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[发明专利]金刚石半导体装置及其制造方法-CN201380042569.8有效
发明人：加藤宙光;牧野俊晴;小仓政彦;竹内大辅;山崎聪;波多野睦子;岩崎孝之 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明提供一种能够大幅提高器件设计的自由度，并且能够有效制造的金刚石半导体装置及其制造方法。本发明的金刚石半导体装置具有金刚石衬底、在上述金刚石衬底的具有{001}的结晶面的衬底面上大致垂直地隆起配置的金刚石台阶部、n型的掺磷金刚石区域、金刚石绝缘区域，所述金刚石台阶部，将侧面具有{110}的结晶面的第一台阶部和侧面具有{100}的结晶面的第二台阶部形成为一体，所述掺磷金刚石区域以所述第一台阶部的所述台阶形状的底角为起点且以所述第一台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成，所述金刚石绝缘区域以所述第二台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成。
金刚石半导体装置及其制造方法

[发明专利]导电插塞的形成方法-CN201310224049.0有效
发明人：张海洋;张城龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：一种导电插塞的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有晶体管和覆盖所述晶体管的介质层，所述晶体管包括源漏区和栅极区；在所述介质层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层中形成与所述源漏区对应的开口；以剩余的所述硬掩膜层为掩模，沿所述开口蚀刻所述介质层，直至形成暴露出所述源漏区的源漏区接触孔；在所述源漏区接触孔中填充导电材料。本发明所提供的导电插塞的形成方法中，硬掩膜层的耐蚀刻性能高，其厚度较小，以其为掩模蚀刻形成的接触孔形貌佳，最终形成的导电插塞的良率高。
导电形成方法

[发明专利]半导体装置-CN201380032748.3有效
发明人：中岛昭;西泽伸一;大桥弘通 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：在用于电力转换器的宽带隙半导体装置中，存在着由于高浪涌电压而导致装置被破坏的问题点，因而需要提高击穿耐量，并认识到该问题在单极型、横向型的半导体装置中更为明显。本发明提供一种半导体装置，其构成一种在装置内部具有穿通击穿单元的半导体装置，进一步构成为穿通击穿的击穿电压低于雪崩击穿电压，因而不会引起雪崩击穿，从而防止由雪崩击穿而导致半导体装置损坏，且击穿耐量大。
半导体装置

[发明专利]具有解耦合电容器的非对称致密浮置栅极非易失性存储器-CN201380007152.8有效
发明人： A·E·霍奇 -专利权人：美商新思科技有限公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：具有一个或多个有源区域的非易失性储存器(“NVM”)，该一个或多个有源区域被电容耦合到浮置栅极但是与源极和漏极二者分离。包括与源极和漏极分离的电容器允许对浮置栅极的电压的改进控制。这继而允许以比在现有的位单元中高得多的效率执行CHEI(或者IHEI)，由此减少用于向位单元提供电流的电荷泵的需要，最终减小位单元的总尺寸。位单元可以成对构建，进一步减小了每个位单元的空间要求，由此缓解了单独的电容器的空间要求。位单元也可以根据在源极、漏极和电容器处所施加的电压由CHEI(或IHEI)操作或者单独地由BTBT操作。
具有耦合电容器对称致密栅极非易失性存储器

[发明专利]碳化硅半导体器件-CN201380026182.3有效
发明人：林秀树 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：集电极层(19)由具有第一导电类型的碳化硅制成。开关元件(80)设置在集电极层(19)上。开关元件(80)包括用于控制具有第二导电类型的沟道(CH)的结型栅极(32)，第二导电类型不同于第一导电类型。
碳化硅半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201480059057.7在审
发明人：印南航介;寺口信明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：半导体器件包括常截止型的第一晶体管、常导通型的第二晶体管和常导通型的第三晶体管。上述第一晶体管与上述第二晶体管共源共栅连接，上述第三晶体管与上述第二晶体管并联连接。上述第二晶体管和上述第三晶体管各自的截止耐压比上述第一晶体管的截止耐压高，上述第三晶体管的接通时间比上述第二晶体管的接通时间短。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201480053831.3在审
发明人：富田英幹;兼近将一;桑原诚;上田博之 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-09-08 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：半导体装置具备：第一化合物半导体层；第二化合物半导体层，其与第一化合物半导体层相比带隙较大；p型的第三化合物半导体层，其被设置在第二化合物半导体层上的一部分处；p型的第四化合物半导体层，其被设置在第三化合物半导体层上，并且与第三化合物半导体层相比为高电阻；栅电极，其被设置在第四化合物半导体层上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法及半导体器件-CN201410368009.8在审
发明人：新井耕一;笼利康明;久田贤一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：提供一种制造半导体器件的方法及半导体器件，该半导体器件是具有优良截止态性能而没有降低生产率的垂直JFET的半导体器件。通过杂质离子注入在源极区下面形成沿着沟道宽度方向的横截面中的栅极区四边形。通过第一蚀刻，去除了栅极区上表面上方的源极区，以在它们之间分开。然后，通过具有在栅极区侧表面处比在栅极区中央处低的蚀刻速率的第二蚀刻，处理栅极区的上表面。获得的栅极区具有平行于衬底表面的下表面和低于源极区和沟道形成区之间的边界的上表面，且上表面在沿着沟道宽度方向的横截面中具有从侧表面向中央的向下倾斜。结果，可以获得具有减少的变化的沟道长度。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件-CN201280051561.3有效
发明人：星真一;水野祥司;加地徹;上杉勉;富田一义;伊藤健治 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：一种半导体器件：包括HEMT（10，20，21，30，31，32）和二极管（60，70）。所述HEMT包括：具有GaN层（13）和AlGaN层（14）的衬底（10），所述GaN层生成二维电子气且用作沟道层，所述AlGaN层在所述GaM层上且用作阻挡层；源极电极（30），所述源极电极在所述AlGaN层上且与所述AlGaN层形成欧姆接触；漏极电极（31），所述漏极电极在所述AlGaN层上远离所述源极电极，且与所述AlGaN层形成欧姆接触；在所述源极电极和漏极电极之间的所述AlGaN层上的层间绝缘膜（20，21）；以及所述层间绝缘膜上的栅极电极（32）。所述衬底包括在所述GaN层中生成所述二维电子气的活性层区域（40）。所述二极管包括电连接至所述栅极电极的阳极和电连接至所述漏极电极的阴极。
半导体器件

[发明专利]一种结型场效应晶体管及其制备方法-CN201210445716.3有效
发明人：刘金华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明涉及一种结型场效应晶体管及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成介质层和硬掩膜层；图案化所述介质层和所述硬掩膜层；在所述衬底上外延生长第一半导体材料层并进行源漏注入，以形成源漏区；氧化所述半导体材料层的表面，以形成氧化物；去除剩余的所述硬掩膜层，以露出所述介质层；在所述介质层上外延生长第二半导体材料层并平坦化；回蚀刻所述第二半导体材料层，以形成凹槽，然后进行沟道注入，以形成沟道；在所述凹槽中外延生长第三半导体材料层并平坦化，以形成栅极；对所述栅极进行离子注入，以形成不含底栅的结型场效应晶体管。本发明所述制备方法更加简单、容易控制，可以进一步提高器件的良率。
一种场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅沟槽型JFET的制作方法-CN201310187771.1有效
发明人：倪炜江 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅沟槽型JFET的制作方法，该方法包括如下步骤：在SiC第一导电类型的衬底上依次外延生长第一导电类型的漂移层、沟道层和帽子层；在帽子层上淀积第一掩膜层并形成掩膜图形；以第一掩膜层作为掩膜，刻蚀帽子层和沟道层至漂移层形成沟槽；各向同性地淀积第二掩膜层；各向异性法地刻蚀去除沟槽底部和第一掩膜层上的第二掩膜层；对暴露的漂移层进行离子注入，在漂移层中形成第二导电类型的离子注入区以与漂移层形成pn二极管；去除剩余的掩膜层并淀积隔离层；用光刻的方法至少部分地去除帽子层和沟槽底部的隔离层；在衬底上，暴露的帽子层和暴露的离子注入区中形成欧姆接触。所述方法能够防止沟道因离子注入产生损伤和缺陷。
一种碳化硅沟槽 jfet 制作方法

[发明专利]具有后表面隔离的半导体装置-CN201180060404.4有效
发明人：亚历山大·利道;曹建军;罗伯特·比奇;J·斯特赖敦;阿兰娜·纳卡塔;赵广元 -专利权人：宜普电源转换公司
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：用于独立地连接半导体装置的一部分中的周围材料与其各自的装置的电接触的电路、结构及技术。为达到这个目的，提供了一或多个导电阱的组合，所述一或多个导电阱在至少一个偏置极性电气隔离。
具有表面隔离半导体装置

[发明专利]一种结型场效应晶体管的制造方法-CN201310179905.5无效
发明人：李泽宏;宋文龙;邹有彪;宋洵奕;吴明进;张金平;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：一种结型场效应晶体管的制作方法，属于半导体器件领域。传统结型场效应晶体管的制作工艺中，栅源隔离氧化层由于作为扩散工艺的掩蔽层，制作过程中会在隔离氧化层里面引入许多杂质以及缺陷，会降低结型场效应晶体管的抗总剂量辐照效应能力。本发明提供的结型场效应晶体管的制造方法，在接触孔刻蚀之前，采用氢氟酸完全刻蚀掉原有的氧化层，然后重新生长氧化层，这样可以保证重新生成的更加致密、缺陷更少的高质量氧化层，从而提高所制造的结型场效应晶体管的抗总剂量辐照效应能力。此外，本发明无需增加掩膜版，而且只需要在刻蚀接触孔前用氢氟酸刻蚀正面全部氧化层、生长高质量新氧化层，简单易行，尽量降低了新增工艺步骤带来的附加成本。
一种场效应晶体管制造方法

[发明专利]结型场效应管及其形成方法-CN201110453500.7有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：一种结型场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有阱区；形成位于所述阱区表面的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有贯穿其厚度的应力衬垫层图形；以所述第一绝缘层为掩膜，沿所述应力衬垫层图形刻蚀所述阱区和部分厚度的半导体衬底，形成第一开口；向所述第一开口内填充满应力衬垫层；形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述应力衬垫层、第一绝缘层和部分阱区，且所述第二绝缘层内定义出第一子栅图形；沿所述第一子栅图形，向所述阱区和半导体衬底内注入离子，于半导体衬底和阱区交界处形成第一子栅。本发明实施例形成的结型场效应管的载流子迁移率高，性能好。
场效应及其形成方法

[发明专利]一种互补结型场效应晶体管c-JFET器件及其后栅极的制造方法-CN201110459296.X有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明涉及一种互补结型场效应晶体管c-JFET器件及其后栅极的制造方法。应用后栅极的方法形成c-JFET。
一种互补场效应晶体管 jfet 器件其后栅极制造方法