本发明涉及一种台面Pi N二极管、制备方法及硅基可重构隐身天线，该制备方法包括：选取GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；形成台面的有源区；利用原位掺杂形成P区和N区；以及在所述衬底上形成GeSn合金引线，以完成所述具有GaAs‑GeSn‑GaAs异质结构的台面P i N二极管的制备。本发明的P i N二极管缩减了电极在二极管中所占的比重，极大的提升了固态等离子体区域对Pi N二极管微波辐射特性的影响，采用原位掺杂能够避免离子注入等方式带来的不利影响，且能够通过控制气体流量来控制材料的掺杂浓度，更有利于获得陡峭的掺杂界面，从而获得更好的器件性能。
本发明涉及一种硅基横向Pi N二极管的制备方法、器件及高集成隐身天线，制备方法包括：选取GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；在衬底顶层GeSn区内设置深槽隔离区；刻蚀GeSn区形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于顶层GeSn区的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内生成多晶GaAs层，采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；在衬底上形成GeSn合金引线，完成具有GaAs‑GeSn‑GaAs异质结构的硅基横向P i N二极管的制备。本发明通过动态控制顶层Ge中Sn的含量及引入GeSn合金引线能制备具有GaAs‑GeSn‑GaAs异质结构的硅基横向Pi N二极管，以便制作高集成隐身天线。
本发明涉及一种Pi N二极管阵列的制备方法、器件及硅基可重构对称偶极子天线，制备方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，在GeO I衬底内掺杂形成顶层GeSn区；在衬底顶层GeSn区内设深槽隔离区；刻蚀GeSn区形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于顶层GeSn区的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；在衬底上形成GeSn合金引线并将二极管进行相互串联，以完成GaP‑GeSn‑GaP异质P i N二极管阵列的制备。本发明通过动态控制顶层Ge中Sn组分的含量以及GeSn合金引线制备P i N二极管阵列。
