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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构的制作方法-CN202080106627.9在审
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体结构的制作方法，包括：提供自下而上分布的衬底(10)、异质结结构(11)以及P型半导体层(12)；在P型半导体层(12)上形成图形化掩膜层(13)，图形化掩膜层(13)至少覆盖栅极区域(11a)的P型半导体层(12)；以图形化掩膜层(13)为掩膜，使用腐蚀性气体原位刻蚀去除暴露的P型半导体层(12)；之后激活P型半导体层(12)中的P型掺杂离子。在对异质结结构(11)上的P型半导体层(12)进行图形化时，利用某些材料的P型半导体层(12)可与针对性的腐蚀性气体发生反应，完成刻蚀去除，从而刻蚀P型半导体层(12)可通过在前一步骤的工艺腔室内通入腐蚀性气体原位实现。可避免刻蚀腔室的转移工序，避免了污染风险，也提高了生产效率。
半导体结构制作方法

[发明专利]一种衬底及功率放大器件-CN202080103586.8在审
发明人：胡彬;段焕涛 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请的实施例提供一种衬底及功率放大器件，涉及半导体技术领域，实现了一种新型的复合衬底，降低了晶体管对碳化硅半导体衬底的依赖，有效控制了成本。该衬底用于晶体管，其中晶体管的外延结构生成于衬底上，衬底包括：基底以及形成于基底上的第一外延层，第一外延层为半导体；其中，基底以及第一外延层包括SiC材料；第一外延层采用过渡金属掺杂。
一种衬底功率放大器

[发明专利]以面对面布置组合的化合物半导体器件-CN202180062793.8在审
发明人： J·G·费奥雷恩扎;D·皮埃德拉 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：在一个或多个实施方式中，半导体器件可以包括到以面对面布置耦合而耦合第二化合物半导体器件的第一化合物半导体器件。第一化合物半导体器件可以耦合到第二化合物半导体器件，使得形成包括第一化合物半导体器件的第一栅极电接触和第二化合物半导器件的第二栅极电接触的空腔。间隙可以存在于第一栅极电接触和第二栅极电接触之间。
面对面布置组合化合物半导体器件

[发明专利]电子装置-CN202111365337.9有效
发明人：张安邦 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：电子装置包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极、表面状态补偿层以及介电层。第二氮化物半导体层安置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙比第一氮化物半导体层的带隙更大。源极电极、漏极电极以及栅极电极安置在所述第二氮化物半导体层上。表面状态补偿层直接安置在所述第二氮化物半导体层上。介电层安置在表面状态补偿层上，并与表面状态补偿层接触，其中介电层与表面状态补偿层相比，介电层具有较低的介电常数。
电子装置

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202310247283.9在审
发明人：许亚红;王晶晶;练婷婷;邹冠;赵卫 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，其结构包括氮化物外延层，氮化物外延层上设有源极、漏极和栅极；氮化物外延层包括沟道层和势垒层形成的异质结，沟道层具有图形化表面，图形化表面具有阵列式排布的若干凸起单元，势垒层覆盖于图形化表面上；沟道层通过凸起单元与势垒层之间形成互相咬合的三维相接界面，当器件工作时，沟道层与势垒层形成的互锁结构在外场作用下不易发生形变，通过阻碍沟道层与势垒层的晶格变形，保持异质结的动态电阻不变，抑制了表现为动态电阻变大的电流崩塌效应；且使得异质结形成的二维电子气转化为三维分布，提升载流子浓度。
一种电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]具有对准的场板的晶体管和其制造方法-CN202211481649.0在审
发明人： D·G·希尔 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及具有对准的场板的晶体管和其制造方法。一种晶体管装置包括半导体衬底和在所述衬底的上表面处的栅极结构。所述栅极结构是非平面的，并且包括具有第一侧壁和第二侧壁的金属栅极电极。第一介电层存在于所述栅极结构上方。所述第一介电层包括位于所述第一侧壁之上的第一部分和位于所述第二侧壁之上的第二部分。所述第一介电层上方的导电层的一部分形成场板，所述场板具有接近所述栅极结构的所述第二侧壁的第一部分。所述场板的所述第一部分上的介电侧壁间隔件由第二介电层的一部分形成，并且所述介电侧壁间隔件不接触所述第一介电层。
具有对准晶体管制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910998501.6有效
发明人：陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一基板与一缓冲层，缓冲层设置于基板之上。半导体装置也包括一沟道层，沟道层设置于缓冲层之上。半导体装置更包括一阻挡层，阻挡层设置于沟道层之上。半导体装置包括一源极、一漏极与一栅极，源极、漏极与栅极设置于阻挡层之上，且源极与漏极分别位于栅极的两侧。半导体装置也包括一第一掺杂区，第一掺杂区自阻挡层的顶表面向下延伸并位于源极与漏极的外侧。半导体装置更包括一第二掺杂区，第二掺杂区自阻挡层的顶表面向下延伸并位于栅极的下方。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]场效型电晶体装置-CN202211635228.9在审
发明人：高谷信一郎;白田理一郎 -专利权人：高谷信一郎;白田理一郎
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种阈值电压的变动较少或动作所需的电极数较少的常断开场效型电晶体装置。本发明的场效型电晶体装置具有：闸极电极构造，其包含于半导体上依序积层的第一绝缘膜、电荷储存用闸极电极、第二绝缘膜、闸极电极；及第一电容，其是借助电荷储存用闸极电极与源极电极之间的电容耦合而形成；且借助流经上述第一电容的第一电流而于电荷储存用闸极电极中储存电荷；于源极电极与电荷储存用闸极电极之间具有包含第三绝缘膜与第一半导体层的积层膜；上述第一电流的至少一部分穿过上述积层膜而流动。
场效型电晶体装置

[发明专利]半导体器件的外延结构及其制备方法及半导体器件-CN202111596053.0在审
发明人：张晖;杜小青 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件的外延结构及其制备方法及半导体器件，该外延结构包括：衬底、成核层和缓冲层；成核层设置于所述衬底上；缓冲层设置于成核层上；衬底对应的电阻率和缓冲层对应的掺杂浓度满足预设的电阻率与掺杂浓度的对应关系。该半导体器件的外延结构可以通过优化衬底电阻率与外延层掺杂浓度间的匹配关系，实现高阻缓冲层的作用，同时因为控制了掺杂浓度，从而保证了晶体质量，进而可以使器件获得更好的可靠性。
半导体器件外延结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件-CN202111598873.3在审
发明人：张晖;孔苏苏 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，外延结构包括衬底、成核层和缓冲层；成核层位于衬底的一侧；成核层包括多个岛状的成核单元，各成核单元靠近衬底一侧的表面相互连通，各成核单元远离衬底一侧的表面彼此分离；缓冲层位于成核层远离衬底的一侧；缓冲层包括3D缓冲层，3D缓冲层形成于成核层远离衬底一侧的表面。本发明实施例的技术方案可以提高外延结构的品质，进而保证半导体器件的品质。
一种半导体器件外延结构及其制备方法

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN202111683255.9在审
发明人：焦佑麒;黄永立;朱俊宜;周圣伟;张宏铭 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制作方法，半导体装置包含通道层、主动层、半导体层、栅极电极以及漏极以及源极。主动层位于通道层上。半导体层位于主动层上，半导体层包含P型掺质。栅极电极位于半导体层上，栅极电极包含第一金属电极，且第一金属电极的材料包含镍，其中该一金属电极接触该半导体层的第一部分，第一金属电极不接触该半导体层的第二部分，且该导体层的第一部分的空穴浓度高于半导体层的第二部分的空穴浓度。漏极以及源极分别连接通道层的两侧。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]具有绝缘区的半导体装置及其制造方法-CN202211471788.5在审
发明人： B·M·格林;I·卡里尔;B·格罗特 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及具有绝缘区的半导体装置及其制造方法。一种半导体装置的实施例包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底上的第一介电层、第一载流电极和第二载流电极。控制电极形成于所述半导体衬底上并且设置在所述第一载流电极与所述第二载流电极之间。导电元件形成于所述第一介电层上，邻近所述控制电极并且在所述控制电极与所述第二载流电极之间，所述导电元件包括形成为距所述半导体衬底的所述上表面第一距离的第一区和形成为距所述半导体衬底的所述上表面第二距离的第二区。绝缘区形成于所述控制电极与所述导电元件之间。
具有绝缘半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有含多个区的栅极电极的半导体装置及其制造方法-CN202211481263.X在审
发明人： B·格罗特;H·卡比尔;B·M·格林;I·卡里尔 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及具有含多个区的栅极电极的半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括半导体衬底、设置在所述半导体衬底的上表面上的第一介电层、设置在所述第一介电层上的第二介电层、设置在所述第二介电层上的第三介电层、形成于所述第一介电层中的下部开口、形成于所述第二介电层和所述第三介电层中的上部开口，以及控制电极，其中所述上部开口的至少一部分与所述下部开口的一部分重叠，所述控制电极形成于所述下部开口的至少一部分内和所述上部开口的一部分内，其中所述控制电极的一部分形成于所述第三介电层上。
具有含多个区栅极电极半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种半导体功率器件及其制备方法-CN202310206900.0有效
发明人：吴毅锋;曾凡明 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件及其制备方法。半导体功率器件包括由下而上依次叠设的背电极、衬底层、绝缘缓冲层、沟道层、势垒层、介质层和钝化层，将传统的单一导电衬底层替代为包含导电衬底区和绝缘衬底区的组合衬底层，将绝缘缓冲层划为三个区域：位于导电衬底区上方的控制区、在漏极正下方和绝缘衬底区上方的高压绝缘区，以及控制区与高压绝缘区之间的电子漂移区。本发明提供的半导体功率器件制备方法用于制备本发明提供的半导体功率器件。本发明提供的半导体功率器件及其制备方法具有改善半导体功率器件的动态电阻特性、提高耐压能力、提高应用耐压和减少寄生电容的技术效果。
一种半导体功率器件及其制备方法

[实用新型]一种GaN HEMT器件-CN202321187611.2有效
发明人：王晶晶;刘胜厚;孙希国 -专利权人：泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件的技术领域，公开了一种GaN HEMT器件，其HEMT外延层设于衬底上，包括氮化物异质结；源极、漏极和栅极设于HEMT外延层上，其中栅极位于源极和漏极之间；复合钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第一钝化层设于栅极和源极以及栅极和漏极之间的HEMT外延层表面上，第二钝化层覆盖源极、漏极、栅极和第一钝化层；第一钝化层为Q‑碳层或金刚石层。通过复合钝化层的设置，使器件工作产生的热量沿横向迅速传导至电极金属并通过电极金属向外部扩散，提高器件散热性能，同时降低了寄生电容，提升了器件的抗击穿性能。
一种 gan hemt 器件

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