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[发明专利]一种氟化钙原料表面去杂方法及其装置-CN202310966513.7有效
发明人：洪冬梅;闫娜娜;刘多 -专利权人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种氟化钙原料表面去杂方法及其装置，涉及原料提纯技术领域，一种氟化钙原料表面去杂方法包括以下步骤：S1、将块状原料置于密闭空间内；S2、向块状原料发射等离子体，使等离子体轰击块状原料上的杂质面；S3、维持密闭空间的低压环境并向密闭空间内持续通入惰性气体；S4、多次改变等离子体的能量强度，并使改变能量强度后的等离子体轰击块状原料上的杂质面；S5、将块状原料从密闭空间内取出。本申请中杂质面内的杂质离子经等离子体轰击后被激发而挥发，挥发出来的杂质离子经惰性气体携带出密闭空间，去杂过程中没有新的杂质引入到块状原料上，具有去杂效果更好的效果。
一种氟化钙原料表面方法及其装置

[实用新型]一种真空测量系统及晶体炉-CN202320986448.X有效
发明人：刘景峰 -专利权人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01L21/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生产设备技术领域，公开了一种真空测量系统及晶体炉，所述真空测量系统包括电阻规管、电离规管以及抽真空管路，所述抽真空管路与炉体连通，还包括检测管路和第三阀门，所述电阻规管和电离规管均设置于检测管路上，所述检测管路与炉体之间设置有第三阀门，解决了现有的真空测量系统中更换电阻规管或电离规管的步骤复杂，会导致设备停机处理，不但耽误正常的晶体生长周期，同时造成经济损失的问题。本实用新型将真空测量系统与炉体隔离开来，从而使得更换电阻规管或电离规管时不需要降温停机处理，大大缩短了更换操作的时间，保证设备的稳定运行。
一种真空测量系统晶体

[实用新型]一种晶体生长漂浮物捕捉和籽晶保护装置-CN202321076603.0有效
发明人：刘景峰 -专利权人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长设备技术领域，具体涉及一种晶体生长漂浮物捕捉和籽晶保护装置，包括捕捉器主体和升降机构；捕捉器主体设置在晶体炉内，且设置在坩埚上方；升降机构安装在晶体炉上，与捕捉器主体连接；升降机构用于通过控制捕捉器主体的升降，来控制捕捉器主体对原料熔体表面漂浮物的捕捉。本实用新型通过升降机构以及设置在晶体炉内，并与升降连接的捕捉器主体的设置，对漂浮在坩埚内原料熔体表面的漂浮物进行捕捉；通过对原料熔体表面漂浮物的捕捉，消除了漂浮物对晶体生长过程尤其是引晶阶段的不利影响；通过捕捉器的结构设计，最大限度保护籽晶在生长前期表面不被炉内挥发物污染，提高引晶部位质量，有利于提高晶体生长后的质量。
一种晶体生长漂浮捕捉籽晶保护装置

[实用新型]一种用于制备YAG晶体的自动充气系统-CN202320986445.6有效
发明人：刘景峰 -专利权人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及YAG晶体生产设备的领域，公开了一种用于制备YAG晶体的自动充气系统，用于向炉体内充气，炉体连通氩气管路和二氧化碳管路，还包括控制电路和设置于氩气管路上的氩气电磁阀以及设置于二氧化碳管路上的二氧化碳电磁阀，控制电路分别与氩气电磁阀和二氧化碳电磁阀电连接并控制氩气电磁阀和二氧化碳电磁阀的开闭，解决了传统的人工充气方式难以达到生产工艺的精度要求且工序复杂、操作难度大的问题。本实用新型利用电气控制原理并将相关设备与原有充气环节涉及到的设备相结合，将传统的依靠人工经验的充气操作转化为自动化操作，简化了操作步骤，降低了操作难度，充气精度更高，满足YAG晶体生长的工业化及生产自动化需求。
一种用于制备 yag 晶体自动充气系统

[发明专利]一种氟化钙晶体及其制备方法与应用-CN202311006462.X在审
发明人：刘景峰;洪冬梅;闫娜娜 -专利权人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本申请涉及氟化钙晶体的技术领域，具体公开了一种氟化钙晶体及其制备方法与应用。本申请公开的氟化钙晶体的密度为3.16‑3.19g/cm3，应力双折射≤2.6nm/cm，内透过率（248nm）≥99.4%。本申请还公开了上述氟化钙晶体的制备方法及其应用。本申请提供的方法通过优化引晶的具体步骤，控制籽晶的下降速度、旋转速度、静置时机以及熔体与籽晶之间的润湿时间，在引晶的过程中使籽晶受热均匀，避免晶体受到机械振动的影响，避免了氟化钙晶体在生长过程中产生气泡的问题。
一种氟化钙晶体及其制备方法应用

[发明专利]一种氟化钙晶体的生长方法及氟化钙晶体-CN202310982967.3在审
发明人：刘景峰;闫娜娜;孟春坡 -专利权人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本申请涉及晶体生长技术领域，具体公开了一种氟化钙晶体的生长方法及氟化钙晶体。本申请提供的氟化钙晶体的生长方法包括以下步骤：氟化钙晶体的生长在密闭的晶体炉中进行，在所述生长的过程中，保持所述晶体炉的真空度在20‑80kpa范围内；所述晶体炉的气氛为：体积比为100：（0.016‑0.1）：（0.02‑0.2）的氩气、四氟化碳和氦气。本申请提供的氟化钙晶体的生长方法能够很好地维持晶体生长过程中固液面界面的形状，同时改善氟化钙晶体的导热性能，避免坩埚结晶及肩部气泡的生成，获得位错密度低、透过率高的大尺寸氟化钙晶体。
一种氟化钙晶体生长方法

[发明专利]一种晶体生长装置-CN202310966514.1在审
发明人：洪冬梅;刘景峰;沈秀峰;刘多 -专利权人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶体生长装置，涉及晶体生长所用装置的技术领域，其包括晶体炉和升降机构，升降机构能够带动晶体炉升降，晶体炉包括第一炉体、第二炉体、炉盖和底部炉门，炉盖位于第一炉体上方并与第一炉体连接，第二炉体位于第一炉体下方并与第一炉体连接，底部炉门位于第二炉体下方并与第二炉体连接，第一炉体上开设有第一水冷夹层，第二炉体上开设有第二水冷夹层，炉盖上开设有第三水冷夹层，底部炉门上开设有第四水冷夹层。本申请能够对水冷夹层的温度进行分层控制从而保证晶体炉内的温度梯度。
一种晶体生长装置

[发明专利]一种氟化钙晶体生长原料的提纯处理设备及方法-CN202310966536.8在审
发明人：洪冬梅;刘多;沈秀峰 -专利权人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种氟化钙晶体生长原料的提纯处理设备及方法，涉及材料提纯技术领域，设备包括水冷炉体和用于调节炉体内部气氛的真空系统及充气管路，炉体内设置有坩埚、套筒、加热器和保温层，坩埚上端呈开口状，且与套筒为间隙配合，保温层位于套筒外，且与套筒的外壁之间留有通道，加热器水平滑动设置于通道中。本申请将坩埚固定于套筒内，通过沿水平方向移动加热器，使氟化钙原料在水平区域进行熔融，没有复杂的熔体对流，溶质传输基本依靠水平方向的浓度差，结晶过程是均匀的从一侧向另一侧推进，有效避免晶坨内部出现大量的多晶和缺陷，提高单晶率，增强提纯效果。
一种氟化钙晶体生长原料提纯处理设备方法

[发明专利]一种用于生长大尺寸紫外级氟化钙晶体的提拉法单晶炉-CN202310966517.5在审
发明人：刘景峰;洪冬梅;孟春坡 -专利权人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于生长大尺寸紫外级氟化钙晶体的提拉法单晶炉，涉及新材料制备技术领域，包括生长直径250‑350mm的氟化钙晶体的设备、提供生长大尺寸氟化钙晶体的热场、稳定生长大尺寸氟化钙晶体的双坩埚结构以及生长氟化钙晶体的工艺。本申请通过对热场和设备的重新设计，对核心部件——坩埚的设计和处理以及对氟化钙晶体的生长工艺优化，可以稳定可靠的生长直径250‑350mm的紫外级氟化钙晶体。
一种用于生长尺寸紫外氟化钙晶体提拉法单晶炉

[实用新型]一种大尺寸单晶的退火设备-CN202221364070.1有效
发明人：刘景峰 -专利权人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大尺寸单晶的退火设备，包括炉体、保温层、分体坩埚、加热器组件、坩埚移动架和移动架升降机构；所述分体坩埚由上下两部分嵌合而成，分别设置在保温层侧壁中部及底部坩埚移动架上。所述加热器组件由上部加热器、中部加热器和底部加热器组成。本实用新型大尺寸单晶的退火设备增设底部加热器，使用大容积分体坩埚，设置碎晶料排放和收容结构；使得退火时，晶体的环境温梯分布更细密；有效改善大尺寸单晶退火完成后的应力分布，减少晶体缺陷。
一种尺寸退火设备

[实用新型]一种籽晶更换装置-CN202221364104.7有效
发明人：刘景峰 -专利权人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种籽晶更换装置，包括在籽晶杆下端设置的多籽晶夹头、驱动所述多籽晶夹头翻转的籽晶翻转机构以及驱动所述籽晶翻转机构的驱动单元。本实用新型籽晶更换装置通过在籽晶杆下端设置备用籽晶，在籽晶杆上设置备用籽晶翻转机构，使得经上下翻转180度，备用籽晶可以替代初始用籽晶，不需要进行调中操作；也无需重新对上部管道内抽真空；能够比阀门型更省时，提高生产效率。
一种籽晶更换装置

[实用新型]一种柱形光学元件的柱面镀膜夹具-CN202221646023.6有效
发明人：刘景峰 -专利权人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种柱形光学元件的柱面镀膜夹具，包括：能够配合安装到镀膜机镀膜盘开孔处的安装盘，翻转装置，夹持结构；安装盘上开设安装孔，两个夹持结构分别安装到安装孔的相对侧边缘处，若干柱形光学元件对应安装孔活动夹持在两个夹持结构之间；翻转装置包括电机和与电机驱动轴连接的传动结构，传动结构与光学元件一端固定连接。本实用新型柱形光学元件的柱面镀膜夹具，通过夹持结构对柱形光学元件的两端活动夹持，使需要镀膜的柱面对应到安装孔处，驱动电机通过传动结构带动光学元件旋转，达到对光学元件柱面完整镀膜的目的。
一种光学元件柱面镀膜夹具

[实用新型]一种真空镀膜机的内观察窗-CN202221463571.5有效
发明人：刘景峰 -专利权人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C23C14/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种真空镀膜机的内观察窗，包括：安装到真空镀膜机内观察口处的安装板，玻璃片；所述安装板上开设内观察口和固定孔，所述玻璃片覆盖安装到所述内观察口处，所述安装板通过所述固定孔固定到所述镀膜机上。本实用新型内观察窗的玻璃片安装到安装板上，透过该玻璃板的视野区域能够满足对光学元件的观察，镀膜机工作一段时间后，可将安装板取下后再更换玻璃片，便于玻璃片的更换，同时，由于玻璃片尺寸的减小，减少了玻璃的消耗，更加经济、实用。
一种真空镀膜观察窗

[实用新型]一种光学元件的异形镀膜夹具-CN202221320213.9有效
发明人：刘景峰 -专利权人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光学元件的异形镀膜夹具，包括：镀膜盘，元件安装盘，压板，夹持固定结构；镀膜盘能够配合安装到镀膜机大盘开孔中，镀膜盘开设若干个安装孔，安装孔边缘设置下沉的支撑台，元件安装盘中部设置与光学元件外形配合的安装槽，安装槽的底壁上开设异形孔；元件安装盘插装到安装孔中且元件安装盘外缘支撑到支撑台上，安装到元件安装盘的安装槽中的光学元件高于镀膜盘表面，光学元件和元件安装盘夹持在压板和镀膜盘之间，夹持固定结构用于将压板和镀膜盘夹持固定。该异形镀膜夹具，在元件安装盘开设异形孔，以便通过异形孔向光学元件表面相应区域镀膜，使用夹持元件数量较少，便于光学元件的夹持固定。
一种光学元件异形镀膜夹具

[实用新型]一种氟化钙晶体生长装置-CN202221017702.7有效
发明人：刘景峰 -专利权人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氟化钙晶体生长装置，包括坩埚托和容纳坩埚漏料的漏料仓；所述漏料仓设置在所述坩埚托的下方。本实用新型氟化钙晶体生长装置通过在底部设置漏料仓，对漏料进行收集；从而防止漏料对生长装置底座表面及底座的破坏；避免因设备漏料后的维护周期而耽误生产。通过分类处理，降低了漏料的污染程度，有利于漏料的回收利用。
一种氟化钙晶体生长装置

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