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[实用新型]一种快速恢复二极管-CN202123173614.4有效
发明人：董少华;刘钺杨;和峰;王耀华;刘江;金锐;姚兆民 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司检修分公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层；位于所述第一导电类型半导体层上的漂移层；位于所述漂移层中的第二导电类型掺杂层；所述快速恢复二极管还包括：第一复合区，所述第一复合区位于第二导电类型掺杂层底部的漂移层中，第一复合区包括若干个横向排布的第一子复合区，相邻的第一子复合区在漂移层中的深度不同；和/或，第二复合区，第二复合区位于所述第二导电类型掺杂层中，第二复合区包括若干个横向排布的第二子复合区，相邻的第二子复合区在第二导电类型掺杂层中的深度不同。本实用新型提供的一种快速恢复二极管反向恢复峰值电流较低，反向恢复速度较快。
一种快速恢复二极管

[发明专利]一种新型的PIN管微观结构-CN202110357101.4有效
发明人：王志宇;黄威文;陈伟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的PIN管微观结构，其特征在于，包括Metal 1层、Metal 2层、阳极引出层AC、阴极引出层CC和PIN管；阳极引出层AC、阴极引出层CC设置在PIN管的两极上，且Metal 1层在阳极引出层AC、阴极引出层CC上方，Metal 2层在Metal 1层上方；其中，Metal 1层与阳极引出层AC或阴极引出层CC之间设置过孔Via 1，Metal 1层与Metal 2层之间设置过孔Via2；本发明提供结构简单合理、增强PIN管的击穿电压与过流能力的一种新型的PIN管微观结构。
一种新型 pin 微观结构

[发明专利]快恢复二极管及其制备方法-CN202011519989.9在审
发明人：曹群;郭小青 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本公开涉及一种快恢复二极管及其制备方法，属于半导体技术领域，能够大大降低工艺门槛和价格成本，而且还能够形成更有效的局域寿命控制，提升快恢复二极管的关断软度性能。一种快恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层位于所述第一导电类型半导体层的上表面且与所述第一导电类型半导体层相接触以形成PN结，其中，所述第二导电类型半导体层包括局域寿命控制区域和用于与所述第一导电类型半导体层形成所述PN结的区域，所述局域寿命控制区域为由晶格失配材料形成的区域。
恢复二极管及其制备方法

[发明专利]快恢复二极管及其制备方法-CN202011520153.0在审
发明人：曹群;郭小青 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本公开涉及一种快恢复二极管及其制备方法，属于半导体技术领域，能够大大降低工艺门槛和价格成本，而且还能够形成更有效的局域寿命控制，提升快恢复二极管的关断软度性能。一种快恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层，所述第一导电类型半导体层的上表面存在晶格失配；第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层位于所述第一导电类型半导体层的上表面，且与所述第一导电类型半导体层的上表面同形，而且，所述第二导电类型半导体层与所述第一导电类型半导体层相接触以形成PN结。
恢复二极管及其制备方法

[发明专利]一种快恢复二极管、芯片及其制作方法-CN202011474140.4在审
发明人：胡巍;覃荣震;肖海波;张中华;肖强;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本公开提供一种快恢复二极管、芯片及其制作方法，包括：P+型阳极区、基区和N+型阴极区，在所述基区靠近所述N+阴极区的部分还包括：至少一个埋层区，所述至少一个埋层区包括具有第一掺杂类型的第一部分和具有第二掺杂类型的第二部分，所述第一部分与所述第二部分构成PN结。
一种恢复二极管芯片及其制作方法

[实用新型]一种基于BN的耐电流SiC PIN二极管-CN202122418641.7有效
发明人：何佳;陈彤;周海 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于BN的耐电流SiCPIN二极管，包括：N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至N型欧姆电极的上侧面；N型重掺杂BN耐压提高层的下侧面连接至N型重掺杂半导体传输层的上侧面；N型本征层的下侧面连接至N型重掺杂BN耐压提高层的上侧面；P型重掺杂半导体传输层下侧面连接至N型本征层的上侧面；P型欧姆电极的下侧面连接至P型重掺杂半导体传输层的上侧面，保证SiCPIN二极管的耐压能力下，使得电流能力大大提高，并且使得热量更容易往下边扩散，使得PIN二极管的纵向热分布主要集中在SiC材料。
一种基于 bn 电流 sic pin 二极管

[实用新型]一种基于Ga2O3耐压耐电流SiC PIN二极管-CN202122412740.4有效
发明人：何佳;陈彤;周海 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于Ga2O3耐压耐电流SiCPIN二极管，包括：N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至N型欧姆电极的上侧面；N型重掺杂Ga2O3耐压提高层的下侧面连接至N型重掺杂半导体传输层的上侧面；N型本征层的下侧面连接至N型重掺杂Ga2O3耐压提高层的上侧面；P型重掺杂半导体传输层下侧面连接至N型本征层的上侧面；P型欧姆电极的下侧面连接至P型重掺杂半导体传输层的上侧面，提高SiCPIN二极管的耐压耐电流能力。
一种基于 ga2o3 耐压电流 sic pin 二极管

[发明专利]基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法-CN201910219155.7有效
发明人：刘超铭;李何依;王天琦;张延清;齐春华;马国亮;霍明学 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明一种基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服PIN二极管受空间辐照效应，导致本征区的载流子被辐射缺陷俘获造成正向特性的退化的问题，具体方法为：步骤一、通过PIN二极管的结构参数和需注入PIN二极管的离子类型，计算离子注入所述PIN二极管的离子注入深度D和与离子注入深度D所对应的离子能量E；步骤二、计算离子注入量Ф；步骤三、通过所述离子能量E计算离子源电压值V；步骤四、通过所述离子注入量Ф确定离子注入时间t，并计算离子束电流值I；步骤五、根据所述离子注入深度D、离子源电压值V、离子束电流值I和离子注入时间t，向PIN二极管的本征区注入离子。
基于深层离子注入方式 pin 二极管位移辐照加固方法

[实用新型]一种FRD芯片-CN202122828290.7有效
发明人：赵承杰;周炳 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种FRD芯片，包括由下至上依次设置的第一金属层、衬底、SiO2层及第二金属层，所述衬底内设置有第一P阱和第二P阱且第一P阱位于第二P阱的上方，所述第一P阱内设置有多个P型沟槽，所述P型沟槽沿衬底的上表面向下延伸，P型沟槽内填充有原位掺杂多晶硅，填充在P型沟槽内的原位掺杂多晶硅的顶面与P型沟槽的上表面齐平，所述SiO2层的中部开设有窗口，所述第一P阱和P型沟槽的上表面均与所述第二金属层相接触，所述衬底为N型硅衬底。该FRD芯片结构的反向峰值电流更小、反向恢复时间更快，同时具有良好的软度特性，并减小了电磁干扰。
一种 frd 芯片

[发明专利]快速恢复二极管及其制造方法-CN202011051596.X在审
发明人：郝瑞红;曹群 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本申请公开了一种快速恢复二极管及其制造方法，其中，快速恢复二极管包括层叠设置的第一金属电极层、第一导电类型阴极层、第一导电类型外延层、第二导电类型阳极层及第二金属电极层，所述第二导电类型阳极层朝向第二金属电极层的一侧，至少部分区域形成有第一导电类型反型区，第一导电类型反型区形成有第二导电类型反型区，第一导电类型反型区的深度大于第二导电类型反型区的深度，第二导电类型反型区与第二金属电极层欧姆接触。该方案，由于第二导电类型反型区与第二金属电极层欧姆接触，保证了该快速恢复二极管的正面欧姆接触性能，从而在不增加正向压降VF的情况下，降低阳极的注入效率，减少关断时间，提高了产品工作频率。
快速恢复二极管及其制造方法

[发明专利]一种快恢复二极管及其制作方法-CN202111654536.1在审
发明人：李磊;许生根 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种快恢复二极管，其中，包括：N型衬底材料层，N型外延层和第一掺杂浓度的P型材料层，第一掺杂浓度的P型材料层的表面包括多个第二掺杂浓度的P型材料区，N型衬底材料层背离N型外延层的表面形成第一金属层，第一掺杂浓度的P型材料层背离N型外延层的表面形成第二金属层，第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度小于第二掺杂浓度的P型材料区的掺杂浓度，且N型外延层靠近第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度大于N型外延层靠近N型衬底材料层的掺杂浓度。本发明还公开了一种快恢复二极管的制作方法。本发明提供的快恢复二极管能够提升可靠性。
一种恢复二极管及其制作方法

[发明专利]基于碳化硅平面型MOS结构的PIN二极管-CN202110025621.5有效
发明人：夏华忠;黄传伟;李健;诸建周;吕文生;谈益民 -专利权人：江苏东海半导体股份有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于碳化硅平面型MOS结构的PIN二极管。其包括半导体衬底，在所述半导体衬底上设置P型阱区、N型阱区以及低掺杂本征半导体区，P型阱区通过低掺杂本征半导体区与N型阱区间隔，低掺杂本征半导体区分别与P型阱区、N型阱区邻接；还包括正极区结构、负极区结构以及分裂栅区结构，正极区结构与与P型阱区适配连接，负极区结构与N型阱区适配，分裂栅区结构位于正极区结构与负极区结构之间；本发明能有效地降低PIN二极管的开关损耗，提高PIN二极管的开关速度，还可以实现碳化硅PIN二极管的自修复，进而提高PIN二极管的电学性能。
基于碳化硅平面 mos 结构 pin 二极管

[发明专利]一种FRD结构及其制作方法和应用-CN202111442017.9在审
发明人：李学会;喻双柏;和巍巍;汪之涵;傅俊寅;魏炜 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本申请提供了一种FRD结构及其制作方法和应用。其中，FRD结构包括衬底、多个P‑阱区、多个P+阱区、多个场氧化层、阳极金属和阴极金属；多个P‑阱区均覆于衬底且相互间隔，多个P+阱区分别覆于多个P‑阱区，P+阱区嵌入相应P‑阱区，P+阱区相对的两侧均超出相应P‑阱区的外缘，多个场氧化层分别与各P‑阱区之间的间隔处对应，场氧化层相对的两侧分别覆于位于相应间隔处的相邻的两个P+阱区分别超出相应P‑阱区的外缘的部分，场氧化层相对的两侧分别与形成相应间隔处的相邻的两个P‑阱区具有间隙，阳极金属覆于多个场氧化层和多个P+阱区，且雪崩电流通过与间隙对应的P+阱区到达阳极金属进行外泄。本申请能够有效地提升FRD结构的雪崩耐量和可靠性。
一种 frd 结构及其制作方法应用

[发明专利]一种超低VF软快恢复二极管-CN202110241329.7有效
发明人：李环伟;田旭;雷正龙;许冬梅;孙亚倩;卢昂 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开一种超低VF软快恢复二极管及其制造方法，该超低VF软快恢复二极管从上到下依次为：第一金属电极、氧化层、肖特基势垒、P+环和P‑阱、N‑高阻层、N+衬底层、第二金属电极，其中，所述肖特基势垒覆盖有源区的非P‑阱区，所述肖特基势垒占有源区面积的4/6‑5/6，所述P‑阱占有源区面积的1/6‑2/6。其通过将SBD二极管与PIN二极管相结合构成一新型的二极管，在PIN二极管的基础上，在有源区额外增加肖特基势垒的小岛，在有源区构成P‑阱区与肖特基势垒交替存在的并联结构，结合了SBD二极管和FRD(Fast Recovery Diode)二极管的优点，正向压降低且软快恢复参数优异。
一种 vf 恢复二极管

[发明专利]一种快速恢复二极管及其制备方法-CN202111547921.6在审
发明人：董少华;刘钺杨;和峰;王耀华;刘江;金锐;姚兆民 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司检修分公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层；位于所述第一导电类型半导体层上的漂移层；位于所述漂移层中的第二导电类型掺杂层；所述快速恢复二极管还包括：第一复合区，所述第一复合区位于第二导电类型掺杂层底部的漂移层中，第一复合区包括若干个横向排布的第一子复合区，相邻的第一子复合区在漂移层中的深度不同；和/或，第二复合区，第二复合区位于所述第二导电类型掺杂层中，第二复合区包括若干个横向排布的第二子复合区，相邻的第二子复合区在第二导电类型掺杂层中的深度不同。本发明提供的一种快速恢复二极管反向恢复峰值电流较低，反向恢复速度较快。
一种快速恢复二极管及其制备方法