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[发明专利]一种忆阻器读写方法-CN202110495859.4有效
发明人：蒋燕君;赵文静;周明娟;徐振宇;阮越;吴建锋;尉理哲;叶芳芳;江俊;许森;王金铭;吕何新;王章权 -专利权人：浙江树人学院(浙江树人大学)
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器读写方法，至少设置写入单元和读取单元，其中，向忆阻器写入信息时，接通写入单元形成写入回路，所述写入单元在忆阻器两端产生正向电压或反向电压使忆阻器处于高阻态或低阻态；读取忆阻器状态时，接通读取单元形成读取回路，所述读取单元在忆阻器的一端产生激励信号，并在忆阻器的另一端读取输出状态以此获取忆阻器的状态。与现有技术相比，本发明的技术方案能够以更为简单的电路结构实现更丰富的读写控制以及逻辑控制功能。
一种忆阻器读写方法

[实用新型]一种胎压传感器批量烧录用治具-CN202221050507.4有效
发明人：陈瑞青;李家兴;朱鹏 -专利权人：天津森普捷电子有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种胎压传感器批量烧录用治具，支撑机构包括支撑底台，支撑底台的顶面上设置有支撑柱及支撑板；卡接放置机构设置于支撑底台的顶面上，用于放置PCB板；升降固定机构设置于支撑板靠近卡接放置机构的一侧，包括滑动升降组件及驱动组件，用于固定放置在固定凹槽内部的PCB板。本实用新型的胎压传感器批量烧录用治具，可以同时将多个PCB板放置在对应的固定凹槽的内部，通过固定凹槽内部设置的电源触点、接地触点及烧录触点与PCB板接触；然后通过升降固定机构对固定凹槽内部的PCB板进行抵接固定，整个操作过程实现了规范化，节省了人力，节约了成本，保证了烧录过程中PCB板的安全性，提高了生产效率，实用性强。
一种传感器批量录用

[发明专利]存储器中的单调计数器-CN201980085050.5有效
发明人： A·蒙代洛;F·托马约洛;C·孔代米;T·泽里利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本公开揭示一种设备，例如，存储器(例如，NAND存储器)，其可具有控制器、耦合到所述控制器的易失性计数器及耦合到所述控制器的非易失性存储器阵列。所述控制器可经配置以每当所述计数器的计数已递增特定数目个增量时，将除所述计数器的所述计数外的信息写入在所述阵列中。计数可为单调、非易失性及可容许电力损失的。
存储器中的单调计数器

[发明专利]存储装置及其操作方法-CN201810555223.2有效
发明人：金海洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：存储装置及其操作方法。本文可提供一种操作存储装置的方法。该方法可包括向存储块施加擦除电压。该方法可包括对存储块执行擦除验证操作。该方法可包括基于擦除验证操作的结果执行第一盲编程操作。
存储装置及其操作方法

[发明专利]对存储器件进行编程的方法及相关存储器件-CN202011605421.9有效
发明人：魏文喆;刘红涛;游开开;李达;黄莹;王明;宋雅丽;黄德佳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：在包括形成于衬底中的多个存储单元、顶部虚设储存区、底部虚设储存区、多个字线和多个位线的存储器件中，在第一时段期间，对所述多个位线中的选择的位线、所述衬底中的沟道区和所述衬底中的源极区进行预充电，并且在所述第一时段期间，向所述底部虚设储存区施加负预脉冲电压。在所述第一时段之后的第二时段期间，对所述多个存储单元中的选择的存储单元进行编程，其中，所述选择的存储单元被耦合到所述选择的位线和所述多个字线中的选择的字线。
存储器件进行编程方法相关

[发明专利]一种存储器装置、存储器系统及编程操作方法-CN202210382032.7在审
发明人：董志鹏;梁轲 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器装置、存储器系统及编程操作方法。存储器装置包含：具有多个存储块的存储器阵列，每一个存储块布置成具有多个存储子块；每一个存储子块至少包含一个存储单元；以及耦接到存储器阵列的控制电路，控制电路被配置为确定在对多个存储块中的第一存储块执行多遍编程时在非最后遍编程期间将所述第一存储块中的第一存储子块中的存储单元编程至目标编程数据状态执行验证操作的验证循环计数；采用与对第一存储子块相同的编程及验证条件对第一存储块中其他存储子块中的存储单元编程至目标编程数据状态时，在其他存储子块中的存储单元的非最后遍编程中，至少不执行对应于验证循环计数中最后一次的验证操作。
一种存储器装置系统编程操作方法

[发明专利]编程存储器的方法-CN202210087397.7在审
发明人：李逸哲;黄怀莹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种编程存储器的方法，包含在第一时间周期将写入信号的电流位阶设定为不为零的第一数值。在第一时间周期提供写入信号至存储器元件。在第二时间周期将写入信号的电流位阶从不为零的第一数值调整至不为零的第二数值，不为零的第二数值不同于不为零的第一数值。在第二时间周期提供写入信号至存储器元件。在第三时间周期将写入信号的电流位阶从不为零的第二数值调整至第三数值，第三数值不同于不为零的第一数值且不同于不为零的第二数值。在第三时间周期提供写入信号至存储器元件。
编程存储器方法

[发明专利]存储器装置的事件管理-CN202210116795.7在审
发明人： F·克雷希;N·德尔加托;M·图尔科尼;M·帕特里压尔卡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置的事件管理。存储器系统可包含前端FE队列和后端BE。每个队列可包含接口，所述接口可基于某些度量而在中断模式或轮询模式下操作。例如，与所述FE队列相关联的所述接口可基于所述存储器系统的一或多个存储器装置上正在执行的命令的数量是否满足阈值而在轮询模式或中断模式下操作。另外或替代地，与所述BE队列相关联的所述接口可基于与所述存储器系统的一或多个存储器装置上正在执行的一或多个操作相关联的活动逻辑块地址LBA的数量是否满足阈值而在轮询模式或中断模式下操作。
存储器装置事件管理

[发明专利]一种控制编程性能的方法和装置-CN201910356984.X有效
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：温度传感器、时钟频率发生器、编程操作状态机以及编程存储单元，编程操作状态机包括：计数器，所述方法包括：编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证和编程加压操作，编程加压操作包括：接收温度传感器发送的NOR flash存储器的工作温度，根据工作温度调整所述时间，根据调整后的时间完成编程加压操作。本发明在执行编程加压操作时，编程操作状态机根据NOR flash存储器的工作温度，调整单次编程加压操作的时间，完成编程加压操作，控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的编程性能。
一种控制编程性能方法装置

[发明专利]基于写入行为预测的写入控制方法、存储装置及控制电路-CN202210482949.4在审
发明人：王智麟;易凡;曹快;陈阳;陶勤勤;饶东升 -专利权人：合肥兆芯电子有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种基于写入行为预测的写入控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：监测主机系统在第一时间范围内的第一数据写入行为；根据第一数据写入行为，预测主机系统在第二时间范围内的第二数据写入行为；获得对应于第一数据写入行为的第一测量参数与第一目标参数；根据第一测量参数、第一目标参数及第二数据写入行为，决定写入控制参数；以及根据所述写入控制参数发送写入指令序列，以指示可复写式非易失性存储器模块在第二时间范围内基于多个写入模式执行数据写入。藉此，可提高存储器存储装置的数据写入速度的稳定性。
基于写入行为预测控制方法存储装置控制电路

[发明专利]存储器设备以及存储器设备的操作方法-CN202110907830.2在审
发明人：郑升炫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及存储器设备以及存储器设备的操作方法。一种存储器设备可以在不增加存储器设备的尺寸的情况下执行各种存储器测试。存储器设备包括：第一焊盘，用于从存储器控制器接收外部ROM数据；第二焊盘，用于从存储器控制器接收与外部ROM数据相对应的外部时钟信号；以及控制逻辑，连接到第一焊盘和第二焊盘，并且被配置为在测试模式中响应于外部时钟信号来执行与外部ROM数据相对应的操作。
存储器设备以及操作方法

[发明专利]薄膜存储晶体管中冷电子抹除-CN202180007476.6在审
发明人：赛義夫·萨拉胡丁;乔治·莎玛奇沙;武儀·亨利·简;叶利·哈拉里 -专利权人：日升存储公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储晶体管具有位于一通道区及一闸电极之间的一穿隧介电层及一电荷捕捉层，其中当施加一写入电压时，电荷捕捉层具有低于穿隧介电层中穿隧能障的低点的一导带台阶，使得电子直接穿隧进入电荷捕捉层。电荷捕捉层的导带台阶位于‑1.0电子伏特及2.3电子伏特之间。存储晶体管可包括位于穿隧介电层及电荷捕捉层之间的一阻障层，阻障层具有小于电荷捕捉层的导带台阶的一导带台阶。
薄膜存储晶体管电子

[发明专利]非易失性存储器装置-CN202111330921.0在审
发明人：李明雨;金采勳;金志桓;宋仲镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，在第一半导体层中并且包括连接到第一字线和第一位线的第一存储器单元和连接到第一字线和第二位线的第二存储器单元；页缓冲器电路，在第二半导体层中并且包括连接到第一位线的第一页缓冲器和连接到第二位线的第二页缓冲器；以及页缓冲器控制器，在第二半导体层中。页缓冲器控制器控制第一页缓冲器和第二页缓冲器，使得第一页缓冲器的第一感测节点的发展时序与第二页缓冲器的第二感测节点的发展时序不同。第一页缓冲器比第二页缓冲器靠近贯穿电极区域。
非易失性存储器装置

[发明专利]存储器装置-CN202111609730.8在审
发明人：崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本文提供了一种存储器装置，其包括：存储块，其具有连接至字线和位线的存储器单元；页缓冲器，其通过位线连接至存储块，在编程操作期间，被配置为将从外部装置接收的原始数据转换为根据特定数据的数量划分为组的可变数据，并被配置为根据可变数据向位线施加编程使能电压或编程禁止电压；以及数据模式管理器，其被配置为控制页缓冲器在编程操作期间将原始数据转换为可变数据。
存储器装置

[发明专利]页缓冲器、半导体存储器装置及其操作方法-CN202111569308.4在审
发明人：崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本公开涉及页缓冲器、半导体存储器装置及其操作方法。本文提供了一种页缓冲器、具有该页缓冲器的半导体存储器装置以及操作该半导体存储器装置的方法。该页缓冲器包括：多个数据锁存器组件，其联接到感测节点；位线控制器，其联接在位线和感测节点之间，该位线控制器被配置为在编程验证操作期间基于联接到位线的存储器单元的编程状态来控制感测节点的节点值；以及子锁存器组件，其被配置为在编程验证操作期间基于节点值来锁存验证数据，其中，在编程验证操作期间当与编程数据对应的编程状态具有高于目标编程状态的阈值电压分布时，各个数据锁存器组件将节点值设定为第一逻辑值。
缓冲器半导体存储器装置及其操作方法