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[发明专利]基于短脉冲大电流SiC MOSFET模块热阻测量方法-CN202111482805.0有效
发明人：郭春生;丁珏文;崔绍雄;朱慧;冯士维 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了基于短脉冲大电流的碳化硅MOSFET模块热阻测量方法，可用于碳化硅MOSFET模块或者分立器件的热阻准确测量。所述测量方法的适用条件为，(1)给定了施加栅压的区间；(2)给定了加热栅压与测试栅压的施加条件；(3)给定了测试电流的选取范围；(4)给定了脉冲宽度的选取标准。首先，根据适用条件做出特定测试脉冲电流等级下的校温曲线，得到温敏系数K值，利用测试源表及散热平台先进行碳化硅MOSFET分立器件的热阻测量，通过数据手册上的热阻值验证该测试条件的可行性，并用碳化硅MOSFET模块进行热阻测量的验证。利用该适用条件，可在短脉冲大电流正向导通压降法的基础上，无需增加额外设备，即可实现碳化硅MOSFET模块结温及热阻的测量。
基于脉冲电流 sic mosfet 模块测量方法

[发明专利]一种SiC MOSFET模块内部多芯片温度分布均匀性的无损测试方法-CN202210693852.8在审
发明人：郭春生;李宇濛;赵迪;丁珏文;崔绍雄 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-06-19 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiCMOSFET模块内部多芯片温度分布均匀性的无损测试方法，在SiCMOSFET模块栅极施加一个高栅压，工作在盲区之上，分别施加小电流和长脉宽大电流，获得小电流的温度敏感参数和大电流含有自升温的温度敏感参数；通过反向逆推大电流含有自升温的温度敏感参数，获得未产生自升温的校温曲线，结合小电流的校温曲线，建立校温曲线库；基于校温曲线库，在小电流和长脉宽大电流下，测试升温后模块的两个温度值，计算二者温度结果的差值；根据温度差值的大小与参考温度差值作比较，即可在不破坏模块封装的情况下判断模块内部的温度分布情况。本发明避免了在实际工况下，模块内部多芯片温度分布不均匀、温度差异大，导致个别芯片可靠性明显降低的问题。
一种 sic mosfet 模块内部芯片温度分布均匀无损测试方法

[发明专利]一种SiC MOSFET阈值电压准确测量的方法-CN202210693857.0在审
发明人：郭春生;崔绍雄;丁珏文;王跃;李宇濛 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-06-19 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiCMOSFET阈值电压准确测量的方法，该方法可用于SiCMOSFET器件阈值电压的准确测量。包括：(1)给定施加重置栅压的幅值区间；(2)给定重置栅压脉宽的选取标准；(3)给定测试时扫描栅压的施加条件；(4)给定重置栅压与测试扫描栅压之间时间间隔的选取标准。首先，通过初步测量，获取器件阈值电压范围，根据适用条件施加重置栅压填充SiCMOSFET存在的界面态陷阱，控制重置栅压与测试扫描栅压之间的差值，利用下行扫描的测试方法确定此次测量的阈值电压。利用该适用条件，可在填充陷阱避免阈值电压漂移的基础上，无需增加额外设备，即可保证SiC MOSFET的阈值电压避免滞后效应，实现SiCMOSFET阈值电压的准确测量。
一种 sic mosfet 阈值电压准确测量方法