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[发明专利]一种基于忆阻器阵列的矩阵乘法运算电路及其使用方法-CN202211388381.6在审
发明人：甘朝晖;孔德智 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于忆阻器阵列的矩阵乘法运算电路及其使用方法。其技术方案是：本发明包括采样延时电路(101)、阻值调节电路(102)、矩阵元素存储模块(103)、一级运算电路(104)、矩阵元素存储及运算模块(105)、二级运算电路(106)、矩阵运算结果存储模块(107)、矩阵电阻(108)和矩阵开关电路(109)。当进行矩阵乘法运算时，矩阵元素存储模块(103)所表示的矩阵与矩阵元素存储及运算模块(105)表示的矩阵完成乘法运算，并将运算结果通过阻值调节电路(102)保存到矩阵运算结果存储模块(107)中，计算过程中省去了存储器和运算器之间进行数据传输的过程。本发明能对任意二个包含正数和负数元素的实数矩阵进行矩阵乘法运算，且操作简单、运算速度快。
一种基于忆阻器阵列矩阵乘法运算电路及其使用方法

[发明专利]存储器装置和存储器装置的操作方法-CN202210974191.6在审
发明人：文映朝;黄盛炫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置和存储器装置的操作方法。一种存储器装置可以包括：控制电路，其适用于执行包括编程操作和验证操作的编程循环，编程操作包括对被选字线的编程电压施加操作和对多条位线的位线设置操作，并且验证操作根据预定顺序将(N‑1)个第一验证电压施加到被选字线以针对被选字线中包括的多个存储器单元中的每一个检查N种类型的第一编程状态；以及控制逻辑，其适用于对控制电路进行控制以重复地执行编程循环，直到完成针对被选字线的编程，并且对控制电路进行控制以在第二编程循环中包括的位线设置操作中将N种类型的列电压中的任何一种施加到多条位线中的每一条。
存储器装置操作方法

[发明专利]非易失性存储器件-CN202210913374.7在审
发明人：高贵汉;朴相元;金旼勇;崔齐警;崔准虎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储器件。该存储器件包括：字线，堆叠在衬底上；串选择线，在字线上，该串选择线在第一水平方向上彼此间隔开并在第二水平方向上延伸；以及存储单元阵列，包括存储块，每个存储块包括与字线和串选择线连接的存储单元。串选择线包括第一串选择线和比第一串选择线更远离字线切割区的第二串选择线，并且在对连接到所选字线和第一串选择线的第一存储单元执行的编程操作之前，执行对连接到所选字线和第二串选择线的第二存储单元执行的编程操作。
非易失性存储器

[发明专利]一种单元电路及其动态三态内容寻址存储器-CN202110467990.X有效
发明人：钟宏涛;李学清;曹胜杰;刘勇攀;杨华中 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种单元电路及其动态三态内容寻址存储器。单元电路包括：写操作开关，纳米机电继电器和搜索操作开关。纳米机电继电器包括栅极、漏极和源极，其中漏极和源极之间的通断状态或阻抗状态用来表示所存储的数据。写操作开关与所述纳米机电继电器的栅极连接，以对纳米机电继电器内存储的信息进行写操作；搜索操作开关与纳米机电继电器的漏极或源极连接，用于检测输入数据是否与所述纳米机电继电器内存储的数据匹配。本发明利用纳米机电继电器有效降低了三态内容寻址存储器的写操作功耗，同时提高了三态内容寻址存储器的能量效率，是一类低功耗低延时的动态三态内容寻址存储器。
一种单元电路及其动态三态内容寻址存储器

[发明专利]三维存储器件和用于增强的页寄存器复位的方法-CN202211615579.3在审
发明人： X·智;A·S·蔡 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种具有面的存储器件的编程方法包括：接收编程命令；获得与该编程命令相关联的地址；根据该地址确定面中的第一面；以及使第一面的页寄存器复位而不使面中的一个或多个其余面的一个或多个页寄存器复位。
三维存储器件用于增强寄存器复位方法

[发明专利]闪存设备及其编程方法-CN201811156414.8有效
发明人：申晧荣;吴明姬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种闪存设备包括第一存储器单元、第二存储器单元、行解码器和偏置发生器。第一存储器单元是所选存储器单元，第二存储器单元是与连接到第一存储器单元的位线连接的未选存储器单元。行解码器控制要施加到第一存储器单元的字线电压并控制要施加到第二存储器单元的未选源极线电压。偏置发生器基于随环境温度而改变的第一字线晶体管的阈值电压来生成字线电压，并基于所选位线的电压电平来生成未选源极线电压。
闪存设备及其编程方法

[发明专利]一种基于FGMOS管扩容的忆阻器存储阵列及工作方法-CN202211657882.X在审
发明人：张粮;童祎;蔚仁伟;王宇;何南;连晓娟;万相 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FGMOS管扩容的忆阻器存储阵列及工作方法，充分利用了FGMOS的可编程特点，在双元输出的情况下，不仅可以实现忆阻器存储阵列信号存储和读取，而且通过为每个存储单元的输出信号赋予存储标记信号，通过FGMOS管输出不同的存储标记信号，结合已有的存储信号值，可以数倍地扩充存储阵列的信号存储范围；而且在存储外围工作电路的设计方面，兼顾了忆阻器的性能特点，使用者可以根据是否需要划分信号进行对FGMOS进行状态编程。
一种基于 fgmos 扩容忆阻器存储阵列工作方法

[发明专利]存储器装置、存储器系统及操作存储器装置的方法-CN201910150637.1有效
发明人：金钟旭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：存储器装置、存储器系统及操作存储器装置的方法。本文可以提供存储器装置、存储器系统以及操作存储器装置的方法。当与存储器单元的编程操作或擦除操作相关联的正常操作循环全部失败时，考虑到源极选择晶体管、漏极选择晶体管和虚设单元中的至少一个的劣化状态而执行对正常操作循环中的至少一个进行重复的重试操作。
存储器装置系统操作方法

[实用新型]一种工控平板MCU烧入治具-CN202223166373.5有效
发明人：曾芋田 -专利权人：深圳从平技术有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本实用新型公开一种工控平板MCU烧入治具，其治具主体由手压板、定位板、弹针三部分组成，所述弹针位于治具主体底部的固定板内，所述弹针通过定位板与主板连接固定。所述定位板通过手压板将主板固定在定位板上。所述定位板通过弹针连接主板。所述主板通过手压板进行限位，从而进行定位板内上升下降。本实用新型使用时需要将主板放入定位板上三个定位柱内。使用时主板区分正确方向才可放入MCU烧入治具。本实用新型使用方式简单，满足快速平板主板快速烧入需求，可快速定位烧入点；可提高生产作业效率；治具烧入成功更可靠。
一种平板 mcu 烧入治具

[发明专利]一种非易失性存储器编程方法及相关设备-CN202211422280.6在审
发明人：张博凯;梁剑;李柯;齐良颉;梁洁 -专利权人：国民技术股份有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种非易失性存储器编程方法及相关设备，用于减少总编程时间。本申请实施例方法，应用于编程控制器，所述方法包括：获取目标配置数据，并根据所述目标配置数据对编程控制器进行配置；当所述编程控制器完成配置后，获取总线发送的待编程数据；判断所述待编程数据的数据量是否满足预设的目标数据量；若是，根据所有所述待编程数据对非易失性存储器执行编程操作，以使得所述非易失性存储器进入编程状态。
一种非易失性存储器编程方法相关设备

[发明专利]一种闪存烧写方法、烧写电路、闪存及设备-CN202310079459.4在审
发明人：王德平;郑红丽;何学文;赵慧超;关忠旭;王斯博;杨慧凯;李林男;包呼日查;徐珊珊;龚娜娜 -专利权人：合肥智芯半导体有限公司;中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提出一种闪存烧写方法、烧写电路、闪存及设备，通过在闪存控制器中内置SRAM存储器，通过SRAM存储器缓存Flash扇区的值，以实现硬件电路自动完成对Flash阵列的烧写擦除操作。本申请有效提高Flash同地址多次烧写的效率和便利性，提高Flash的存储实用性；有效降低Flash同地址多次烧写所占用的软件开销和CPU负荷，提高MCU系统的执行效率；所增加的控制电路均为纯数字逻辑设计，硬件开销较小，易于在电路设计中实现，成本低。
一种闪存方法电路设备

[发明专利]用于执行随机操作的非易失性存储器装置-CN201710212175.2有效
发明人：鲜于桢;平野诚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种用于执行随机操作的非易失性存储器装置。一种非易失性存储器装置包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括：多个第一段，具有写入数据；多个第二段，具有定义来自所述多个第一段的编程的段的编程信息。随机化发生器被配置为对写入数据进行随机化。纠错电路被配置为对写入数据执行纠错操作。控制逻辑被配置为确定来自从存储器控制器接收的地址的编程信息，并在编程操作期间基于编程信息的确定来确定是否运行随机化发生器和纠错电路。页缓冲器被配置为在随机化和纠错操作期间存储写入数据和编程信息。
用于执行随机操作非易失性存储器装置

[发明专利]基于编程-挂起时间的编程电压阶跃-CN202211071231.2在审
发明人： J·贝茨;G·卡列洛;P·舒克拉;F·罗里;C·切拉福利;S·A·斯多勒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本公开是针对基于编程‑挂起时间的编程电压阶跃。各种实施例提供在编程算法从挂起恢复之后通过所述编程算法调整(或调适)用以编程存储器单元的编程电压阶跃，其中基于一或多个因素调整(或调适)所述编程电压阶跃。
基于编程挂起时间电压阶跃

[发明专利]存储器系统处的覆写-CN202211053288.X在审
发明人： J·S·帕里;G·卡列洛;R·巴苏 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请案是针对存储器系统处的覆写。存储器系统可被配置成用新数据覆写存储器阵列的部分，这可与省略擦除操作相关联。举例来说，可根据第一分界配置执行写入操作以将信息存储于存储器阵列的一部分处。存储器系统的一部分接着可确定用不同的或经更新的信息覆写所述存储器阵列的所述部分，这可包含根据第二分界配置执行写入操作。所述第二分界配置可与针对一或多个逻辑状态的不同单元特性相关联，所述不同单元特性例如存储的电荷或其它单元性质的不同分布、不同分界特性、不同写入操作以及其它差异，这可支持执行覆写操作而无需首先执行擦除操作。
存储器系统

[发明专利]连续存储器编程操作-CN202211053843.9在审
发明人： V·莫斯基亚诺;A·摩哈马萨德;W·迪·弗朗西斯可;D·斯里尼瓦桑 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请案涉及连续存储器编程操作。一种实例存储器装置包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个导电线的多个存储器单元；和控制器，其耦合到所述存储器阵列。所述控制器执行包括以下各项的操作：相对于所述存储器阵列的存储器单元集执行存储器编程操作，其中所述存储器编程操作包括施加至与所述存储器单元集电耦合的一或多个导电线的编程脉冲序列；响应于接收到执行存储器存取操作的命令，在执行所述编程脉冲序列中的当前编程脉冲之后暂停所述存储器编程操作，其中所述当前编程脉冲在第一电压电平下执行；发起所述存储器存取操作；和通过在超过所述第一电压电平的第二电压电平下执行下一编程脉冲来重新开始所述存储器编程操作。
连续存储器编程操作