远离硅片的表面沉积第一导电层，在第二掺杂层远离硅片的表面沉积第二导电层，得到电池第一样品；对第一样品进行电镀铜，得到第一电池。通过设置缓冲与掺杂层接触，可显著降低电池的接触电阻值，可提高电池性能。
一种异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]具有图案化发射极的多结太阳能电池和制作该太阳能电池的方法-CN201711259931.3有效
发明人： C·M·费策尔;P·赫伯特 -专利权人：波音公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本申请公开一种具有图案化发射极的多结太阳能电池和制作该太阳能电池的方法。一种多结太阳能电池，其包括基底基板，该基底基板包括IV族半导体和第一载流子类型的掺杂剂。图案化发射极在该基底基板的第一表面处形成。图案化发射极包括在IV族半导体中掺杂有第二载流子类型的掺杂剂的多个阱区域。包括图案化发射极的基底基板形成第一太阳能子电池。多结太阳能电池进一步包括上部结构，该上部结构包括在第一太阳能子电池上方的一个或更多个附加太阳能子电池。本发明还描述了制作多结太阳能电池的方法。
具有图案发射极太阳能电池制作方法

[发明专利]一种锗基砷化镓太阳电池及制备方法-CN202111459296.X在审
发明人：张恒;孙强;刘如彬;张启明 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗基砷化镓太阳电池及制备方法，属于太阳电池技术领域，从下至上依次包括：锗衬底、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、Ga1‑aInaAs晶格渐变缓冲层、(AlGa)1‑bInbAs/Ga1‑bInbAs第一周期结构过冲层、Ga1‑cIncAs子电池、第二隧穿结、(AlGa)1‑dIndAs/Ga1‑dIndAs周期结构晶格渐变层、(AlGa)1‑eIneAs/Ga1‑eIneAs第二周期结构过冲层、Ga1‑fInfAs1‑gPg子电池、第三隧穿结、(AlGa)1‑hInhP子电池和Ga1‑jInjAs帽层。能够提高锗基砷化镓太阳电池的光电转换效率和抗辐照性能。
一种锗基砷化镓太阳电池制备方法

[发明专利]一种石墨烯/GaInP多结异质太阳能电池及其制备方法-CN201811057062.0有效
发明人：林时胜;延燕飞;陆阳华 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯/GaInP多结异质太阳能电池及其制备方法，该石墨烯/GaxIn1‑xP多结异质太阳能电池由石墨烯/GaxIn1‑xP顶电池、GaAs中电池和Ge底电池三结组成，利用GaxIn1‑xP、GaAs和Ge的帯隙宽度不同，可吸收不同频率的电磁波，有效提高太阳能电池的整体转换效率。与现有技术相比，本发明中石墨烯可直接转移到GaxIn1‑xP上，且顶电极可直接键合至第二隧穿层上；同时石墨烯与GaxIn1‑xP形成的异质结拥有较高的开路电压，也使石墨烯/GaxIn1‑xP太阳能电池具有更高的光电转换效率。本发明的多结异质太阳能电池性价比高、工艺简单、易于商业推广。
一种石墨 gainp 多结异质太阳能电池及其制备方法

[发明专利]基于N极性氮化物材料的光电转换结构及制备方法-CN201810844475.7在审
发明人：许晟瑞;范晓萌;王学炜;郝跃;张进成;李培咸;张春福;马晓华;毕臻;艾立霞 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于N极性氮化物材料的光电转换结构及制备方法，主要解决现有光电转换结构中的氮化物材料自发极化电场的方向与光照产生的电场相反，导致光电转换结构效率不高的问题。其自下而上包括：衬底(1)、高温AlN成核层(2)、i‑GaN层(3)、n型GaN层(4)、i‑In_xGa_1‑xN层(5)和p型GaN层(6)，其中除衬底以外的各层均采用N极性氮化物材料，即材料的最表层中心原子为N原子。本发明的光电转换结构中由于氮化物材料自发极化产生的电场与光照产生的电场方向相同，起到了对光照产生电场的促进作用，提高了光电转换效率，可用于制作高效率的太阳能电池。
光电转换结构电场极性氮化物光照氮化物材料自发极化衬底制备光电转换效率太阳能电池促进作用中心原子成核层高效率最表层可用制作

[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法-CN201410203029.X有效
发明人：肖旭东;杨世航;马续航 -专利权人：香港中文大学
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本申请提供了一种薄膜太阳能电池，其包括金属衬底、布置在金属衬底上的第一隔离层、布置在第一隔离层上的第二隔离层、布置在第二隔离层上的背电极层、布置在背电极层上的铜铟镓硒光吸收层，其中，第一隔离层和第二隔离层用于阻止金属衬底中的金属元素进入铜铟镓硒光吸收层，并且第二隔离层中包括钠元素，其中，钠元素能够被补充至铜铟镓硒光吸收层以修复在铜铟镓硒光吸收层中由于缺硒导致的点缺陷。此外，本申请还提供了一种制造薄膜太阳能电池的方法。
薄膜太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法-CN201580017041.4有效
发明人：市川幸美 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明的太阳能电池(300)例如为下述串接式太阳能电池，该串接式太阳能电池层积有设于光入射侧的上部电池(100)及设于该上部电池(100)的下方的下部电池(200)，且选择上部电池(100)的能隙较下部电池(200)的能隙大的材料。本发明中，上部电池(100)的结晶硅层的厚度设为30μm以下，较佳为5μm～10μm的范围。n型晶硅层的厚度为10μm以下的情况下，结晶硅层内的载体的俄歇复合明显被抑制，其结果，开路电压显著提高。此外，由于可自上部电池(100)及下部电池(200)分别独立地取出输出，由此，不需要取得串联连接型串接式电池中所需要的发电电流的匹配。
太阳能电池制造方法

[发明专利]一种弥补多结多叠层的薄膜太阳能电池微晶硅缺陷的太阳能电池及方法-CN201510069037.4有效
发明人：杨晶晶;李廷凯;谭学仕;毛炳雪;张峰 -专利权人：湖南共创光伏科技有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种弥补多结多叠层的薄膜太阳能电池微晶硅缺陷的太阳能电池及方法。该电池具有p型非晶层和n型非晶层。该方法是按照沉积膜层的顺序，在沉积多结多叠层的薄膜太阳能电池p型微晶层之后，沉积一层p型非晶层；并在沉积微晶本征层之后，沉积一层n型非晶层。对于较厚的微晶本征层，在其生长过程中沉积一薄层本征非晶层来覆盖微晶层生长过程中因为晶粒相互挤压和晶粒异常长大所造成的裂痕缝隙和表面缺陷。通过控制p型，n型非晶层的参杂浓度，厚度，折射率，导电率，控制微晶层的晶化率60％‐80％，改善光的吸收，减少因此造成的漏电流，从而达到提升电池效率的目的。电池转换效率可提升1％—10％，并具有较好的稳定性。
一种弥补多结多叠层薄膜太阳能电池微晶硅缺陷方法

[发明专利]一种基于硅纳米线的薄膜硅晶体硅叠层太阳能光伏电池-CN201611167903.4在审
发明人：王珺;郭群超;朱红英;丁云飞;朱晨烜 -专利权人：上海电机学院
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅纳米线的薄膜硅晶体硅叠层太阳能光伏电池，包括位于上层的NIP非晶硅叠层电池、以及位于下层的PIN异质结硅电池，所述NIP非晶硅叠层电池和PIN异质结硅电池通过非晶硅隧道结串联，在所述PIN异质结硅电池的吸收层晶体硅的上表面设有硅纳米线阵列。本发明通过将硅纳米线阵列引入叠层电池，使电池兼具纳米线阵列的陷光优势和叠层电池的较高的开路电压和短路电流。
一种基于纳米薄膜晶体硅叠层太阳能电池

[实用新型]一种晶体硅量子点叠层太阳能电池-CN201620940604.9有效
发明人：徐华毕 -专利权人：惠州比亚迪实业有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶体硅量子点叠层太阳能电池，其中，包括依次层叠的铝背电场、晶体硅衬底、发射结、硅化物层、透明膜层和金属电极，其中，所述硅化物层包括隧道结和子电池，所述子电池中含有硅量子点，所述隧道结和子电池交替堆叠形成多层结构，从发射结至透明膜层所述多层结构中隧道结的层厚度渐变，从发射结至透明膜层所述多层结构中子电池的层厚度渐变。本实用新型提供的晶体硅量子点叠层太阳能电池可充分吸收紫外区和可见光区不同能量的光子，增强电池光生电流，有效提高电池的开路电压和光电转换性能。
一种晶体量子点叠层太阳能电池

[发明专利]渐变带隙纳米硅薄膜及渐变带隙纳米硅薄膜太阳能电池-CN201310125568.1有效
发明人：于化丛 -专利权人：于化丛
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明公开了渐变带隙纳米硅薄膜及渐变带隙纳米硅薄膜太阳能电池，渐变带隙纳米硅薄膜为由非晶硅、晶粒和晶界组成的混合相材料；所述晶体硅的带隙为1.12eV，非晶硅为1.75eV；所述器件质量级的纳米硅薄膜晶化率范围为40%‑70%；所述渐变带隙纳米硅薄膜的带隙为1.3eV~1.5eV。本发明的渐变带隙纳米硅薄膜用于纳米硅电池的I层（也即光吸收层），充分吸收不同波段的太阳光能，还改善了光生空穴的传输，从而可以有效提高电池的光电转换效率；同时渐变光吸收层结构解决了纳米硅太阳电池开路电压较低的问题，而且渐变结构使其与P层及N层的带隙差别较小，较大程度的解决了P/I、I/N界面的带隙失配问题，避免了异质结的界面效应，降低光致衰退效应，降低成本。
渐变纳米薄膜太阳能电池

[发明专利]薄膜光电转换装置及其制造方法-CN201280043703.1有效
发明人：门田直树;佐佐木敏明 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明涉及含有非晶质锗光电转换层（53）的薄膜光电转换装置。本发明的薄膜光电转换装置包含非晶质锗光电转换单元（5），其在p型半导体层（51）和n型半导体层（54）之间具有实质上本征的、且实质上不含硅原子的非晶质锗光电转换层（53）。在一种实施方式所涉及的本发明的薄膜光电转换装置中，在比非晶质锗光电转换单元（5）更接近光入射侧，配置了具有晶质硅光电转换层（43）的晶质硅光电转换单元（4）。在一种实施方式中，优选非晶质锗光电转换单元（5）在波长900nm的量子效率为30%以上。
薄膜光电转换装置及其制造方法

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