“G11C16/10”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果1531个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]非易失性存储器及其编程方法、计算机系统-CN202210185454.5在审
发明人：金龙云 -专利权人：东芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供非易失性存储器及其编程方法、计算机系统。非易失性存储器的编程方法包括：对目标编程页面的存储单元施加编程脉冲的编程步骤；对施加编程脉冲后的存储单元进行编程验证，判断存储单元是否被编程的编程验证步骤；及对目标编程页面进行逐列扫描，判断对目标编程页面的编程操作是否成功的数据扫描步骤，重复编程步骤、编程验证步骤及数据扫描步骤，直至对目标编程页面的编程操作成功，该编程方法中，将目标编程页面的存储单元按列划分为多个数据块，在数据扫描步骤中，对各数据块依次进行扫描以判断数据块是否编程成功，在判断为数据块编程成功时，进行下一数据块的扫描，在判断为数据块编程失败时，停止数据扫描。
非易失性存储器及其编程方法计算机系统

[发明专利]在非易失性存储器件中写入数据的方法、非易失性存储器件和操作存储系统的方法-CN202111228000.3在审
发明人：李侊祐;金灿河;李熙元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了在非易失性存储器件中写入数据的方法、执行写入数据的方法的非易失性存储器件以及使用写入数据的方法操作存储系统的方法。在非易失性存储器件中写入数据的方法中，接收写入命令、写入地址和要被编程的写入数据。在表示验证电平的偏移信息被提供时，接收偏移信息。当通过检查写入数据的输入/输出(I/O)模式而确定写入数据对应于分布劣化模式时，提供偏移信息。当接收到偏移信息时，基于偏移信息对写入数据进行编程，使得存储了写入数据的存储单元的阈值电压分布中包括的多个状态当中的至少一个状态改变。
非易失性存储器写入数据方法操作存储系统

[发明专利]进行编程操作的电子设备-CN202110481994.3在审
发明人：梁明浩 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及进行编程操作的电子设备。电子设备包括行控制电路和编程电路。行控制电路适用于在第一模式下激活合成字线选择信号，以用于启用第一熔丝单元和第二熔丝单元。附加地，行控制电路适用于激活第一熔丝访问信号与第二熔丝访问信号中的一者，第一熔丝访问信号用于将熔丝数据存储在第一熔丝单元中或者从第一熔丝单元输出熔丝数据，第二熔丝访问信号用于将熔丝数据存储在第二熔丝单元中或者从第二熔丝单元输出熔丝数据。编程电路被配置为：在第一模式下，基于合成字线选择信号以及第一熔丝访问信号和第二熔丝访问信号，将熔丝数据存储在第一熔丝单元和第二熔丝单元中的一者中。
进行编程操作电子设备

[发明专利]内存控制器及其控制方法-CN202011328277.9在审
发明人：洪武;王道富;荆永鹏 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种内存控制器用于存取多个NAND内存晶粒(dies)。内存控制器包括内部存储器、输出选择电路、控制电路及数据存取电路。内部存储器用于储存所述NAND内存晶粒对应的多组存取设置值。输出选择电路耦接于内部存储器，用于根据输出选择信号选定一NAND内存晶粒的一组存取设置值。控制电路耦接于输出选择电路，用于当存取所述NAND内存晶粒时，产生输出选择信号。数据存取电路耦接于输出选择电路，用于根据该组存取设置值，存取NAND内存晶粒。
内存控制器及其控制方法

[发明专利]具有多个优先级队列的受管理存储器系统-CN202111359715.2在审
发明人： N·德尔加托;M·帕特里压尔卡;A·卡布里;E·孔法洛涅里;A·A·罗韦利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请案是针对具有多个优先级队列的受管理存储器系统。存储器存取命令可从主机接收并存储于命令队列中。可确定分别与第一优先级和第二优先级相关联的第一命令子集和第二命令子集。所述第一子集和第二子集可从所述命令队列分别路由到第一队列和第二队列。可在存储控制器处，根据可依据用于所述第一优先级和第二优先级之间的优先级排序的参数并行地运行的第一处理程序和第二处理程序，处理分别从所述第一队列和第二队列到第三队列和第四队列的所述第一子集和第二子集。与所述命令相关联的数据可从所述主机接收，暂时存储于缓冲器中，随后移动到存储性存储器(对于写入命令)，或者从存储性存储器检索，暂时存储于所述缓冲器中，随后发射到所述主机(对于读取命令)。
具有优先级队列管理存储器系统

[发明专利]一种非易失性存储装置、编程方法及存储器系统-CN202210028189.X在审
发明人：万维俊;盛悦 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种非易失性存储装置，包括：外围电路，外围电路耦接于存储单元阵列，被配置为将第一物理页和第二物理页以缓存编程方式对所述存储单元阵列分别进行相继的第一次编程和第二次编程；外围电路包括分别耦合到位线的多个页缓冲器，每个页缓冲器包括：主锁存器和(N‑1)个数据锁存器和与数据通路耦接的一个缓存锁存器；主锁存器被配置为能够存储第一非物理页信息；外围电路还被配置为在对第一物理页进行编程的过程中，在第2(N‑M)个存储器状态的编程验证通过的情况下使得主锁存器存储的对应第1至第2(N‑M)个存储器状态的标识不同于对应第2(N‑M)+1至第2N个存储器状态的标识，其中M为大于或等于1且小于或等于(N‑2)的整数。
一种非易失性存储装置编程方法存储器系统

[发明专利]一种编程方法、系统、装置和计算机可读存储介质-CN202210105291.5在审
发明人：安友伟;伍惠瑜;刘大海 -专利权人：珠海博雅科技股份有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种编程方法、系统、装置，编程方法包括：获取缓存中的编程数据以及编程数据对应在多比特非易失性存储器中的目标区域；从多个电压挡位中选定一个电压挡位作为目标电压挡位；根据编程数据、目标电压挡位以及编程数据与目标区域中存储单元的地址的对应关系，对编程数据在目标区域中对应的全部存储单元进行编程校验；当存在编程校验不通过的存储单元，根据缓存中的编程数据和目标电压挡位对目标区域中的全部存储单元进行编程，因为在进行编程校验和编程时都是根据选中的目标电压挡位对目标区域中的全部存储单元进行操作，所以可以减少加上存储阵列上的模拟电压的切换次数，从而降低在编程过程中的功耗和减少编程的时间。
一种编程方法系统装置计算机可读存储介质

[发明专利]非易失性存储装置及其编程操作方法、存储系统-CN202111681442.3在审
发明人：黄莹;刘红涛;许锋;闵园园 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种非易失性存储装置及其编程操作方法、存储系统。该非易失性存储装置的编程操作方法包括：对与第一字线连接的、且已执行第一编程操作的多个存储单元中的第一存储单元执行第二编程操作；对与第一字线间隔至少一条第三字线的第二字线连接的第二存储单元执行第一编程操作，第一存储单元和第二存储单元位于第一存储串上；以及对位于除第一存储串以外的同一存储串上的存储单元执行第一子步骤，直至与第一字线连接的多个存储单元完成第二编程操作，与第二字线连接的多个存储单元完成第一编程操作，其中第一子步骤包括：依次对与第一字线连接的存储单元执行第二编程操作，与第二字线连接的存储单元执行第一编程操作。
非易失性存储装置及其编程操作方法存储系统

[发明专利]改善闪存的读取重试的方法、控制器以及相关存储装置-CN201910111370.5有效
发明人：杜建东;蔡璧如;杨宗杰 -专利权人：慧荣科技股份有限公司
申请日： 2019-02-12 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种管理闪存模块的多个存储单元的方法。所述方法包括：针对每一第一存储单元的数据写入时间建立对应于所述第一存储单元的编程时戳；根据所述第一存储单元的所述编程时戳，选择相对应的读取重试表来对所述第一存储单元进行读取操作；以及根据已写入数据的第一存储单元的编程时戳，执行第一刷新操作。通过周期性地对已写入数据的第一存储单元进行刷新，并且在每个使用历程中执行前一个使用历程中有写入的存储单元，本发明能够有效地减少所需的读取重试表的数量。此外，通过周期性地选择第二存储单元的部分进行错误检查，本发明能够更好地保证读读取重试表的数量在减少后仍能有效率地进行读取重试，进而改善读取重试的效率。
改善闪存读取重试方法控制器以及相关存储装置

[发明专利]闪存编程参数确定方法、装置、电子设备及存储介质-CN202010002876.5有效
发明人：董亮;付祥;李永安;郑炜融;杨海峰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请提供一种闪存编程参数确定方法、装置、电子设备及存储介质。本申请提供的闪存编程参数确定方法，包括：先执行第一编程参数组后生成第一测试结果文件，然后根据第一测试结果以及预设遗传算法确定第二编程参数组，再执行第二编程参数组以生成第二测试结果文件，并进行循环优化，从而最后根据多个编程参数组、每个编程参数组对应的测试结果以及预设聚类算法确定预配置编程参数组，其中，预配置编程参数组用于配置闪存的各个编程参数。本申请提供的闪存编程参数确定方法，可以快速高效地调整编程参数，达到缩短闪存编程参数优化时间的目的，减少在闪存开发过程中预配置编程参数组确定过程中的人力投入。
闪存编程参数确定方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种非易失存储器处理方法及装置-CN201810661690.3有效
发明人：马思博;陈飞;舒清明 -专利权人：西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种非易失存储器处理方法及装置，该方法包括：获取非易失存储器中的当前编程脉冲状态；根据所述当前编程脉冲状态，确定调节电压；确定当前编程脉冲对应的第一电压；根据所述调节电压和所述第一电压，确定下一编程脉冲对应的第二电压；在所述下一编程脉冲中，根据所述第二电压进行编程操作。本发明实施例中，第二电压是根据当前的对非易失存储器的实际编程情况确定的，在下一编程脉冲中根据第二电压进行编程操作，可以实现对非易失存储器的整个编程过程中，进行可靠且高效的编程操作。
一种非易失存储器处理方法装置

[发明专利]用于确定读取阈值电压的变化的系统和方法-CN202111190400.X在审
发明人：哈曼·巴蒂亚;张帆 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种存储器系统，该存储器系统包括存储器装置和控制器。控制器基于与读取操作相关联的失败位计数、解码器的错误校正能力和解码器中队列的利用率，确定除了作为先前成功的读取操作中使用的读取阈值电压的历史读取阈值电压之外的读取阈值电压是否将用于下一次读取操作。当确定历史读取阈值电压不用于下一次读取操作时，控制器确定与使用读取阈值电压对存储器装置的存储器单元的读取操作相关联的失败位计数；控制器基于失败位计数确定最佳读取阈值电压。控制器将包括与设置最佳读取阈值电压相关联的参数的第一命令传输到存储器装置。
用于确定读取阈值电压变化系统方法

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN202110525109.7在审
发明人：张仁钟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种存储器系统及其操作方法。存储器系统包括存储器装置和存储器控制器。存储器控制器被配置成：创建坏存储器区域替换表，该坏存储器区域替换表包括多个存储器区域之中的坏存储器区域的状态信息；当出现一个或多个运行时间坏存储器区域时，将一个或多个运行时间坏存储器区域的状态信息添加到坏存储器区域替换表中；以及基于坏存储器区域替换表，将目标坏存储器区域中包括的坏子区域重新映射到被添加到坏存储器区域替换表中的坏存储器区域之中除了目标坏存储器区域之外的剩余坏存储器区域的一个中包括的正常子区域。
存储器系统及其操作方法

[发明专利]存储器装置的块族的基于时间的组合-CN202111399517.9在审
发明人： S·诺埃尔;M·舍佩雷克;V·P·拉亚普鲁;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置的块族的基于时间的组合。一种实例存储器子系统包含：存储器装置；以及处理装置，其可操作地耦合到所述存储器装置。所述处理装置配置成确定所述存储器装置的多个块族中的第一块族和所述多个块族中的第二块族符合接近度条件；确定所述第一块族和所述第二块族是否满足与所述接近度条件相对应的基于时间的组合准则；以及响应于确定所述第一块族和所述第二块族满足所述基于时间的组合准则，合并所述第一块族和所述第二块族。
存储器装置基于时间组合

[发明专利]温度敏感性NAND编程-CN201980045954.5有效
发明人：罗贤钢;J·黄;辉俊胜;H·R·桑吉迪;罗婷;A·瓦什 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本文中公开用于温度敏感性NAND编程的装置和技术。装置控制器可接收将数据写入到所述装置的组件的命令。可响应于所述命令而获得温度，且所述温度可与温度补偿值组合以计算验证级。接着可根据所述验证级执行所述命令。
温度敏感性 nand 编程