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[发明专利]氮化物半导体装置-CN202110457837.9在审
发明人： 阿久津稔 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低源极电极及漏极电极相对于二维电子气的欧姆接触电阻的氮化物半导体装置。氮化物半导体装置(1)包含：第1氮化物半导体层(4)，构成电子移行层；第2氮化物半导体层(5)，形成在第1氮化物半导体层(4)上，且构成电子供给层；蚀刻终止层(6)，形成在第2氮化物半导体层(5)上，且由带隙比第2氮化物半导体层大的氮化物半导体构成；栅极部(20)，形成在蚀刻终止层(6)上；以及源极电极(11)及漏极电极(12)，隔着栅极部而对向配置在蚀刻终止层上。源极电极(11)及漏极电极(12)的下端部在厚度方向上贯通蚀刻终止层(6)，而进入第2氮化物半导体层(5)的厚度中间部。
氮化物半导体装置

[发明专利]氮化物半导体装置-CN202080030619.0在审
发明人：大岳浩隆;近松健太郎;阿久津稔;髙堂真也 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明的氮化物半导体装置(1)包含：第1氮化物半导体层，构成电子移行层；第2氮化物半导体层，形成在第1氮化物半导体层上，带隙大于第1氮化物半导体层，且构成电子供给层；栅极部，形成在第2氮化物半导体层上；以及源极电极和漏极电极，隔着栅极部对向配置在第2氮化物半导体层上。栅极部包含：隆脊形状的第3氮化物半导体层，形成在第2氮化物半导体层上，含有受体型杂质；及栅极电极，形成在第3氮化物半导体层上。第3氮化物半导体层的膜厚大于100nm。
氮化物半导体装置

[发明专利]半导体激光元件-CN201110424175.1有效
发明人：野间亚树;阿久津稔;西冈义人 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种适于高输出化的半导体激光元件。半导体激光二极管(70)包括：基板(1)；及半导体叠层结构体(2)，其通过结晶成长而形成在基板(1)上。半导体叠层结构体(2)包括：n型(Alx1Ga(1-x1))0.51In0.49P包覆层14及p型(AIx1Ga(1-x1))0.51In0.49P包覆层(17)；n侧Alx2Ga(1-x2)As导引层(15)及(p)侧Alx2Ga(1-x2)As导引层(16)，其等夹在这些包覆层(14)、(17)之间；以及活性层(10)，其夹在这些导引层(15)、(16)之间。活性层(10)由包含AlyGa(1-y)As(1-x3)Px3层的量子井层(221)与包含Alx4Ga(1-x4)As层的阻障层(222)交替重复叠层复数个周期而构成。
半导体激光元件