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[发明专利]一种使用侧栅结构的N面HEMT高频器件及其制备方法-CN202310166778.9在审
发明人：马晓华;祝杰杰;周钰晰;秦灵洁;张博文 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用侧栅结构的N面HEMT高频器件及其制备方法，该器件包括外延基片、n+GaN外延层、源极、漏极、金属互联层、栅极、栅桥和栅介质层，外延基片自下而上包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN帽层和GaN帽层，n+GaN外延层包括分布在外延基片内部两侧的第一n+GaN外延层和第二n+GaN外延层，源极和漏极分别位于第一n+GaN外延层和第二n+GaN外延层的上表面，栅极中的多个侧栅间隔设置在第一n+GaN外延层和第二n+GaN外延层之间靠近中心的位置，栅桥在栅极的上表面，金属互联层位于源极、漏极和栅极的上表面，栅介质层覆盖在金属互联层外围下方的器件的上表面。本发明能够改善N面HEMT器件中射频耗散严重的问题以及降低了寄生通道对沟道层通道开关的影响。
一种使用结构 hemt 高频器件及其制备方法

[发明专利]一种p型氮化镓晶体管及其制备方法-CN202310254665.4在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：上海大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种p型氮化镓晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域；在AlGaN帽层的顶面的一个端部向下刻蚀至势垒层的底面形成第一部分凹槽后，向下刻蚀至晶体衬底的内部形成第二部分凹槽沉积生长衬极电极；其中，势垒层为AlN或AlGaN势垒层；在刻蚀后的AlGaN帽层的顶面向下刻蚀至p型GaN沟道层的顶面，并沉积生长的源极电极与漏极电极；p型GaN沟道层的底面的间隔区域产生二维空穴气；在AlGaN帽层上沉积生长栅极电极；本发明能够改善电压稳定性，并提供多阈值电压，以适用不同应用场景。
一种氮化晶体管及其制备方法

[发明专利]基于GaN衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法-CN202310211021.7在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王强;黄海;黄自强;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于GaN衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法，该器件结构包括：衬底结构，所述衬底结构包括第一衬底以及沿远离所述第一衬底的方向上依次形成于所述第一衬底上的缓冲层、GaN层；肖特基势垒二极管，所述肖特基势垒二极管包括形成于所述GaN层内的p+掺杂区和形成于所述p+掺杂区内的n+掺杂区，所述p+掺杂区与所述n+掺杂区接触形成PN结以构成所述肖特基势垒二极管；隔离层，形成于所述GaN层上，且覆盖所述p+掺杂区与所述n+掺杂区；pGaN增强型HEMT器件，形成于部分所述隔离层上；其中，所述p+掺杂区及所述n+掺杂区分别与阳极及阴极电性连接，且所述阳极与所述pGaN增强型HEMT器件的源极电性连接；所述阴极与所述pGaN增强型HEMT器件的漏极电性连接。
基于 gan 衬底 pgan 增强 hemt 器件结构及其制备方法

[发明专利]增强型氮化镓功率器件及其制备方法以及电子设备-CN202310219230.6在审
发明人：张鹏浩;王路宇;徐敏;潘茂林;王强;黄海;黄自强;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强型氮化镓功率器件，在p‑GaN层与栅极金属层之间设置栅介质层。由于栅介质层和p‑GaN层所具有的导带差可以提升AlGaN/GaN异质结处的势陷位置，使其进一步远离费米能级，从而可有效提高阈值电压，同时栅介质的引入可改善增强型氮化镓功率器件的栅漏电，解决现有的增强型氮化镓功率器件的栅压摆幅较小的问题。
增强氮化功率器件及其制备方法以及电子设备

[发明专利]一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT及制作方法-CN202310211027.4在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王强;黄自强;谢欣灵;黄海;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT结构，包括：阳极、阴极及依次堆叠的衬底、缓冲层、PN结、分隔层、凹栅增强型GaN HEMT器件；其中：PN结包括P型掺杂区以及N型掺杂区，且P型掺杂区包裹N型掺杂区；凹栅增强型GaN HEMT器件包括在分隔层上依次形成的第一成核层、沟道层以及势垒层；势垒层上开设有第一凹槽，第一凹槽贯穿势垒层，第一凹槽内填充有栅介质层以及栅极金属以形成栅极；且栅极两侧的势垒层上分别形成有源极和漏极；其中；阳极与P型掺杂区电性连接，且阳极电性连接至源极；阴极与N型掺杂区电性连接，且阴极电性连接至漏极；其中，N型掺杂区覆盖漏极下方的区域，且延伸至栅极下方的区域；通过PN结可抑制器件的反向导通电流。
一种向导通电增强 gan hemt 制作方法

[发明专利]具有防破坏性击穿功能的GaN HEMT器件结构及制作方法-CN202310211079.1在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;王强;潘茂林;黄自强;谢欣灵;黄海;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本法发明提供了一种具有防破坏性击穿功能的GaNHEMT器件结构，包括：衬底，且所述衬底上沿远离衬底的方向上依次形成有第一成核层、GaN缓冲层；pN二极管，所述pN二极管包括分别形成于所述GaN缓冲层表层第一区域与第二区域的p+掺杂区与N+掺杂区，以及分别形成于所述p+掺杂区与N+掺杂区上的阳极与阴极；其中，所述第一区域与第二区域为沿所述GaN缓冲层表面相对的两侧区域；GaNHEMT器件，形成于所述GaN缓冲层上；其中，所述pN二极管的击穿电压低于所述GaNHEMT器件的击穿电压。解决了当在GaNHEMT器件的源极与漏极之间施加大电压或者持续高压应力时，GaNHEMT器件会发生破坏性击穿的问题，从而实现了提高GaNHEMT器件可靠性的效果。
具有破坏性击穿功能 gan hemt 器件结构制作方法

[发明专利]一种共源共栅型HEMT功率器件及其制备方法、芯片-CN202310165071.6在审
发明人：刘浩文;黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请公开了一种共源共栅型HEMT功率器件及其制备方法、芯片，通过在半导体衬底上形成层叠设置的缓冲层、漂移层以及势垒层，并由与缓冲层接触的第一电子气隔离结构和第二电子气隔离结构将势垒层和漂移层隔离成多个功能区，在其中一个功能区内形成第一源极金属层、第一漏极金属层、第一栅极金属层、栅极介质层，在另外一个功能区内形成第二漏极金属层、第二源极金属层、第二肖特基金属层、盖帽层，在第三个功能区内形成阴极金属层和第一肖特基金属层，通过选择性连接各个金属层形成一个集成型的共源共栅型HEMT功率器件，可以有效减少寄生电容和寄生电感，提升器件的开关频率，大大扩展了HEMT功率器件的应用场景。
一种共源共栅型 hemt 功率器件及其制备方法芯片

[发明专利]GaN HEMT器件、半导体器件、电子设备以及制备方法-CN202310211066.4在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王强;谢欣灵;黄海;黄自强;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaNHEMT器件，包括：GaNHEMT结构；其中，所述GaNHEMT结构的表层包括：第一区域、第二区域以及第三区域；所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域沿水平方向依次排列；p‑GaN材料层，包括：第一p‑GaN层与第二p‑GaN层；所述第一p‑GaN层形成于所述第二区域；所述第二p‑GaN层分布于所述第一区域与所述第三区域；其中，所述p‑GaN材料层中掺杂有镁离子，且仅所述第一p‑GaN层中的镁离子经激光选区退火的方式进行激活。本发明提供的技术方案解，决了刻蚀损伤的问题，避免了刻蚀对漂移区带来的损伤，同时也避免了导致器件退化。
gan hemt 器件半导体器件电子设备以及制备方法

[发明专利]一种HEMT射频器件及其制作方法-CN202310295457.9在审
发明人：王晶晶;钟杰斌 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种HEMT射频器件及制作方法，其由下至上包括衬底、磁致伸缩层和HEMT外延材料层，以及设于HEMT外延材料层上的源极、漏极和栅极，HEMT外延材料层包括氮化物异质结；磁致伸缩层包括若干凸起单元，磁致伸缩层通过凸起单元与HEMT外延材料层形成咬合的结构；磁致伸缩层由磁致伸缩介电材料形成，其凸起单元通过在射频信号输入引入的交变磁场作用下发生形变以应力作用于HEMT外延材料层，阻碍了沟道层/势垒层的晶格变形，保持氮化物异质结的动态电阻不变，通过应力调控，有效抑制了电流崩塌效应，提升了器件的性能和稳定性。
一种 hemt 射频器件及其制作方法

[发明专利]极化调控的超低亚阈值斜率增强型铁电栅GaN基HEMT器件及其制备方法-CN202310312054.0在审
发明人：陈敦军;朱子孟;潘丹峰;郭慧 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种极化调控的超低亚阈值斜率增强型铁电栅GaN基HEMT器件及其制备方法。该器件利用刻槽+沉积铁电薄膜的方法获得多片鳍形铁电栅。利用铁电极化耗尽沟道二维电子气，实现增强型器件。此外，由于铁电薄膜的负电容效应，器件有超低的亚阈值斜率。鳍形铁电栅可以增大阈值电压的调控范围、减小栅极漏电流、降低亚阈值斜率，最终实现高阈值电压、高开关速度和低功耗的器件。最后，多沟道可以保证大的输出电流。
极化调控超低亚阈值斜率增强型铁电栅 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202111569929.2在审
发明人：黎子兰;张树昕;陈昭铭 -专利权人：广东致能科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法。高电子迁移率晶体管包括具有特殊设计的栅极结构。栅极结构包括层叠设置的高阻氮化物外延层和p‑帽层以及设置于第一势垒层远离沟道层的表面的第一栅绝缘层。p‑帽层在层叠结构层叠方向的投影长度大于高阻氮化物外延层在层叠结构的投影长度。第一栅绝缘层的厚度小于高阻氮化物外延层的厚度。高阻氮化物外延层的设置可以提高p‑帽层的结晶质量。高阻氮化物外延层的设置可以防止Mg扩散而使沟道退化。高阻氮化物外延层的设置可以有效地减小栅电极的泄漏电流。本申请通过设置特殊的栅极结构减少了栅极漏电，使得器件具有较大的栅极电压工作范围，大大地提高了器件的可靠性。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111574487.0在审
发明人：裴晓延 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底；位于衬底一侧的多层外延层；多层外延层包括远离衬底一侧的势垒层；位于势垒层远离衬底一侧的隔离层、源极、栅极和漏极，栅极位于源极和漏极之间；栅极包括靠近衬底一侧的栅极底面，栅极底面包括第一底面分部和第二底面分部；其中，隔离层位于第二底面分部和漏极之间，隔离层与栅极接触，且隔离层与多层外延层接触。本发明实施例提供的半导体器件，可改善栅极靠近漏极一侧的高电场分布，改善高温高压下器件的可靠性。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓晶体管及其制备方法和功率因数校正电路-CN202310418783.4在审
发明人：郭芬;索曌君 -专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓晶体管及其制备方法和功率因数校正电路，氮化镓晶体管包括：衬底；设置在衬底上的缓冲层；生长在缓冲层上的ScyAlzGa1‑y‑zN背势垒层，其中0.01≤y≤0.25，0≤z≤0.8；生长在ScyAlzGa1‑y‑zN背势垒层上的沟道层；生长在沟道层上的第一氮化铝插入层；生长在第一氮化铝插入层上的铝镓氮势垒层；以及设置在铝镓氮势垒层上的盖帽层。本发明通过在同质外延氮化镓晶体管中引入ScyAlzGa1‑y‑zN(0.01≤y≤0.25，0≤z≤0.8)背势垒层，增强了二维电子气的限域特性，提高了二维电子气浓度，抑制了沟道中的二维电子气向缓冲层的溢出；并且ScyAlzGa1‑y‑zN背势垒层的导带底和费米能级之间具有较大的能量间距，抑制了背景掺杂或可能的深能级的杂质的电离作用，提高了高温下的霍尔迁移率。
一种氮化晶体管及其制备方法功率因数校正电路

[发明专利]一种设置组合钝化介质的氮化物HEMT器件及制备方法-CN202011328758.X有效
发明人：蔡文必;徐宁;刘成;林育赐;赵杰;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种设置组合钝化介质的氮化物HEMT器件及制备方法，通过不同应力的组合钝化介质，在栅极区域采用压应力介质，抵消势垒层的张应力，从而减小压电极化，异质结界面极化电荷密度减少，减小2DEG浓度，提高器件阈值；在漏极区域采用张应力介质，使得势垒层压电极化增强，异质结界面极化电荷密度增加，从而增加2DEG浓度，减小器件的导通电阻。同时，栅极区域2DEG浓度小，耗尽区展宽大，可以有效减小栅极区域的峰值电场，抑制电流崩塌效应。制备压应力介质层或张应力介质层时，先沉积整面的张应力介质层或压应力介质层，再通过高温退火使张应力介质层或压应力介质层转换为压应力介质层或张应力介质层，克服常规工序繁琐、工艺窗口小等缺陷。
一种设置组合钝化介质氮化物 hemt 器件制备方法

[实用新型]一种氮化镓基高电子迁移率晶体管-CN202321185781.7有效
发明人：谷鹏;刘胜厚 -专利权人：泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件的技术领域，公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，其具有设于HEMT外延层上的复合介质层；复合介质层中，第一介质层具有第一开口，第二介质层对应第一开口具有第二开口，且第二开口的侧壁覆盖第一开口的侧壁，第三介质层对应第二开口的上方设有第三开口，第三开口的宽度大于第二开口，组合形成裸露HEMT外延层表面的复合栅槽，且第二介质层和第三介质层的介电常数小于第一介质层的介电常数。采用不同介电常数的多层复合结构，在不影响钝化效果的前提下，显著降低栅极的寄生电容，缓解栅下强电场，减小电流崩塌，从而提升氮化镓基HEMT性能。
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管