|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 198个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [实用新型]一种快速恢复二极管-CN201720212286.9有效
-
尹海军
-
东莞市中之电子科技有限公司
-
2017-03-06
-
2017-09-19
-
H01L29/868
- 本实用新型公开了一种快速恢复二极管，包括检测器、总机，所述检测器外侧设置有壳体，所述壳体上方一侧挂装按钮，所述壳体一端设置有挂装环，所述壳体一侧设置有档位盘，所述档位盘一侧设置有第一显示屏，所述第一显示屏另一端设置有电线输入口，所述壳体下方设置有数据线，所述数据线下端安装有数据接头，所述总机一侧设置有控制面板，所述控制面板上设置有控制按钮，所述控制按钮下方设置有报警指示灯，所述控制面板上方安装有第二显示屏，所述第二显示屏一侧设置有数据线输入口。有益效果在于本实用新型采用分体设计，无需人工操作即可对楼宇内部各入户电线进行故障检测，并及时显示故障分析结果，使用方便。
- 一种快速恢复二极管
- [发明专利]半导体装置-CN201310397395.9有效
-
小仓常雄;末代知子;押野雄一;三须伸一郎;池田佳子;中村和敏
-
株式会社东芝
-
2013-09-04
-
2017-05-24
-
H01L29/868
- 一种半导体装置，具备第一电极；第一导电型的第一半导体层；比第一半导体层的杂质浓度低的第一导电型的第二半导体层；设置在第二半导体层的一部分上的第二导电型的第一半导体区域；与第一半导体区域相接的第二导电型的第二半导体区域；设置在第一半导体区域的至少一部分上的第二导电型的第三半导体区域；以及设置在第一半导体区域、第二半导体区域及第三半导体区域之上的第二电极。第三半导体区域的与第二电极的接触面上的杂质浓度比第一半导体区域的杂质浓度及第二半导体区域的与第二电极的接触面上的杂质浓度高。由第一半导体区域和第一半导体层夹着的第二半导体层的厚度比由第二半导体区域和第一半导体层夹着的第二半导体层的厚度薄。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201510553495.5在审
-
小仓常雄;末代知子
-
株式会社东芝
-
2015-09-02
-
2016-10-05
-
H01L29/868
- 实施方式的半导体装置包括：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体区域，设置于所述第1电极与所述第2电极之间；第2导电型的第2半导体区域，设置于所述第1半导体区域与所述第2电极之间；第2导电型的第3半导体区域，是设置于所述第1半导体区域与所述第2电极之间且在对于从所述第1电极朝向所述第2电极的第1方向交叉的第2方向上设置于所述第2半导体区域的旁边，且所述第1半导体区域的一部分位于第3半导体区域与所述第2半导体区域之间；以及第2导电型的第4半导体区域，设置于所述第1半导体区域的所述一部分与所述第2电极之间，且杂质浓度与所述第2半导体区域的杂质浓度及所述第3半导体区域的杂质浓度不同。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201510556134.6在审
-
福田达夫
-
株式会社东芝
-
2015-09-02
-
2016-10-05
-
H01L29/868
- 实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第1导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、绝缘部、及半导体部。第2半导体区域设置于第1半导体区域的一部分上。第2半导体区域的第2导电型的载子浓度比第1半导体区域的第1导电型的载子浓度低。第3半导体区域设置于第2半导体区域上。绝缘部与第3半导体区域相接。绝缘部设置于第2半导体区域及第1半导体区域的周围。半导体部设置于绝缘部的周围。半导体部不与第1半导体区域相接。
- 半导体装置
|
