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[实用新型]石墨坩埚-CN202321514760.5有效
发明人：郭伏龙;方泽锐;季明福;吴涛;刘国平;谭学仕;曾伟军;陈龙权 -专利权人：贝特瑞新材料集团股份有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： F27B14/10 文献下载
摘要：本申请涉及石墨碳化技术领域，尤其涉及一种石墨坩埚，包括石墨底板、第一石墨侧板与第二石墨侧板；石墨底板包括第一侧边与第二侧边，第一侧边设有第一卯眼，纵截面形状为梯形；第二侧边设有第二卯眼，横截面形状为梯形；第一石墨侧板设有与第一卯眼匹配的第一榫头，第二石墨侧板设有与第二卯眼匹配的第二榫头。本申请石墨坩埚为拼接式结构，结构发生损坏时，更换对应的底板或侧板即可，无需整体更换，延长了石墨坩埚的使用寿命，进而降低石墨坩埚的使用成本；并且，石墨底板设有纵截面形状与横截面形状为梯形的第一卯眼与第二卯眼，使得第一石墨侧板先沿竖直方向安装，第二石墨侧板再沿水平方向安装，两者相互卡合，增强了底板与侧板的连接强度。
石墨坩埚

[发明专利]一种评估离子注入工艺的监测方法-CN202310887411.6在审
发明人： 谭学仕;任娜;盛况;徐弘毅 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种评估离子注入工艺的监测方法，包括：提供晶圆衬底，在所述晶圆衬底表面依次形成二氧化硅层和多晶硅层，形成离子注入的陪片；将若干陪片和待检测的正片一同完成离子注入工艺，对所述陪片进行激活退火；对不同陪片刻蚀至不同厚度，获取不同厚度的方阻监测数据；获取相同离子注入工艺条件下的基准样品以及对应的基准方阻值；根据陪片多晶硅层中不同厚度的方阻监测数据与基准方阻值的偏差，评估待检测的正片在相同离子注入工艺条件下不同时间和批次间的偏差及判定结果。本发明实现了生产现场便捷对离子注入品质的评估与控制，并解决了一些量测所需加工工艺对待检测的正片带来的不利影响。
一种评估离子注入工艺监测方法

[发明专利]二氧化硅的沉积方法及其制品和应用-CN202211213113.0在审
发明人：盛况;谭学仕;任娜;徐弘毅 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种二氧化硅的沉积方法及其制品和应用。该沉积方法包括：提供晶圆；设定装置起始温度为300℃‑600℃，达到起始温度后，以5cm/min‑15cm/min移入晶圆；设定装置为真空并保持起始温度；以2℃/min‑6℃/min升温至沉积温度并保持；将晶圆分次沉积；沉积完保持沉积温度；以1℃/min‑5℃/min降温至300℃‑600℃，破真空并以2cm/min‑12cm/min移出晶圆，得到表面沉积二氧化硅的晶圆。采用该沉积方法能够在提高二氧化硅厚度的同时降低裂纹的产生率，使表面沉积二氧化硅的晶圆介电性能优异，用于半导体器件能够提高半导体器件的良率和可靠性。
二氧化硅沉积方法及其制品应用

[实用新型]一种复合Low-E薄膜太阳能电池-CN202120479637.9有效
发明人：王绍丹;潘胜浆;黄宇翔;谭学仕 -专利权人：宁波山迪光能技术有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合Low‑E薄膜太阳能电池。它包括衬底、位于衬底上的第一电极、位于所述第一电极上的光电转换层、位于光电转换层上的第二电极,位于第二电极上的Low‑E功能层，位于Low‑E功能层上的介质层，位于介质层上的保护层以及位于最顶层的栅电极。其优点在于：通过多层镀膜将薄膜太阳能电池与Low‑E薄膜结合为一体，尤其是其巧妙地复合层结构设计，使制作的太阳能电池既可以保证足够的可见光透过率又可以阻隔红外热量的透过同时还可以兼具太阳能电池的发电功能。
一种复合 low 薄膜太阳能电池

[发明专利]薄膜太阳能电池、制作方法及隔热太阳能夹胶玻璃-CN201810184980.3有效
发明人：王明华;谭学仕;蒋前哨;汪浩;杨立友 -专利权人：宁波山迪光能技术有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜太阳能电池，所述薄膜太阳能电池包括透光衬底、过渡层、透明导电氧化层上电极、光电转换层、红外控制层和透明导电氧化层下电极，所述透光衬底为所述薄膜太阳能电池的入射面。本发明的所述红外控制层具有显著的吸收红光和近红外光的效果，能够显著降低所述薄膜太阳能电池对红外光的透过率。本发明还提供了一种包括所述薄膜太阳能电池的隔热太阳能夹胶玻璃，通过将所述红外控制层与具有红外阻隔效果的底层胶膜或透明背板相结合，显著降低了所述隔热太阳能夹胶玻璃的红外透过率和总太阳能能量透过率。本发明还公开了所述薄膜太阳能电池和所述隔热太阳能夹胶玻璃的制作方法。
薄膜太阳能电池制作方法隔热太阳能玻璃

[发明专利]一种透光太阳能模组及其制造方法-CN201810422995.9有效
发明人： 谭学仕;王明华;潘胜浆;蒋前哨;杨立友 -专利权人：宁波山迪光能技术有限公司
申请日： 2018-05-05 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明提供了一种透光太阳能模组，包括由上至下依次排列的前板、封装前膜、薄膜太阳能电池、封装后膜和背板。本发明位于所述薄膜太阳能电池受光面上方的所述前板和所述封装前膜对可见光的透过率均大于85％，保证了所述透光太阳能模组的光电转化率，位于薄膜太阳能电池下方的所述封装后膜是所述红外阻隔胶膜且所述背板具有红外阻隔层有效阻隔了红外光，结合在所述薄膜太阳能电池上开设透光线槽，同时兼顾了应用场合的透光需求，避免了现有技术存在的由于阻隔红外线造成的可见光透过率或光电转化率大幅度降低问题。本发明还提供了所述透光太阳能模组的制造方法。
一种透光太阳能模组及其制造方法

[发明专利]一种弥补多结多叠层的薄膜太阳能电池微晶硅缺陷的太阳能电池及方法-CN201510069037.4有效
发明人：杨晶晶;李廷凯;谭学仕;毛炳雪;张峰 -专利权人：湖南共创光伏科技有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种弥补多结多叠层的薄膜太阳能电池微晶硅缺陷的太阳能电池及方法。该电池具有p型非晶层和n型非晶层。该方法是按照沉积膜层的顺序，在沉积多结多叠层的薄膜太阳能电池p型微晶层之后，沉积一层p型非晶层；并在沉积微晶本征层之后，沉积一层n型非晶层。对于较厚的微晶本征层，在其生长过程中沉积一薄层本征非晶层来覆盖微晶层生长过程中因为晶粒相互挤压和晶粒异常长大所造成的裂痕缝隙和表面缺陷。通过控制p型，n型非晶层的参杂浓度，厚度，折射率，导电率，控制微晶层的晶化率60％‐80％，改善光的吸收，减少因此造成的漏电流，从而达到提升电池效率的目的。电池转换效率可提升1％—10％，并具有较好的稳定性。
一种弥补多结多叠层薄膜太阳能电池微晶硅缺陷方法

[发明专利]多结多叠层硅基薄膜太阳能电池及其制造工艺-CN201310588781.6有效
发明人：张峰;李廷凯;毛炳雪;谭学仕;杨晶晶 -专利权人：湖南共创光伏科技有限公司
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明提出了一种多结多叠层硅基薄膜太阳能电池及其制造方法。该方法包括在镀硅薄膜前对基板进预热处理；在TCO前电极上形成p‑A‑SiC接触层；在p‑A‑SiC接触层上形成p‑A‑SiC窗口层；在p‑A‑SiC缓冲层上形成叠层i‑A‑SiC本征层。本发明采用宽带隙接触层来降低与TCO前电极之间的界面电阻，通过宽带隙窗口层提升顶电池对短波长蓝光的吸收，采用宽带隙缓冲层减少界面壁垒，降低电池的串联电阻及光吸收损失，同时在非晶碳化硅本征层中采用叠层结构，采用梯度式掺杂，形成具有梯度带隙宽度的非晶碳化硅本征层，从而提高电池的短路电流密度及光电转换效率。
多结多叠层硅基薄膜太阳能电池及其制造工艺

[实用新型]一种多结多叠层的薄膜太阳能电池-CN201520094915.3有效
发明人：杨晶晶;李廷凯;谭学仕;毛炳雪;张峰 -专利权人：湖南共创光伏科技有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多结多叠层薄膜太阳能电池。该电池包括至少一个微晶PIN结，按照沉积膜层的顺序，在所述微晶PIN结的p型微晶层后沉积有p型非晶层，并且在所述微晶PIN结的微晶本征层后沉积有n型非晶层。该太阳能电池可以弥补多结多叠层的薄膜太阳能电池微晶硅缺陷，减少因此造成的漏电流，从而达到提升电池效率的目的。电池转换效率可提升1％—10％，并具有较好的稳定性。
一种多结多叠层薄膜太阳能电池

[实用新型]一种电池用复合中间反射层以及多结多叠层硅基薄膜电池-CN201320698865.0有效
发明人： 谭学仕;李廷凯;张峰;毛炳雪 -专利权人：湖南共创光伏科技有限公司
申请日： 2013-11-06 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电池用复合中间反射层及一种多结多叠层硅基薄膜电池。该复合中间反射层是包括至少一层中间反射层的多层膜结构，与每层中间反射层相邻的前一层和后一层均为不含氧或氮的n型掺杂层；所述中间反射层为掺杂的n型SiOx或SiNx膜层。该复合中间反射层通过氧化或氮化比例可以灵活调整折射率以适应多结多叠层的薄膜太阳能电池中不同膜层对不同波段的选择性反射需求。所需材料均为硅基薄膜主流材料，所用制备工艺均与大规模产业化制造的工艺兼容；采用这种复合中间反射层的多结多叠层薄膜电池相比不采用中间反射层的结构，电池效率将能提高10%以上。
一种电池复合中间反射层以及多结多叠层硅基薄膜

[发明专利]一种电池用复合中间反射层以及多结多叠层硅基薄膜电池-CN201310544108.2有效
发明人： 谭学仕;李廷凯;张峰;毛炳雪 -专利权人：湖南共创光伏科技有限公司
申请日： 2013-11-06 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明公开了一种电池用复合中间反射层及一种多结多叠层硅基薄膜电池。该复合中间反射层包括至少一层中间反射层，每层中间反射层的前一层和后一层均为不含氧或氮的n型掺杂层；所述中间反射层为n型掺杂的SiOx或SiNx。该复合中间反射层通过氧化或氮化比例可以灵活调整折射率以适应多结多叠层的薄膜太阳能电池中不同膜层对不同波段的选择性反射需求。所需材料均为硅基薄膜主流材料，所用制备工艺均与大规模产业化制造的工艺兼容；采用这种复合中间反射层的多结多叠层薄膜电池相比不采用中间反射层的结构，电池效率将能提高10%以上。
一种电池复合中间反射层以及多结多叠层硅基薄膜

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