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[实用新型]一种半导体引线框架-CN202222220200.0有效
发明人：孙彬;孙静;葛丰;吴令钱;李碧;李文学;程洪新 -专利权人：青岛泰睿思微电子有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体引线框架，包括框架主体，所述框架主体中间区域设置有基岛，所述基岛通过基岛连筋与所述框架主体固定连接，所述框架主体两侧分别设置有多个上部内引脚和多个下部内引脚，所述上部内引脚和所述下部内引脚数量相同，且所述上部内引脚和所述下部内引脚以所述基岛连筋为对称轴对称设置，所述上部内引脚和所述下部内引脚上均设置有固胶孔，所述框架主体上还设置有塑封线，所述塑封线在所述框架主体上形成塑封区域，所述固胶孔设置在所述塑封区域之内，且所述框架主体边缘设置有流道以供塑封胶流通。本实用新型能够增强引线框架与黑胶的结合力，减少引线位置分层，提高产品可靠性。
一种半导体引线框架

[实用新型]功率模块-CN202320283677.5有效
发明人：林曦 -专利权人：美垦半导体技术有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率模块，所述功率模块，包括：基板，所述基板设有第一导电线路；芯片，所述芯片设于所述基板且与所述第一导电线路焊接连接；绝缘层，所述绝缘层覆盖所述芯片和所述基板，所述绝缘层设有朝向所述芯片延伸的第一走线通道；第二导电线路，所述第二导电线路位于所述绝缘层的背离所述第一导电线路的一侧，所述第二导电线路通过填充于所述第一走线通道的第一导电金属件与所述芯片电连接。本申请提出的功率模块通过第二导电线路和第一导电金属件代替相关技术中的键合铝线，有效降低系统寄生电感。
功率模块

[实用新型]扁平化插件整流桥-CN202321333558.2有效
发明人：熊鹏程;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：扁平化插件整流桥，涉及半导体技术领域。包括设置在塑封体内的框架单元；所述框架单元包括从左向右依次间隔设置的框架一、框架四和框架二；所述框架四的下方设有与之间隔设置的框架三，所述框架三的载片台上设有第三芯片，所述第三芯片通过第三跳线与框架一电性连接；所述框架四的载片台上设有第四芯片，通过第四跳线与框架一电性连接；所述框架二的上载片台上设有与框架四电性连接的第一芯片，下载片台上设有与框架三电性连接的第二芯片。本实用新型内部结构紧凑，塑封本体减小，成本大幅度降低。
扁平插件整流

[发明专利]一种高密度IC封装载板-CN202310951854.7在审
发明人：王桂;胡良峰;周维 -专利权人：江西天佑半导体有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度IC封装载板，包括基板和导电铜层，在所述基板上阵列分布有若干个封装单元，每个封装单元的正面由多个独立、隔断的导电铜层形成对应数量的导电板功能区，在基板上每个封装单元的两侧设有多个通孔，所述通孔内设有侧铜壁，通孔的数量与导电板功能区数量一致，并且每个导电板功能区的导电铜层对应连接其中一个通孔侧铜壁，每个封装单元的背面设有与通孔一一对应的由导电铜层形成的引脚焊盘，且引脚焊盘的导电铜层与对应通孔侧铜壁连通，每个封装单元两侧的切割线与多个通孔的中心线重合。本发明的IC封装载板省去了引脚电镀、引脚折弯等工序，精简了封装流程，缩短了加工周期，提升了生产效率,节约了成本。
一种高密度 ic 装载

[发明专利]球栅阵列封装结构、芯片、计算机、方法、装置及设备-CN202310829019.6在审
发明人：常红丽 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供一种球栅阵列封装结构、芯片、计算机、方法、装置及设备，涉及半导体封装技术领域，球栅阵列封装结构包括：印制电路板、多个信号管脚和多个电源管脚，印制电路板的第一区域内设置有由各电源管脚组成的电源管脚阵列，印制电路板的第二区域内设置有由各信号管脚组成的信号管脚阵列。本发明提供的球栅阵列封装结构、芯片、计算机、方法、装置及设备，能在BGA封装芯片结构设计复杂程度较高的情况下，缩小BGA结构的封装尺寸，能减少扇出的走线层数以及需要打过孔的数量，进而能降低加工难度和加工成本，提高加工效率，能降低信号串扰，能提高信号质量。
阵列封装结构芯片计算机方法装置设备

[发明专利]旁路二极管结构及旁路二极管-CN202310945873.9在审
发明人：聂磊;王杭辰 -专利权人：杭州道铭微电子有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种旁路二极管结构，包括第一框架、第二框架、晶粒以及跳片，所述第一框架和第二框架通过跳片连接在一起，所述晶粒焊接在第二框架上，所述跳片上设有晶粒连接端和引脚端，所述晶粒连接端焊接在晶粒上，所述引脚端有两个，分别为第一引脚和第二引脚，所述第一引脚和第二引脚对称地焊接在第一框架上。本发明通过对二极管的结构进行改进，使得电流通过截面积增大，散热面积增大，提高了产品性能。
旁路二极管结构

[发明专利]半导体装置-CN202310398447.8在审
发明人：清水康贵 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：得到能够提高制造性的半导体装置。第1电路图案(5)在俯视观察时具有凹部(7)。第2电路图案(6)配置于凹部(7)。多个半导体芯片(4)接合至第1电路图案(5)之上。导线(8)将多个半导体芯片(4)的上表面电极与第2电路图案(6)连接。第2电路图案(6)的宽度随着从电流在第2电路图案(6)中流动的电流路径的上游到下游而增大。第1电路图案(5)在俯视观察时在凹部(7)的侧方具有台阶(9)，凹部(7)的宽度与第2电路图案(6)的宽度的增大相匹配地阶梯状增大。
半导体装置

[发明专利]功率器件和电子设备-CN202310934544.4在审
发明人：付云鹏;冯尹;张鹏;陈伟伟;陈永华;张磊路 -专利权人：珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请提供了一种功率器件和电子设备，该功率器件包括：碳化硅模块；驱动结构，位于碳化硅模块的一侧；转接结构，位于碳化硅模块和驱动结构之间，转接结构与碳化硅模块和驱动结构分别电连接，驱动结构通过转接结构驱动碳化硅模块。通过设置转接结构来连接驱动结构和碳化硅模块，这样无需针对碳化硅模块单独设计驱动结构，无需更改驱动结构的引脚位置与连接走线，就可以实现碳化硅与驱动结构的连接兼容，节约了驱动结构的设计与生产成本，保证了碳化硅模块可以快速应用于市场。
功率器件电子设备

[发明专利]封装结构-CN202210625451.9在审
发明人：李仁智;王良丞;赵韦翔 -专利权人：碇基半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供一种封装结构。封装结构包括一导线架，包括一栅极衬垫、一源极衬垫以及一漏极衬垫，设置于该导线架上；一氮化镓功率元件，具有一栅极端，其中该氮化镓功率元件设置于该导线架的该源极衬垫上；以及一静电放电保护元件，包括一第一衬垫，其中该静电放电保护元件设置于该导线架的该源极衬垫上，该氮化镓功率元件的该栅极端电性连接该静电放电保护元件的该第一衬垫，以及该静电放电保护元件的该第一衬垫电性连接该导线架的该栅极衬垫。
封装结构

[发明专利]一种新型IC倒装封装结构-CN202310658691.3在审
发明人：黄泽军;宋贵波 -专利权人：深圳市锐骏半导体股份有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种新型IC倒装封装结构，包括引线框架和设置在引线框架上的集成电路芯片，引线框架上设有多个基岛，每个基岛上均印刷有锡膏；集成电路芯片的焊盘分别对应基岛通过贴片的方式放置在基岛上，锡膏经过回流炉融化后完成基岛与焊盘的电连接。本发明通过将功率器件的倒装封装技术应用于IC封装，可以提高生产效率，提升生产良率，降低生产成本，提升产品竞争力。
一种新型 ic 倒装封装结构

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210544021.4在审
发明人：高庆良;吴文杰;柯立苓 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法包括：在绝缘层上形成介电层；蚀刻绝缘层及介电层，使绝缘层及介电层中具有开口，其中绝缘层的内侧壁与底部以及介电层的内侧壁从开口中裸露；注入复数个掺杂物于绝缘层的内侧壁与底部以及介电层的内侧壁上；以及在开口中及介电层上形成半导体层，其中半导体层形成在绝缘层上的第一生长速率不同于半导体层形成在介电层上的第二生长速率。当半导体层形成在开口中时，半导体层将不具有长条状的缝隙，可改善半导体层漏电及效能不佳等问题，因此提高了半导体结构的整体效能。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种引脚整流桥抗干扰半导体封装结构-CN202311030512.8在审
发明人：王生辉;梁志明;王建国;方云;刘雪晴;孟晴 -专利权人：天津中宇通达半导体有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种引脚整流桥抗干扰半导体封装结构，属于半导体封装技术领域。该发明包括封装基板、封装盖板和半导体芯片，所述封装基板上设有限位槽和安装槽，所述封装基板侧壁固定连接有引脚整流桥；通过封装模块、抗干扰模块、压敏电阻器、电动伸缩杆和防尘膜之间的配合使用，当封装盖板与基板进行扣合时，压力块会对固定套筒内的密封胶进行挤压，密封胶会在气压的作用下由喷口喷向限位槽，这就实现了对芯片的自动密封，无需额外注胶处理，较为方便；此外，通风口和防尘膜的设置可以有效隔尘的同时也可以更好地传递半导体芯片产生的积热，当压敏电阻器感应到电压超出预设范围时，可通过控制电动伸缩杆降低屏蔽罩来保护敏感元件的正常工作。
一种引脚整流抗干扰半导体封装结构

[发明专利]用于优化信号路由的管芯基板-CN202210347787.3在审
发明人：延双虎;蔡晓茁;朱浩;易定海;李华明 -专利权人：辉达公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：公开了用于优化信号路由的管芯基板。一种管芯基板，包括：电介质本体，所述本体具有第一本体表面、位于相对侧上的第二本体表面以及位于其间的本体边缘表面。载流金属线，其位于电介质本体中。金属线中的一个或更多个被路由到本体边缘表面的一个或更多个。终止层，其位于至少一个本体边缘表面上并电连接至被路由到所述本体边缘表面的所述金属线中的至少一个。导电镀层，其位于至少一个本体边缘表面上。该镀层连接至终止层，用于电流连接或接地连接到至少一个金属线。还公开了一种制造集成电路封装的方法、集成电路封装以及一种具有管芯基板的计算机。
用于优化信号路由管芯

[发明专利]一种半导体封装件及其生产方法-CN202311167514.1在审
发明人：王晓;任真伟 -专利权人：深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体封装件及其生产方法。该半导体封装件包括半导体芯片、铜箔和电路基板，半导体芯片和电路基板的至少部分表面上设有镀层；半导体芯片的镀层中含过渡金属，电路基板的镀层中含金属和/或金属氧化物；铜箔通过铜与半导体芯片的镀层中包含的过渡金属形成金属键，进而与半导体芯片键合；铜箔通过铜与电路基板的镀层中包含的金属和/或金属氧化物形成金属键，进而与电路基板键合。本发明中，铜与半导体芯片及电路基板上的镀层中包含的金属和/或金属氧化物形成金属键，进而实现铜箔与半导体芯片及电路基板之间的键合，铜箔与半导体芯片及电路基板之间的结合强度高。
一种半导体封装及其生产方法

[发明专利]半导体结构、制作方法及半导体晶圆制作方法-CN202210324574.9在审
发明人：王骁;卢汉汉 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，包括衬底层、至少一个半导体组件和电极件；至少一个半导体组件，由下而上堆叠在衬底层，每一半导体组件包括掺杂层和设置在掺杂层上的外延层；电极件，与掺杂层的上表面局部和掺杂层的侧面电连接。本技术方案能够使电极件与掺杂层的上表面和侧面形成欧姆接触，在对掺杂层刻蚀溶解时，提高刻蚀电流均匀性，解决质量运输的问题。
半导体结构制作方法