[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法

摘要

本发明的太阳能电池(300)例如为下述串接式太阳能电池，该串接式太阳能电池层积有设于光入射侧的上部电池(100)及设于该上部电池(100)的下方的下部电池(200)，且选择上部电池(100)的能隙较下部电池(200)的能隙大的材料。本发明中，上部电池(100)的结晶硅层的厚度设为30μm以下，较佳为5μm～10μm的范围。n型晶硅层的厚度为10μm以下的情况下，结晶硅层内的载体的俄歇复合明显被抑制，其结果，开路电压显著提高。此外，由于可自上部电池(100)及下部电池(200)分别独立地取出输出，由此，不需要取得串联连接型串接式电池中所需要的发电电流的匹配。

主权项

一种太阳能电池，其特征在于：上部电池设于单晶硅基体的主面上，该上部电池包括层积构造，该层积构造自光入射侧起依序具有：第1透明导电层；具有第1导电型的非晶硅材料层；厚度为3μm～30μm的单晶硅层，其具有与该第1导电型相反的第2导电型；具有第2导电型非晶硅层；以及第2透明导电层，该单晶硅基体为背接触型结晶硅电池结构的下部电池，该下部电池的上部电池侧具有绝缘性透明钝化层，该上部电池的该第2透明导电层与该下部电池的该绝缘性透明钝化层接合，以进行串接，该上部电池于具有该第1导电型的非晶硅材料层与该单晶硅层间具备i型非晶硅材料层，同时，具有该第2导电型的单晶硅层与具有该第2导电型的非晶硅层间具备i型非晶硅层。