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[发明专利]一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT-CN202110925423.4有效
发明人：孙瑞泽;王茁成;罗攀;王方洲;刘超;陈万军 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT。本发明中漏极区域P型GaN层呈台阶状，沿漏极向源级方向呈台阶式减薄。在台阶式P型GaN漏极结构中，各个P型GaN台阶沿漏极到源级方向呈台阶式依次减薄，在正向导通时，较薄的台阶处正向开启电压较小，使得器件开启电压减小。当器件处于反向阻断状态时，通过台阶式P型GaN漏极结构对沟道电场的调制，优化了反向阻断时漏极区域沟道电场分布，提升了器件逆向阻断电压。本发明的有益成果：对比传统的肖特基势垒漏极逆阻型HEMT器件，器件的逆向阻断电压提升，反向耐压时漏极区域沟道电场分布得到优化。
一种具有台阶 gan 结构逆阻型 hemt

[发明专利]一种具有集成续流二极管的双异质结GaN HEMT器件-CN202110879952.5有效
发明人：罗小蓉;贾艳江;孙涛;张成;邓思宇;魏杰;廖德尊;郗路凡;赵智家 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成续流二极管的双异质结GaN HEMT器件。通过嵌入具有极化结的肖特基势垒二极管(SBD)进行反向续流，与外部反向并联续流二极管的器件相比，该结构在降低器件反向导通压降和寄生效应的同时，显著减小了整个器件的面积；在正向阻断状态，AlGaN/GaN HEMT两个异质界面处留下带有正/负电性的固定极化电荷削弱电场尖峰，改善电场集中效应，调制器件漂移区电场，实现漂移区电场近似矩形的分布，提高器件击穿电压；在器件导通状态，利用二维电子气(2DEG)传输电流，降低导通电阻。
一种具有集成二极管双异质结 gan hemt 器件

[发明专利]一种具有高可靠性的氮化镓功率器件及其制备方法-CN202010123740.X有效
发明人：王书昶;冯源;穆久涛;张哲;张惠国 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高可靠性的氮化镓功率器件，由下而上依次设置有：衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极场板、漏极场板、保护层、栅极插入层、p型GaN栅极、栅极金属、源极金属、漏极金属，位于漏极金属和栅极金属之间的钝化层呈间隔排列的条状，栅极场板和漏极场板分别覆盖部分钝化层且两者表面及两者之间由保护层覆盖。本发明使电场分布更加均匀，器件耐压能力增强，有效提高器件的栅极开启电压及栅极电压的稳定性，有效降低器件在大电流作用下的漏电。本发明制备方法与传统工艺完全兼容，制备难度低。
一种具有可靠性氮化功率器件及其制备方法

[发明专利]一种集成续流二极管的GaN HEMT器件-CN202111000737.X有效
发明人：罗小蓉;廖德尊;张成;邓思宇;魏杰;贾艳江;孙涛;郗路凡 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成续流二极管的GaN HMET器件。本发明主要特征在于：器件正向导通时，肖特基二极管处于关断状态，一方面利用肖特基金属与半导体之间的功函数差，耗尽阳极区域的二维电子气，另一方面利用阳极区域部分保留的介质层，降低肖特基二极管关断时的泄漏电流；器件反向续流时，肖特基阳极侧壁与二维电子气(2DEG)直接接触，有利于降低反向传导损耗；绝缘栅极结构允许器件在具有较厚势垒层的情况下，实现增强型HEMT，有利于降低正向导通电阻以及增强器件的栅控能力；集成的肖特基二极管与GaN HEMT在漏极一侧共享漂移区，相较于并联二极管实现续流，有利于减小器件面积和寄生参数以及降低正向传导与反向传导时的导通电阻。
一种集成二极管 gan hemt 器件

[发明专利]一种集成肖特基管的GaN功率器件-CN202110907784.6有效
发明人：罗小蓉;贾艳江;张成;邓思宇;孙涛;杨可萌;魏杰;廖德尊;郗路凡;赵智家 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成肖特基管的GaN功率器件。在正向导通时，集成肖特基管处于关断状态；在反向续流时，集成肖特基管导通，具有低的导通压降及快的反向恢复特性，同时减少了器件面积；P型GaN栅极耗尽栅下二维电子气，结合具有孔隙的P型高掺杂GaN阻挡层，实现增强型垂直器件；P型高掺杂GaN阻挡层调制电场分布，实现高耐压；三栅结构可以提供更强的栅控能力，提高器件开关速度。
一种集成肖特基管 gan 功率器件

[发明专利]一种具有横向耗尽区的高电子迁移率晶体管-CN202010577585.9有效
发明人：张雄;田勇;胡国华;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有横向耗尽区的高电子迁移率晶体管，芯片层结构包括由下至上依次设置的衬底、GaN缓冲层、第一电流阻挡层、N‑GaN横向耗尽区、第二电流阻挡层、GaN沟道层，AlxGa1‑xN势垒层，以及设置在所述N‑GaN横向耗尽区右侧和所述GaN沟道层右侧的绝缘层，其中0x0.5，在所述AlxGa1‑xN势垒层两端分别设置源极和栅极，所述栅极靠近所述绝缘层一端，在所述N‑GaN横向耗尽区上表面设置漏极，所述漏极靠近所述源极一端。本发明的高电子迁移率晶体管，利用N‑GaN作为横向耗尽区，获得具有高耐压性能、高响应特性、不漏电的器件。
一种具有横向耗尽电子迁移率晶体管

[发明专利]一种双异质结GaN RC-HEMT器件-CN202210377549.7有效
发明人：魏杰;贾艳江;孙涛;郗路凡;邓思宇;赵智家;张成;廖德尊;罗小蓉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种双异质结GaN RC‑HEMT器件。本发明的主要特征在于：在HEMT栅极结构和漏极之间的势垒层(4)表面有顶部GaN层(9)，GaN沟道层(3)、势垒层(4)和顶部GaN层(9)形成双异质结，且在所述栅极结构与顶部GaN层(9)之间的势垒层(4)之上集成了肖特基续流二极管结构，用于HEMT器件反向续流。RC‑HEMT反向续流时，集成肖特基二极管借助2DEG形成电流路径，续流压降低；RC‑HEMT正向导通时，集成肖特基势垒二极管(SBD)处于关断状态，利用二维电子气(2DEG)传输电流，具有较低的导通电阻；RC‑HEMT正向阻断时，GaN沟道层(3)/势垒层(4)和势垒层(4)/顶部GaN层(9)形成极化结改善电场集中效应，调制器件漂移区电场，提高器件击穿电压。
一种双异质结 gan rc hemt 器件

[发明专利]场效晶体管-CN202111215444.3在审
发明人：吴华特 -专利权人：吴华特
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种场效晶体管，包含:第一半导体结构具有一通道层；第二半导体结构设在第一半导体结构上，且第二半导体结构由下而上依序堆叠一肖特基层、一第一蚀刻停止层、一宽凹层、一欧姆接触层所构成，且在宽凹层开设一窄凹槽与在欧姆接触层开设一宽凹槽，而宽凹槽位于窄凹槽的上方，使宽凹层的上表面形成一宽凹区域与肖特基层的上表面形成一窄凹区域；至少一δ掺杂层插入至第二半导体结构内的预定处；闸极金属触点形成在宽凹槽内与窄凹槽底面至窄凹区域内的预定处；源极金属触点设在欧姆接触层上，且源极金属触点位于闸极金属触点的一侧；以及汲极金属触点设在欧姆接触层上，且汲极金属触点位于闸极金属触点的另一侧。
晶体管

[发明专利]一种低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202211455577.2在审
发明人：张进成;杜航海;刘志宏;郝璐;高广杰;邢伟川;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管，包括：源极、漏极、栅极和由下至上依次设置的衬底、缓冲层、沟道层、氮化铝势垒层和氮化硅帽层；栅极设置在氮化硅帽层上；源极和漏极均穿过氮化硅帽层延伸至氮化铝势垒层和氮化硅帽层的界面；或者源极和漏极一部分穿过氮化硅帽层延伸至氮化铝势垒层和氮化硅帽层的界面，另一部分穿过氮化硅帽层延伸至氮化铝势垒层内；源极和漏极的材料中含有金属硅化物。本发明还提供一种低欧姆接触GaN基异质结晶体管的制备方法。本发明能够降低基于氮化铝势垒层的射频器件的欧姆接触势垒，有效减小源极和漏极与二维电子气沟道之间的欧姆接触电阻，降低工艺复杂度的同时提高了器件的射频性能。
一种欧姆接触 gan 电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]具有复合缓冲层的氮化物半导体器件及其制备方法-CN202211733832.5在审
发明人：李翠玲;蒋媛媛;梅劲 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供了一种具有复合缓冲层的氮化物半导体器件及其制备方法，属于半导体器件领域。该氮化物半导体器件包括：衬底，以及在衬底的一面依次生长的复合缓冲层和氮化物半导体层；复合缓冲层包括依次生长的成核层、缓冲层和应力调节层。本公开能够有效的减少晶格失配的问题。
具有复合缓冲氮化物半导体器件及其制备方法

[发明专利]氮基半导体器件及其制造方法-CN202180003758.9有效
发明人：孟流畅;陈泓宇;樊开明 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、两个或更多个源极/漏极(S/D)电极、栅极电极、掺杂的III‑V族半导体层、栅极保护层和第一钝化层。掺杂的III‑V族半导体层设置在第二氮基半导体层和栅极电极之间。栅极保护层覆盖栅极电极和掺杂的III‑V族半导体层，并且与S/D电极分离。第一钝化层覆盖第二氮基半导体层和栅极保护层，并且紧靠S/D电极的侧壁，其中S/D电极的侧壁通过第一钝化层与栅极保护层分离。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有非对称栅极结构的半导体器件-CN202010564674.X有效
发明人：廖航;赵起越;李长安;王超;周春华;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明是关于一种具有非对称栅极结构的半导体器件，其包含：衬底；沟道层，位于所述衬底上方；势垒层，位于所述沟道层上方，所述势垒层和所述沟道层经配置以形成二维电子气体，所述二维电子气体沿着所述沟道层与所述势垒层之间的界面形成在所述沟道层中；及源极接触及漏极接触，位于所述势垒层上方；经掺杂III‑V族层，位于所述势垒层上方及所述漏极接触和所述源极接触之间；及栅电极，位于所述经掺杂III‑V族层上方且经组态与所述经掺杂III‑V族层形成肖特基接面，其中所述经掺杂III‑V族层及/或栅电极具有非中心对称的几何结构，从而使该器件于应用上达成控制栅极漏电流分布态样的效果。
具有对称栅极结构半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910363371.9有效
发明人：黃敬源 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本揭露提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包含衬底、经掺杂III‑V族层、导体结构、及金属层。所述经掺杂III‑V族层设置于所述衬底上。所述导体结构设置于所述经掺杂III‑V族层上。所述金属层设置于所述导体结构及所述经掺杂III‑V族层之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法-CN202080003857.2有效
发明人：张玉龙;欧阳爵;黄巍;游政昇 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括半导体衬底、第一及第二氮化物半导体层、源极/漏极电极、栅极电极以及第一钝化层。第一氮化物半导体层配置在半导体衬底的上方。第二氮化物半导体层配置在第一氮化物半导体层上，且第二氮化物半导体层的能带隙大于第一氮化物半导体层的能带隙，以形成二维电子气区域。源极/漏极配置在第二氮化物半导体层的上方。栅极电极配置在源极/漏极电极之间。第一钝化层配置在第二氮化物半导体层的上方。第一、第二氮化物半导体层以及第一钝化层的边缘共同在半导体衬底上方形成阶梯状侧壁。阶梯状侧壁包括至少一横向延伸部以及连接横向延伸部的至少两个上升部。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180005980.2有效
发明人：周以伦;李启珍;邱汉钦;潘秀华 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括衬底、成核层、缓冲层、第一和第二氮化物基半导体层、一对S/D电极和栅电极。成核层设置在基板上。缓冲层包括含有第一元素的III‑V化合物。缓冲层设置在成核层上。缓冲层具有可变浓度的第一元素，其作为缓冲层厚度内的距离的函数递增然后递减。第一氮化物基半导体层设置在缓冲层上。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上并且具有大于第一氮化物基半导体层的带隙的带隙。S/D电极和栅电极设置在第二氮化物基半导体层上方。
半导体器件及其制造方法