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[发明专利]氮化物半导体装置-CN202080030619.0在审
发明人：大岳浩隆;近松健太郎;阿久津稔;髙堂真也 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明的氮化物半导体装置(1)包含：第1氮化物半导体层，构成电子移行层；第2氮化物半导体层，形成在第1氮化物半导体层上，带隙大于第1氮化物半导体层，且构成电子供给层；栅极部，形成在第2氮化物半导体层上；以及源极电极和漏极电极，隔着栅极部对向配置在第2氮化物半导体层上。栅极部包含：隆脊形状的第3氮化物半导体层，形成在第2氮化物半导体层上，含有受体型杂质；及栅极电极，形成在第3氮化物半导体层上。第3氮化物半导体层的膜厚大于100nm。
氮化物半导体装置

[发明专利]平面三重注入JFET及相应的制造方法-CN201680061749.4有效
发明人：阿努普·巴拉;李中达 -专利权人：美国联合碳化硅公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：形成有垂直元件和水平元件的JFET，由诸如碳化硅的高带隙半导体材料经由包括上漂移区域和下漏极区域的衬底的三重注入制成，三重注入在漂移区域的一部分中形成下栅极、水平沟道和上栅极。源极区域可以通过顶部栅极的一部分形成，并且顶部栅极和底部栅极连接。垂直沟道区域形成为与平面JFET区域相邻并且延伸穿过顶部栅极、水平沟道和底部栅极以连接至漂移区域，使得下栅极调制垂直沟道以及水平沟道，并且来自源极的电流首先流过水平沟道，然后流过垂直沟道进入漂移区域。
平面三重注入 jfet 相应制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202080009808.X在审
发明人：河野宪司 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明进行以下工序：准备具有漂移层(13)的基板；通过进行外延生长，在漂移层(13)上构成沟道层(14)而形成半导体基板(10)；以半导体基板(10)的厚度方向为深度方向，通过进行离子注入，在沟道层(14)中形成从半导体基板(10)的一面(10a)沿深度方向延伸的栅极层(15)，并且在沟道层(14)中的与栅极层(15)分离的位置，形成从半导体基板(10)的一面(10a)沿深度方向延伸的体层(16)；通过进行离子注入，在沟道层(14)中的位于栅极层(15)与漂移层(13)之间的部分，形成以与栅极层(15)分离的状态与栅极层(15)对置、并被维持为与栅极层(15)不同的电位的屏蔽层(18)。
半导体装置制造方法

[发明专利]结型场效应晶体管及其制作方法-CN201711394889.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：眉山国芯科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明涉及一种结型场效应晶体管及其制作方法。上述制作方法获得结型场效应晶体管包括：N型衬底、N型外延层、在N型外延层中形成的埋层式的P型栅极区域、氧化层、贯穿氧化层并延伸至P型栅极区域的栅沟槽、形成于栅沟槽内壁且与P型栅极区域连接的P型扩散区域、形成于栅沟槽中的多晶硅、形成于N型外延层表面的N型区域、贯穿氧化层且对应N型区域的开口、在氧化层及栅沟槽上形成的连接多晶硅的栅极金属、源极金属、及漏极金属，P型栅极区域包括多个相互平行的第一条形部及多个与第一条形部垂直相交的第二条形部，最外侧的第二条形部与栅沟槽及P型扩散区相接，最外侧的第二条形部一侧的第一条形部与第二条形部位于N型区域的下方。
场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]高击穿n型埋层-CN201580020171.3有效
发明人： S·P·彭哈卡;B·胡;H·L·爱德华兹 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2015-04-27 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：在所述示例中，半导体器件(100)具有通过以高剂量和低能量将锑和/或砷注入到p型第一外延层(104)中，并且以低剂量和高能量注入磷形成的n型埋层(108)。热驱动过程扩散和激活重掺杂剂和磷二者。锑和砷不显著扩散，保持用于埋层(108)的主层(114)的窄分布。磷扩散以提供在主层(114)下方的几微米厚的轻掺杂层(120)。外延p型层(106)在埋层(108)上方生长。
击穿型埋层

[发明专利]氮化物半导体装置-CN201980019884.6在审
发明人：小川雅弘;柴田大辅;田村聪之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：氮化物半导体装置(10)具备：基板(12)；依次设置在基板(12)的第1主面(12a)上方的第1导电型的漂移层(14)以及第2导电型的第1基础层(16)；栅极开口部(22)，贯通第1基础层(16)并且延伸到漂移层(14)；电子传输层(26)，具有位于第1基础层(16)的上方的部分以及沿着栅极开口部(22)的内表面的部分；栅极电极(30)，被设置在电子传输层(26)的上方且覆盖栅极开口部(22)；源极电极(34)，与第1基础层(16)连接；漏极电极(36)，设置在基板(12)的第2主面(12b)侧；以及高电阻层(24)，由氮化物半导体构成，设置在栅极开口部(22)中的第1基础层(16)与电子传输层(26)之间，其电阻值比第1基础层(16)高。
氮化物半导体装置

[发明专利]半导体器件、天线开关电路和无线通信装置-CN201580058262.6有效
发明人：竹内克彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-10-05 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：半导体器件设置有层叠体、栅极电极、源极电极、漏极电极和盖层。所述层叠体包括沟道层和第一低电阻区域。所述沟道层由化合物半导体制成。所述第一低电阻区域被设置为所述层叠体的表面侧的一部分。所述栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极均设置在所述层叠体的上表面侧。所述盖层设置在所述第一低电阻区域与所述源极电极和所述漏极电极之中的至少一者之间。
半导体器件天线开关电路无线通信装置

[发明专利]结型场效应晶体管制造方法-CN201910007652.0在审
发明人：黄宗义 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明提出一种结型场效应晶体管制造方法，包含：提供第一导电型基板、形成第二导电型沟道区、形成第一导电型场区、形成第一导电型栅极、形成第二导电型源极、形成第二导电型漏极、以及形成第二导电型轻掺杂区。其中，沟道区由第一离子注入工艺步骤所形成，且轻掺杂区通过第二离子注入工艺步骤，将第一导电型杂质，注入于部分该沟道区中所形成。
场效应晶体管制造方法

[发明专利]沟槽式功率半导体元件及其制造方法-CN201610812711.8有效
发明人：许修文 -专利权人：帅群微电子股份有限公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明公开一种沟槽式功率半导体元件及其制造方法。沟槽式功率半导体元件的栅极结构包括栅绝缘层、叠层以及栅极。栅绝缘层覆盖沟槽的内壁面，叠层覆盖栅绝缘层的下半部。栅极位于沟槽内，并通过栅绝缘层与叠层和外延层隔离。栅极包括一被叠层围绕的下掺杂区以及一位于叠层及下掺杂区上的上掺杂区，上掺杂区与下掺杂区之间形成一PN接面，且上掺杂区内的杂质浓度是由上掺杂区的外围朝上掺杂区的内部递减。由于PN接面在逆向偏压下可产生和寄生电容串联的接面电容，因此可降低栅极/漏极的等效电容。
沟槽功率半导体元件及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管-CN201880062606.4在审
发明人：佐佐木公平 -专利权人：株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：提供一种不使用p型的β‑Ga2O3单晶且截止泄漏特性和耐压优异的Ga2O3系的场效应晶体管。作为一实施方式，提供沟槽型MOSFET(1)，其具备：n型半导体层(11)，其包括Ga2O3系单晶，具有在一个面上开口的多个沟槽(16)；栅极电极(12)，其埋入于多个沟槽(16)中的每一个沟槽(16)；源极电极(14)，其连接到n型半导体层(11)的相邻的沟槽(16)之间的台面形状区域；以及漏极电极(15)，其隔着n型半导体基板(10)连接到n型半导体层(11)的与源极电极(14)相反的一侧。
场效应晶体管

[发明专利]利用MBE再生长p-GaN的单栅结构GaN-JFET器件的方法-CN201911000871.2在审
发明人：郭慧;陈敦军;谢自力 -专利权人：南京集芯光电技术研究院有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用MBE再生长p‑GaN的单栅结构GaN‑JFET器件的方法，在GaN外延片上刻蚀重掺n
再生长单栅结构刻蚀结型场效应管离子注入法材料损伤横向沟道平面结构器件结构传统的源漏区栅区离子保留

[发明专利]一种去除沟槽侧壁沉积物的方法-CN201610822713.5有效
发明人：何钧;赵群;唐亚超;梁瑶;王毅;蒋伟明;王鹏 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除沟槽侧壁沉积物的方法，包括：S1、在形成有金属的沟槽表面上使用方向性强的沉积工艺形成介质；S2、使用方向性弱的刻蚀工艺去除沟槽侧壁上的介质，露出侧壁上的金属；S3、使用方向性弱的刻蚀工艺去除沟槽侧壁上露出的金属；以及S4、去除沟槽顶部和底部残留的介质，露出沟槽顶部和底部的金属。
一种去除沟槽侧壁沉积物方法

[发明专利]一种获得清洁沟槽侧壁的方法-CN201610822595.8有效
发明人：何钧;唐亚超;赵群;周理明;柏治国;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明涉及一种获得清洁沟槽侧壁的方法，包括S1、使用方向性弱的沉积工艺在沟槽表面形成保护层；S2、使用方向性强的刻蚀工艺，去除沟槽顶部和底部上的保护层，沟槽侧壁上仍覆盖有保护层；S3、使用方向性强的沉积工艺在沟槽表面形成金属；以及S4、剥离保护层。
一种获得清洁沟槽侧壁方法

[发明专利]场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管-CN201510197083.2有效
发明人：赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管，其中，所述制备方法包括：在对所述第一类离子区域进行驱入处理的过程中，形成第一介质层，以完成所述结型场效应管的制备；在判定所述第一介质层的厚度处于预设厚度范围后，对待制备的分压环进行光刻处理；通过所述光刻处理过程形成的掩膜层形成第二类离子区域，以完成所述分压环的制备，从而完成所述场效应晶体管的制备。通过本发明的技术方案，在保证场效应晶体管的有源区工作正常的情况下，有效地提高了分压环的工艺稳定性和结构可靠性，进而提高了场效应晶体管的成品率。
场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种恒流二极管结构及其形成方法-CN201610082486.7有效
发明人：王英杰 -专利权人：成都士兰半导体制造有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明提供了一种恒流二极管结构及其形成方法，在N型外延层中增设P型发射区，N型源区、P型栅极区、N型外延层、N型漏区组成恒流二极管，P型衬底、N型外延层和P型发射区组成PNP三极管，由此，单位面积电流大幅提高，并且器件的温度稳定性和均匀性较好。
一种二极管结构及其形成方法