“髙堂真也”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]氮化物半导体装置-CN202080030619.0在审
发明人：大岳浩隆;近松健太郎;阿久津稔;髙堂真也 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明的氮化物半导体装置(1)包含：第1氮化物半导体层，构成电子移行层；第2氮化物半导体层，形成在第1氮化物半导体层上，带隙大于第1氮化物半导体层，且构成电子供给层；栅极部，形成在第2氮化物半导体层上；以及源极电极和漏极电极，隔着栅极部对向配置在第2氮化物半导体层上。栅极部包含：隆脊形状的第3氮化物半导体层，形成在第2氮化物半导体层上，含有受体型杂质；及栅极电极，形成在第3氮化物半导体层上。第3氮化物半导体层的膜厚大于100nm。
氮化物半导体装置

1
共 1 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top