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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有改进的阈值电压控制的沟槽垂直JFET-CN202310777469.5在审
发明人：阿努普·巴拉;彼得·亚历山德罗夫 -专利权人： 美国联合碳化硅公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本公开涉及具有改进的阈值电压控制的沟槽垂直JFET。可以通过将沟槽蚀刻到第一掺杂类型的衬底的顶侧中以形成台面来产生一种沟槽JFET。衬底由背侧漏极层、中间漂移层和顶侧源极层构成。蚀刻穿过源极层并部分地进入漂移层。使用第二类型的掺杂在沟槽的侧部和底部形成栅极区。使用第一种类的掺杂经由成角度注入在垂直栅极段后面形成垂直沟道区，以提供改进的阈值电压控制。可选地，衬底可以包括在漂移层和源极层之间的轻掺杂沟道层，使得台面包括与注入的垂直沟道区形成较强的对比的轻掺杂沟道区。
具有改进阈值电压控制沟槽垂直 jfet

[发明专利]具有改进的阈值电压控制的沟槽垂直JFET-CN201780054697.2有效
发明人：阿努普·巴拉;彼得·亚历山德罗夫 -专利权人： 美国联合碳化硅公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：可以通过将沟槽蚀刻到第一掺杂类型的衬底的顶侧中以形成台面来产生一种沟槽JFET。衬底由背侧漏极层、中间漂移层和顶侧源极层构成。蚀刻穿过源极层并部分地进入漂移层。使用第二类型的掺杂在沟槽的侧部和底部形成栅极区。使用第一种类的掺杂经由成角度注入在垂直栅极段后面形成垂直沟道区，以提供改进的阈值电压控制。可选地，衬底可以包括在漂移层和源极层之间的轻掺杂沟道层，使得台面包括与注入的垂直沟道区形成较强的对比的轻掺杂沟道区。
具有改进阈值电压控制沟槽垂直 jfet

[发明专利]垂直JFET及其制造方法-CN201680051802.2有效
发明人：李中达;阿努普·巴拉 -专利权人： 美国联合碳化硅公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：通过使用有限数目的掩模的过程来制造垂直JFET。第一掩模用于同时在有源单元区域和终止区域中形成台面和沟槽。无掩模自对准工艺用于形成硅化物源极接触部和栅极接触部。第二掩膜用于为接触部开设窗口。第三掩模用于将覆盖金属化部图案化。可选的第四掩模用于将钝化部图案化。沟道通过成角度注入被掺杂，并且有源单元区域中的沟槽和台面的宽度可以可选地与终止区域中的沟槽和台面的宽度不同。
垂直 jfet 及其制造方法

[发明专利]平面三重注入JFET及相应的制造方法-CN201680061749.4有效
发明人：阿努普·巴拉;李中达 -专利权人： 美国联合碳化硅公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：形成有垂直元件和水平元件的JFET，由诸如碳化硅的高带隙半导体材料经由包括上漂移区域和下漏极区域的衬底的三重注入制成，三重注入在漂移区域的一部分中形成下栅极、水平沟道和上栅极。源极区域可以通过顶部栅极的一部分形成，并且顶部栅极和底部栅极连接。垂直沟道区域形成为与平面JFET区域相邻并且延伸穿过顶部栅极、水平沟道和底部栅极以连接至漂移区域，使得下栅极调制垂直沟道以及水平沟道，并且来自源极的电流首先流过水平沟道，然后流过垂直沟道进入漂移区域。
平面三重注入 jfet 相应制造方法

[发明专利]高压开关-CN201580071756.8有效
发明人：李雪青 -专利权人： 美国联合碳化硅公司
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H03K17/10 文献下载
摘要：一种高压开关设备通过以下形成：将若干个常导通的晶体管例如JFET彼此串联连接，其中，每个晶体管的漏极连接至下一个的源极；将常导通的晶体管的链与常关断的开关部件例如MOSFET串联连接，其中，常关断的开关部件的漏极连接至链中的第一个晶体管的源极；以及对每个晶体管，连接电压钳位器件例如二极管，其中，电压钳位器件的阳极连接至晶体管的源极，而电压钳位器件的阴极连接至链中的下一个晶体管的栅极。
高压开关

[发明专利]共源共栅切换电路-CN201580027221.0有效
发明人：李雪青;阿努普·巴拉 -专利权人： 美国联合碳化硅公司
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H03K17/06 文献下载
摘要：本文公开了包括常通型半导体器件、常断型半导体器件和栅极驱动器的共源共栅切换电路。所述常通型半导体器件和常断型半导体器件各自都具有栅极端、漏极端和源极端。栅极驱动器具有第一输出和第二输出，所述栅极驱动器的第一输出耦合到所述常通型半导体器件的所述栅极端，所述栅极驱动器的第二输出耦合到所述常断型半导体器件的所述栅极端，并且所述常断型半导体器件的漏极端耦合到所述常通型半导体器件的所述源极端，使得形成通过所述常通型半导体器件和所述常断型半导体器件的电流路径。还公开了制造和使用这种电路的方法以及这种电路的其他各个方面。
共源共栅切换电路

[发明专利]改进的VJFET器件-CN201480010130.1有效
发明人：阿努普·巴拉;彼得·亚历山德罗夫 -专利权人： 美国联合碳化硅公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本公开描述以宽带隙材料，特别是以碳化硅，生产高电压JFET的结构和工艺。本公开还提供以本公开的方法生产的产品以及用于执行本公开的方法的设备。本公开属于高电流和高电压半导体器件的领域。例如，公开了高电压常开和常关垂直结场效应晶体管(VJFET)及其制作方法。
改进 vjfet 器件

[发明专利]单片集成级联开关-CN201580004369.2有效
发明人：阿努普·巴拉;李仲达 -专利权人： 美国联合碳化硅公司
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：所公开的发明涉及先进的高压开关，其与常规栅极驱动器相比具有改善的性能特性、提高的可靠性和较好的兼容性。本文中所公开的发明实现了经由级联(巴利加对(Baliga‑pair))结构中的低压Si MOSFET来控制的、包括高压常通SiC VJFET的混合开关。SiC VJFET和Si MOSFET以晶片级单片地集成在一起，其中，Si MOSFET在Si层上制造，所述Si层与在SiC VJFET之上的电介质层直接相邻。还提供了制造和操作这些开关的方法。
单片集成级联开关

[发明专利]具有集成MOS二极管的碳化硅MOSFET-CN201680047387.3在审
发明人：阿努普·巴拉;莱昂尼德·富尔辛 -专利权人： 美国联合碳化硅公司
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：采用栅极‑源极短路模式的单片集成MOS沟道作为功率MOSFET的第三象限传导路径的二极管。MOS二极管和MOSFET可以构造成包括分裂单元和沟槽的各种配置。器件可以由碳化硅、氮化镓、氮化铝、氮化铝镓、金刚石或类似的半导体形成。MOS二极管的低存储电容和低拐点电压可以通过多种方式实现。MOS二极管可以用沟道迁移率增强材料来实现，并且/或者具有非常薄的/高的介电常数的栅极电介质。MOSFET栅极导体和MOS二极管栅极导体可以由掺杂有相反掺杂剂类型的多晶硅制成。MOS二极管电介质的表面可以被注入铯。
具有集成 mos 二极管碳化硅 mosfet

[发明专利]宽带隙半导体上的欧姆触点的形成-CN201480078195.X在审
发明人：约翰·L·霍斯泰特勒 -专利权人： 美国联合碳化硅公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：用于半导体晶片处理的系统和方法包括用能量足以改变半导体材料的带隙的激光束照射半导体晶片的表面，由此熔化所述晶片的一部分以生成石墨层区域。随后在该表面上沉积金属层以在被激光熔化的区域产生欧姆触点。
宽带半导体欧姆触点形成

[发明专利]沟槽屏蔽连接结型场效应晶体管-CN201480031881.1在审
发明人：阿努普·巴拉;彼得·亚历山德罗夫 -专利权人： 美国联合碳化硅公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：描述了一种具有栅极沟槽和屏蔽沟槽的屏蔽结型场效应晶体管(JFET)，屏蔽沟槽比栅极沟槽深且窄。栅极沟槽可以与屏蔽沟槽完全对准、部分地对准、或者与屏蔽沟槽间隔开。
沟槽屏蔽连接场效应晶体管

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