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[发明专利]致密靶-CN202180049275.2在审
发明人： W·德博斯谢尔;I·卡雷蒂吉安加斯普罗;J·S·苏布拉马尼安;J·D·埃德尔 -专利权人：梭莱先进镀膜工业公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：溅射靶包括具有至少600mm长度的至少一个单片。所述溅射靶包含背衬结构，该背衬结构设置有用于溅射的靶材料。靶材料的至少40质量％包括所谓的靶挥发性材料，所述靶挥发性材料在700hPa至1300hPa的压力下显示出升华温度，或低于其熔点的分解温度，或彼此接近的熔化温度和绝对沸腾温度。所述溅射靶的靶材料密度是靶材料理论密度的至少95％。该溅射靶包含介于背衬结构和靶材料之间的厚度为0至500μm的结合层。
致密

[发明专利]一种A位高熵钙钛矿ReMnO3-CN202111469600.9有效
发明人：石宗墨;魏剑;张军战;李蕾蕾;王斐 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于氧化物热电陶瓷材料技术领域，尤其是一种A位高熵钙钛矿ReMnO3热电陶瓷及其制备方法，步骤一、制备高熵氧化物热电粉体材料，以纯的CaCO3、SrCO3、BaCO3、Y2O3、Nd2O3、Ho2O3和MnO2为原料，按照化学计量比称重，将原料放入球磨罐内进行球磨混合。该A位高熵钙钛矿ReMnO3热电陶瓷及其制备方法，制备过程具体为以CaCO3、SrCO3、BaCO3、Y2O3、Nd2O3、Ho2O3和MnO2为原料，经过球磨混合、预烧，制得高熵热电粉体材料，再经过将高熵粉体造粒、压制和空气下烧结，制得具有高纯度、低电阻率的热电陶瓷材料。
一种位高熵钙钛矿 remno base sub

[发明专利]一种ITO废料的回收加工方法-CN202110582290.5有效
发明人：刘文杰;钟小华;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种ITO废料的回收加工方法。本发明所述方法为：将ITO废料依次经过脱脂烧结，第一次烧结，均质混料，第二次烧结得到所述ITO靶材；所述均质混料为将ITO粗粉和ITO细粉进行混料后，加入粘结剂搅拌均匀静置得到混合物料。本发明将ITO废料从新回收加工为新的高密度低电阻率的ITO靶材，节约资源，降低生产成本，且本发明将ITO粗粉和ITO细粉混合，增加ITO粉料的粒度分布，使ITO靶材内部存在孔隙，避免ITO靶材在蒸镀过程中加热开裂。通过本发明所述回收加工方法制备的ITO靶材密度为4.42～4.58g/cm3，电阻率低至1360.12μΩ.cm，而且无开裂和变形现象。
一种 ito 废料回收加工方法

[发明专利]一种3D打印多孔珊瑚及其制备方法-CN202111102877.8有效
发明人：黄爱宾;徐睿;刘彩凤 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D打印多孔珊瑚及其制备方法，本发明制备方法按如下步骤进行：一、按如下物料的重量分数配制陶泥：黏土：5‑15份；碳酸钙：50‑65份；Mxene粉末：1‑3份；乙交酯：1‑2份；硫酸钙：0‑8份；羟基磷灰石：5‑10份；羧甲基壳聚糖：1‑2份；花青素：0‑1份；姜黄素：0‑0.8份；过碳酸钠：0‑5份；去离子水：8‑20份；上述物料配制而成陶泥经高速搅拌分散，制成浆料；二、使用3D打印机将浆料打印成股骨形状结构珊瑚坯体，压缩空气吹扫吹干；三、将珊瑚坯体在乳酸的乙醇与水混合溶液中浸泡处理；四、将处理后的珊瑚坯体放置入微波炉中进行加热烧制，自然冷却后取出，制得3D打印多孔珊瑚。发明3D打印多孔珊瑚具有安全无毒、机械强度高等优点。
一种打印多孔珊瑚及其制备方法

[发明专利]一种铝酸锶长余辉发光陶瓷及其制备方法-CN202211572866.0在审
发明人：李江;李廷松;刘强;代正发;陈鹏辉;谢腾飞;袁强 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;江苏大学
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝酸锶长余辉发光陶瓷及其制备方法，结构为稀土元素掺杂的SrAlO结构，余辉发光强度最高可达7000mcd/m2，余辉时间最长可达30h(0.32mcd/m2)，包括称取原料粉体，混合、球磨、烘干、过筛、煅烧、成型、烧结后得到长余辉发光陶瓷。本发明的技术方案制备陶瓷具有绿色、蓝色、红色长余辉发光，且具有一定的翡翠光泽，可以用作辅助照明、夜间指示、高端装饰等节能环保场景，陶瓷合成方法为固相反应法，成本低、操作简单，适合大尺寸、大批量工业化生产。
一种铝酸锶长余辉发光陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种稀土掺杂X-IGZO靶材及其制备方法-CN202211346881.3在审
发明人：王志强;张兵;曾墩风;马建保;陶成 -专利权人：芜湖映日科技股份有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂X‑IGZO靶材及其制备方法，属于靶材技术领域。所述X‑IGZO靶材的粉体成分包括稀土氧化物粉末、氧化铟、氧化镓、氧化锌粉末，所述的稀土氧化物粉末为氧化镧、氧化镨、氧化钕任何之一或者其中两种混合物，所述稀土氧化物粉末的质量含量为总质量1％‑3％；所述氧化镓质量含量为总质量15％，所述氧化锌质量含量为总质量20％，余量为氧化铟。制备工艺采取独特的球磨粗磨+精磨+纳米砂磨三步法工艺，可以确保稀有氧化物粉末在整个粉体中分布的均匀性，确保了烧结后的靶材密度、电阻率、晶粒尺寸的均匀性，从而为客户指标发出高性能的TFT基建打下了基础。可以解决IGZO迁移率低、稳定性差的根本性问题。
一种稀土掺杂 igzo 及其制备方法

[发明专利]一种细晶IZO靶材制备方法-CN202211346941.1在审
发明人：王志强;张兵;曾墩风;马建保;陶成 -专利权人：芜湖映日科技股份有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种细晶IZO靶材制备方法，属于靶材技术领域。使用BET30m2/g以上的纳米氧化锌粉末，首先将氧化锌粉末湿法球磨得到浆料，再加入氧化铟粉末湿法球磨，粉末质量比，氧化铟：氧化锌＝90:10，得到IZO浆料；而后喷雾造粒，冷等静压成型，烧结，最后机械加工而成。该工艺制备IZO粉末，粉末均匀，可以制备高密度的靶材。烧结温度采用1300℃以上，采用0.03‑0.05℃/min慢速升温方式，制得超高密度，晶粒尺寸小的IZO靶材。
一种 izo 制备方法

[发明专利]一种材料型选择性辐射器及其制备方法-CN202211322118.7在审
发明人：房正刚;陆春华;冯迪;汤林玲;郑崇;徐文斌;倪亚茹;许仲梓 -专利权人：南京工业大学;北京环境特性研究所
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种材料型选择性辐射器及其制备方法。所述辐射器材料为钴基尖晶石结构陶瓷，化学组分表达式为CoMxN2‑xO4，其中M和N均为Al、Fe、Cr或Ga中的一种或几种，0≤x≤2。将含Co、M、N元素的原料粉料按比例混合、球磨、干燥后放入马弗炉中预烧，预烧粉经研磨、过筛后进行压片，最后经高温烧结制得性能优异的选择性辐射材料。本发明所述的辐射器具有光谱效率高、耐高温、抗氧化和抗热冲击等优点，能实现对不同热源的高效热释光转换，可简化热光伏系统结构并显著提高系统效率。
一种材料选择性辐射器及其制备方法

[发明专利]用于制造由陶瓷材料制成的多孔耐磨涂层的方法-CN201980068428.0有效
发明人：菲利普·查尔斯·阿兰·勒·比安;尼古拉斯·德罗兹;卢多维奇·菲利普·利亚斯;谢尔盖·乔治·弗拉基米尔·塞莱兹涅夫 -专利权人：赛峰航空器发动机
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造多孔耐磨涂层的方法，包括用由玻璃或热固性聚合物制成的中空珠和浆料填充模具的步骤，以及涉及烧结热处理以获得包括孔隙(14)的陶瓷材料层(12)的步骤，用于烧结陶瓷件的原料混合物的最高烧结温度或者高于中空玻璃珠(16B)的熔化温度，使得在烧结热处理结束时中空玻璃珠(16B)已经熔化，或者高于中空热固性聚合物珠(16B)的分解温度，使得在烧结热处理结束时，中空热固性聚合物珠(16B)已经分解。
用于制造陶瓷材料制成多孔耐磨涂层方法

[发明专利]梯度多孔陶瓷预制体、铝合金增韧陶瓷复合材料及制备-CN202111071733.0有效
发明人：贠柯;鲁元;王若虹;张建龙;刘金娥;毕成;杨旭 -专利权人：西安特种设备检验检测院
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度多孔陶瓷预制体、铝合金增韧陶瓷复合材料及制备。该梯度多孔陶瓷预制体包括依次设置的第一多孔陶瓷预制体层、第二多孔陶瓷预制体层、第三多孔陶瓷预制体层、第四多孔陶瓷预制体层和第五多孔陶瓷预制体层；所述第一多孔陶瓷预制体层的气孔率、第二多孔陶瓷预制体层的气孔率、第三多孔陶瓷预制体层的气孔率、第四多孔陶瓷预制体层的气孔率和第五多孔陶瓷预制体层的气孔率依次增大。本发明的梯度多孔陶瓷预制体通过五层叠设的结构，具有良好的耐蚀性、高比模量、高比强度和高耐磨性，同时在高温环境下能表现出良好的性能，符合安全钳楔块的性能需求，在电梯安全钳楔块制造领域具有广阔的应用前景。
梯度多孔陶瓷预制铝合金复合材料制备

[发明专利]一种微波法制备镍铝掺杂的ITO靶材-CN202210986674.8有效
发明人：张莉兰;徐蒙;钟小华;高建成 -专利权人：先导薄膜材料有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种微波法制备镍铝掺杂的ITO靶材，属于太阳能电池技术领域，制备步骤如下：将硫酸铟、硫酸锡、硫酸铝和硫酸镍加入容器中并在容器中加入蒸馏水作为溶剂，将容器放入微波炉中，调整微波功率，用氢氧化钠溶液调节pH值为5‑9.5，得到沉淀悬浮物；将沉淀悬浮物使用混合液进行离心洗涤，得到氢氧化物沉淀；将氢氧化物沉淀煅烧，得到氧化物粉体；将氧化物粉体、添加剂和蒸馏水混合，砂磨，喷雾干燥，得到前驱体粉末；将前驱体粉末装入模具，冷等静压成型，烧结，得到镍，铝掺杂的I TO靶材，该靶材溅射成膜后电子迁移率70‑90cm2V‑1s‑1，粒度分布均匀，在太阳能电池制造中具有极大的应用价值。
一种微波法制备镍铝掺杂 ito 靶材

[发明专利]一种耐高温轻质透波多孔Al5-CN202211327040.8在审
发明人：任忆箫;孙银洁;戴付志;向会敏;周延春 -专利权人：航天材料及工艺研究所
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐高温轻质透波多孔Al5BO9陶瓷材料的制备方法，包括将Al2O3粉和B2O3粉混合，得到混合原料粉；在混合原料粉中加入分散剂，得到浆料；对浆料依次进行球磨、干燥、研磨和过筛，得到粉料；利用粉料进行冷压成型，得到素坯块体；将素坯块体烧结后得到多孔Al5BO9陶瓷。本发明还公开了一种由上述制备方法得到的多孔Al5BO9陶瓷材料，密度范围为1.20g/cm3～2.00g/cm3，孔隙率范围为30％～70％，是一种低密度、低热导率、低介电常数、高压缩强度的多孔硼铝酸盐陶瓷材料，可用于高温透波材料领域。
一种耐高温轻质透波多孔 al base sub

[发明专利]一种氧化镍基靶材的制备方法与应用-CN202211396319.1在审
发明人：刘永成;陈明飞;郭梓旋;王金科;徐胜利;莫国仁;龙泷;谭宏;陈明高;王志杰;李跃辉;江长久 -专利权人：长沙壹纳光电材料有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镍基靶材的制备方法与应用，包括以下制备步骤：步骤S1、将氧化镍基粉末材料、分散剂、粘结剂和水制成浆料，经喷雾造粒后得到球型氧化镍基颗粒；步骤S2、将所述球型氧化镍基颗粒进行模压成型、冷等静压后得毛坯靶材；步骤S3、将所述毛坯靶材进行脱胶处理，然后经分段烧结后降温即得。采用本发明方法制得的氧化镍基靶材相对密度高，不易开裂，可广泛应用于太阳能电池的制备。
一种氧化镍基靶材制备方法应用

[发明专利]LTCC微波介质陶瓷材料及其制造方法-CN202110438171.2有效
发明人：冒旭;王秀红;黄庆焕;王津;艾晨霞 -专利权人：无锡市高宇晟新材料科技有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种LTCC微波介质陶瓷材料，所述微波介质陶瓷材料的反应物原料包括BaCO3、Li2CO3、MoO2和TeO2，其组成表达式为Ba2LixMoyTe1‑yO6，其中，0.8≤x≤1且0.3≤y≤0.7。还提供了一种LTCC微波介质陶瓷材料的制造方法。首先，Li2CO3为低熔点氧化物，在烧结时会形成液相从而促进烧结致密化，并且可以保持微波材料的介电性能；其次，通过离子置换，将化学性质和物理性质较为相似的金属离子进行替换(Mo替换Te)可以降低晶格堆积密度并且降低键强，从而可以降低陶瓷材料的烧结温度。因此，所述陶瓷材料不需要添加烧结助剂，能够在较低温度850℃～900℃下完成烧结致密化，可以极大程度降低体系中的烧结助剂对陶瓷材料介电性能的影响，使其具有优异的性能。
ltcc 微波介质陶瓷材料及其制造方法

[发明专利]一种掺杂氧化镉靶材及其制备方法与应用-CN202110447851.0有效
发明人：文崇斌;朱刘;童培云;曾成亮;余芳 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟掺杂氧化镉的靶材及其制备方法与应用，所述掺杂氧化镉靶材的制备方法包括如下步骤：(1)将氧化镉粉末和氧化铟粉末按CdO:In2O3＝95～99.5:0.5～5的质量比进行球磨混合均匀；(2)将步骤(1)所得混料装入模具中，然后放入真空热压炉中；(3)对真空热压炉进行抽真空，当真空度≤10Pa后，开启加热，700～800℃保温1～3h，其中，保温10～50min后开始加压，加压压力为10～40MPa，保压时间为20～40min，当温度降至400～600℃后，将压力降至3～15MPa；(4)当温度降至室温后，开炉门，脱模，即得所述掺杂氧化镉靶材。本发明的靶材的晶粒尺寸＜10μm，抗弯强度＞80MPa，溅射效果好，用于溅射制备CdO基导电薄膜时可使薄膜中含In，扩宽了薄膜的透光波段，不会引入其它杂质，溅射条件的要求低。
一种掺杂氧化镉靶材及其制备方法应用