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[发明专利]非易失性存储器件-CN201810070942.5有效
发明人：李宗勋;赵恩锡;郑羽杓;南尚完;宋仲镐;李在训;洪玧昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：非易失性存储器件包括：存储单元阵列区域，其中存储单元竖直地堆叠在衬底上；以及页缓冲器，其中布置了第一页缓冲器和第二页缓冲器。存储单元阵列区域和第一页缓冲器之间的第一距离小于存储单元阵列区域和第二页缓冲器之间的第二距离。第一页缓冲器包括响应于第一控制信号驱动的第一晶体管。第二页缓冲器包括响应于与第一控制信号相对应的第二控制信号驱动的第二晶体管。相对于第一晶体管和第二晶体管的设计约束和工艺约束中的至少一个是不同的。
非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器装置-CN202111330921.0在审
发明人：李明雨;金采勳;金志桓;宋仲镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，在第一半导体层中并且包括连接到第一字线和第一位线的第一存储器单元和连接到第一字线和第二位线的第二存储器单元；页缓冲器电路，在第二半导体层中并且包括连接到第一位线的第一页缓冲器和连接到第二位线的第二页缓冲器；以及页缓冲器控制器，在第二半导体层中。页缓冲器控制器控制第一页缓冲器和第二页缓冲器，使得第一页缓冲器的第一感测节点的发展时序与第二页缓冲器的第二感测节点的发展时序不同。第一页缓冲器比第二页缓冲器靠近贯穿电极区域。
非易失性存储器装置

[发明专利]透明聚酰亚胺膜-CN201780078415.2有效
发明人：金善怜;宋仲镐;金东演;吴炫锡;安炅日 -专利权人：株式会社斗山
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种透明聚酰亚胺膜，其由聚酰亚胺形成，该聚酰亚胺包含：衍生自2,2’‑双(三氟甲基)‑4,4’‑二氨基联苯(2,2’‑TFDB)和酸二酐的第一重复单元(A)；以及选自由衍生自醚系二胺和酸二酐的第二重复单元及衍生自非氟化二胺和酸二酐的第三重复单元组成的组中的一种以上的重复单元(B)。
透明聚酰亚胺

[发明专利]非易失性存储器装置-CN201710479198.X有效
发明人： 宋仲镐;白洗献;曹溶成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置可以包括：存储器单元阵列，包括多个平面；页缓冲器，连接到存储器单元阵列，并与多个平面中的每个平面对应；去耦电路。页缓冲器被配置为经由第一节点接收位线电压控制信号(BLSHF)。去耦电路连接到第一节点。去耦电路包括被配置为经由第一节点执行电荷共享的至少一个去耦电容器。
非易失性存储器装置

[发明专利]用于初始化非易失性存储器设备中的通道的设备和方法-CN201911069538.7在审
发明人：赵斗晧;姜奎满;边大锡;宋仲镐;尹治元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G11C7/20 文献下载
摘要：一种用于初始化包括存储器块的非易失性存储器设备中的通道的方法，该存储器块包括多条字线和多条串选择线，该方法包括向多条串选择线施加电压；将穿过块的位线转换成浮动状态；以及释放位线的浮动状态。
用于初始化非易失性存储器设备中的通道方法

[发明专利]非易失性存储装置和编程验证方法-CN201510526556.9有效
发明人：朴一汉;金志锡;宋仲镐;安洋鲁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了非易失性存储装置和编程验证方法。所述编程验证方法用于对多个存储单元编程的非易失性存储装置。所述编程验证方法包括以下步骤：施加多个验证电压，并且基于所述多个验证电压中的一个验证电压来确定是否完成了对所述多个存储单元中的具有不同的目标阈值电压分布的存储单元的编程。
非易失性存储装置编程验证方法

[发明专利]非易失性存储器件及其高压开关电路-CN201810017036.9在审
发明人： 宋仲镐;劝兑晎;李耀翰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件的高压开关电路包括高压晶体管、逻辑和高压开关。高压晶体管基于编程启动电压而导通，并且向第一存储块传送编程电压。所述逻辑基于使能信号和开关控制信号来产生路径选择信号，所述开关控制信号基于非易失性存储器件的操作参数或针对第一存储块的至少一部分的存取地址之一。在第一存储块上的编程操作期间激活所述使能信号。高压开关基于路径选择信号经由多个传送路径之一来向高压晶体管的栅极传送编程启动电压。结果，消除了由编程启动电压产生的负偏置温度不稳定性(NBTI)的影响。
非易失性存储器件高压晶体管启动电压编程高压开关电路开关控制信号路径选择信号存储高压开关使能信号负偏置温度不稳定性传送编程操作期间编程电压操作参数传送路径存取地址导通激活

[发明专利]含成型性良好的环氧树脂的层叠体及其制造方法-CN201180057196.2有效
发明人：南东基;梁东宝;宋仲镐;韩德相;李亢锡;崔有美 -专利权人：株式会社斗山
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： B32B15/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种由印刷电路层、绝缘层和放热金属层构成的金属基印刷电路板用层叠体，其作为绝缘层的树脂组合物，混合高当量环氧树脂和低当量环氧树脂而使用，而且含有大量的无机填料，因此其弯曲性、冲孔性、粘接强度等的成型性能良好，且热传导率高，具有良好的耐电压等电特性。特别是，进行综合成型性能试验的结果表明，本发明的金属基印刷电路板表现出了最佳的成型性能。
成型良好环氧树脂层叠及其制造方法