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[发明专利]垂直HEMT和生产垂直HEMT的方法-CN202180038445.7在审
发明人：马丁·安德烈亚斯·奥尔松 -专利权人：艾普诺瓦泰克公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供了一种垂直高电子迁移率晶体管HEMT(100)，该垂直HEMT包括：漏极接触件(410)，纳米线层(500)，该纳米线层布置在该漏极接触件(410)上并且包括至少一根垂直纳米线(510)以及支撑材料(520)，该支撑材料横向包围该至少一根垂直纳米线(510)，异质结构(600)，该异质结构布置在该纳米线层上并且包括一起形成异质结的AlGaN层(610)和GaN层(620)，与该异质结构(600)接触的至少一个源极接触件(420a，420b)，以及与该异质结构(600)接触的栅极接触件(430)，该栅极接触件布置在该至少一根垂直纳米线(510)上方，其中，该至少一根垂直纳米线(510)在该漏极接触件与该异质结构之间形成电子传输通道。还提供了一种用于生产垂直HEMT(100)的方法。
垂直 hemt 生产方法

[发明专利]III族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法-CN202110826176.2在审
发明人：孙钱;钟耀宗;陈昕;高宏伟;苏帅;周宇;詹晓宁;刘建勋;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种III族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法。所述III族氮化物增强型HEMT器件包括外延结构以及与外延结构配合的源极、漏极和栅极，所述外延结构包括依次叠设的沟道层、势垒层和p型半导体；所述外延结构还包括叠设在p型半导体上的AlyGa1‑yN层，所述栅极设置在AlyGa1‑yN层上；所述势垒层与p型半导体的接触界面处的Al含量低于所述势垒层中其余区域的Al含量，所述AlyGa1‑yN层所含掺杂元素的浓度低于所述p型半导体所含掺杂元素的浓度；其中，0＜x≦1，0≦y≦1，0≦m≦1。本发明提供的III族氮化物增强型HEMT器件具有更高的栅极工作寿命和更小的栅极动态阈值电压漂移，器件的可靠性可以得到大幅提升。
iii 氮化物增强 hemt 器件及其制作方法

[发明专利]晶体管、功率放大器及电子设备-CN202110831326.9在审
发明人：王东盛;田凯;姜腾;曹梦逸;谢荣华 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种晶体管、功率放大器及电子设备。该晶体管包括AlN势垒层及层叠于AlGaN层上的AlGaN层及SiN层，由于AlGaN层能够与AlN势垒层之间形成AlGaN/AlN复合势垒，SiN层与AlN势垒层之间形成SiN/AlN复合势垒，从而使得本申请的晶体管为增强型晶体管，能够避免晶体管不工作时漏电而产生的安全方面的问题。并且，由于SiN层为绝缘材料，SiN层部分覆盖AlN势垒层，可以起到表面钝化的作用，进一步提供该晶体管能够有更高的安全性能。
晶体管功率放大器电子设备

[发明专利]多沟道叠层的半导体器件及其制备方法-CN202110839377.6在审
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种多沟道叠层半导体器件及其制备方法，自下而上依次包括衬底、k层GaN层和势垒层异质结，k≥2；第一台面通过刻蚀所述k层GaN层和势垒层异质结形成的第一台面；n型重掺杂GaN材料形成在第一台面且包裹k层GaN层和势垒层异质结的侧壁；栅电极，源电极以及漏电极，所述源电极以及漏电极形成在所述n型重掺杂GaN材料上。本发明采用多沟道AlGaN/GaN异质结叠层结构，在欧姆接触区的第一台面上二次外延生长n型重掺杂GaN以降低欧姆接触电阻率和改善表面形貌，多沟道叠层半导体器件下层的异质结2DEG导电沟道距，离器件表面距离较远，二次外延生长n型重掺杂GaN与多层异质结侧壁相连，大大降低了源漏之间的电阻，减小了器件的开态电阻。
沟道半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种高阈值GaN增强型HEMT器件及其制备方法-CN202211261016.9在审
发明人：张涛;苏华科;许晟瑞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种高阈值GaN增强型HEMT器件及其制备方法，其结构自下而上依次包括：衬底层，成核层，GaN缓冲层，AlGaN势垒层，其中，AlGaN势垒层上设置有源极，漏极，以及源极和漏极之间且与源极和漏极有间隔的插入层；插入层的材料为AlN或AlxGa1‑xN，其中，0.5≤x＜1；AlN插入层或AlGaN插入层中的Al组分含量大于AlGaN势垒层中的Al组分含量；插入层上设置有p型GaN层；p型GaN层上设置有栅极。本发明可以提升p‑GaN层的电离效率，实现更高阈值的增强型HEMT器件；此外还可以提升p‑GaN栅结构的栅控能力，提升器件的性能。
一种阈值 gan 增强 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种阈值可调节的GaN器件-CN202211331418.1在审
发明人：陈敬沧 -专利权人：上海百功微电子有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种阈值可调节的GaN器件，涉及GaN器件技术领域，本发明包括输入电源、解码器、电荷泵、电平移位器、氮化镓高电子迁移率晶体管以及输出电源，氮化镓高电子迁移率晶体管的数量有若干个，氮化镓高电子迁移率晶体管，用于接收相应的电平移位器发出的通电压或关电压，并各自独立进行开启/关闭，从而形成各自的导电通路，完成阈值可调节。本发明为一种阈值可调节的GaN器件，通过利用若干个氮化镓高电子迁移率晶体管作为分流电路，每个氮化镓高电子迁移率晶体管根据输入阈值命令在其绝缘栅极收到相应的通电压或关电压，从而开启/关闭其漏极‑源极通道，形成各自的导电通路，完成阈值可调节的创意。
一种阈值调节 gan 器件

[发明专利]低漏电的氮化镓功率器件的结构、制造方法及电子设备-CN202211282438.4在审
发明人：吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种低漏电的氮化镓功率器件的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，包括衬底、第一缓冲层、P型层以及氮化镓晶体管结构；第一缓冲层设置于衬底的上表面；P型层设置于第一缓冲层的上表面；氮化镓晶体管结构设置于P型层的上表面；其中，P型层与电源地连接；氮化镓晶体管结构最下面的结构层的材料为N型GaN，故N型GaN与P型层形成反偏的二极管，从而避免衬底漏电，减小了能耗。
漏电氮化功率器件结构制造方法电子设备

[发明专利]半导体装置、半导体模块和电子设备-CN202180036490.9在审
发明人：竹内克彦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，包含：势垒层，包含第一化合物半导体；沟道层，包含第二化合物半导体并且接合至势垒层的第一表面；绝缘层，设置在势垒层的与第一表面相对的第二表面上，并且具有暴露势垒层的开口；栅极电极，嵌入在开口中；源极电极和漏极电极，设置在夹着栅极电极的两侧的势垒层的第二表面上；以及材料层，包含金属材料或半导体材料并且被设置为与栅极电极和漏极电极之间的势垒层的第二表面接触。
半导体装置模块电子设备

[发明专利]氮化物基半导体器件及其制造方法-CN202211387983.X在审
发明人：马俊辉;杜卫星;杨航;游政昇 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，其特征在于，包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅电极、欧姆电极和单场板。第二氮化物半导体层设置在所述第一氮化物半导体层上，所述第二氮化物半导体层的带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。栅电极设置在所述第二氮化物基半导体层上方。欧姆电极设置所述在第二氮化物基半导体层上方。单场板设置在所述第二氮化物基半导体层上方，且位于所述栅电极和所述欧姆电极之间，其中所述单场板具有至少一对圆角。
氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]增强型AlGaN-GaN垂直超结HEMT及其制备方法-CN202011508741.2有效
发明人：孙慧卿;张淼;夏晓宇;夏凡;马建铖;李渊;谭秀洋;郭志友;丁霄;黄志辉;王鹏霖 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及增强型AlGaN/GaN垂直超结HEMT及其制备方法，包括沿GaN基底表面边缘设置的P型GaN柱，设置于GaN基底表面中间区域的N型GaN梯度柱，其掺杂浓度自远离GaN基底的方向依次递减，设置于所述P型GaN柱表面的P型GaN电流阻挡层，依次设置于所述P型GaN电流阻挡层和所述N型GaN梯度柱表面的N型沟道层和N型势垒层，间隔分布的钝化层和P型GaN帽层，以及截面呈π型的栅极；其有效调解了导通电阻和击穿电压不可兼顾的限制，并提高了饱和电流，以及更有效的高温传导。该制备方法中的工艺步骤使用的均是目前比较成熟的技术，能够减少器件制造工艺过程中的损伤，提高器件的可靠性。
增强 algan gan 垂直 hemt 及其制备方法

[实用新型]插指栅结构的HEMT射频器件-CN202222732703.6有效
发明人：李利哲;李增林;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种插指栅结构的HEMT射频器件。所述插指栅结构的HEMT射频器件包括外延结构以及与外延结构配合的源极、漏极、栅极和场板结构，所述外延结构内形成有载流子沟道，所述外延结构与栅极对应的区域还设置有栅极凹槽，至少所述栅极的部分设置在所述栅极凹槽内，所述场板结构的第一端与源极电连接，第二端沿第一方向跨过栅极并延伸至栅极与漏极之间，所述栅极凹槽包括相互连通的第一凹槽和第二凹槽，所述栅极的部分设置在所述第一凹槽和第二凹槽内。本实用新型提供的插指栅结构的HEMT射频器件，在保持栅极凹槽大小不变的情况下，通过在第一凹槽的底部形成延伸的第二凹槽，通过增大栅极控制的接触面积来提高耐压性能，减少了崩压现象。
插指栅结构 hemt 射频器件

[发明专利]一种混合门极氮化镓功率器件-CN202211362249.8在审
发明人：傅玥;孔令涛 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种混合门极氮化镓功率器件，介质层中设有源极、漏极以及混合门极，混合门极包括P型氮化镓层和两个金属门极层，P型氮化镓层具有背离阻挡层的第一表面和朝向漏极的第二表面，两个门极金属层分别设于P型氮化镓层的第一表面侧和第二表面侧，P型氮化镓层与其第一表面侧的门极金属层组成增强型门极，P型氮化镓层第二表面侧的门极金属层为耗尽型门极。本发明创造性的将传统氮化镓器件里的增强或者耗尽型门极设计合并在一起，取长补短，即实现了传统增强型常关的特性，又利用了传统耗尽型对电场集中不敏感的优势。在不增加生产成本的情况下，巧妙的解决了传统增强型功率器件门极P‑GaN长期可靠性的问题。
一种混合氮化功率器件

[发明专利]基于Fin-MESFET栅结构HEMT及其制作方法-CN202211241573.4在审
发明人：王中健;曹远迎 -专利权人：成都功成半导体有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了基于Fin‑MESFET栅结构HEMT及其制作方法，属于微电子与固体电子学技术领域，包括由下至上生长的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、P‑GaN层和栅电极，沟道层两侧生长有源电极和漏电极；通过p‑GaN层部分刻蚀与栅介质淀积，在由栅电极与P‑GaN层构成的肖特基二极管两端并联一由栅电极电压控制的常开型Fin‑MESFET，Fin‑MESFET一端通过欧姆接触与源电极连接。通过在p‑GaN栅结构中引入Fin‑MESFET，栅电极利用Fin‑MESFET开关调控p‑GaN层的电位进而改变沟道电位，使得器件的阈值电压不单纯依赖外延层结构，改善了传统P‑GaN HEMT阈值电压低的问题。
基于 fin mesfet 结构 hemt 及其制作方法

[发明专利]一种通过渐变栅实现多阈值调制技术的HEMT器件及制备方法-CN202110769588.7有效
发明人：马晓华;刘思佳;宓珉瀚;王鹏飞;张濛;侯斌;杨凌;周雨威 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过渐变栅实现多阈值调制技术的HEMT器件及制备方法，该HEMT器件包括衬底层(1)；插入层(2)，位于所述衬底层(1)上；缓冲层(3)，位于所述插入层(2)上；源电极(4)，位于所述缓冲层(3)的一端；漏电极(5)，位于所述缓冲层(3)的另一端；势垒层(6)，位于所述缓冲层(3)上，且位于所述源电极(4)和所述漏电极(5)之间；钝化层(7)，覆盖在所述源电极(4)、所述漏电极(5)和所述势垒层(6)上；栅电极(8)，位于所述势垒层(6)的表面和所述钝化层(7)的表面，其中，所述栅电极(8)的栅脚(81)贯穿所述钝化层(7)，且所述栅脚(81)采用沿栅宽方向栅长渐变的渐变栅结构。该HEMT器件的线性度得到了改善，实现了高线性HEMT器件，满足了高频、高线性的应用需求。
一种通过渐变实现阈值调制技术 hemt 器件制备方法

[发明专利]一种P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管-CN202211266942.5在审
发明人：刘杰;李孟泽;黄汇钦 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请适用于晶体管技术领域，提供了一种P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管。P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管包括衬底、氮化铝成核层、氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层及钝化层；钝化层中设置有与铝镓氮势垒层相接触的源极、漏极及P型栅结构；其中，P型栅结构包括栅极和N个互不接触的P型氮化镓结构；栅极设置在钝化层中远离铝镓氮势垒层的一侧，N个P型氮化镓结构沿钝化层与铝镓氮势垒层的接触面依次排列，且N个P型氮化镓结构均嵌入在栅极中，不同的P型氮化镓结构的掺杂浓度均不相同。本方案不仅可以提高P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管的阈值电压，而且不会导致P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管的开关速度降低以及开关损耗增大。
一种氮化电子迁移率晶体管