专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种三明治型Ag复合Ca3-CN202310719243.X在审
  • 石宗墨;赵德森;魏剑;张军战;刘源 - 西安建筑科技大学
  • 2023-06-16 - 2023-10-24 - C04B35/622
  • 一种三明治型Ag复合Ca3Co4O9基热电织构材料及其制备方法,所述热电织构材料的化学组成为[Ca3Co4O9/Ag/Ca3Co4O9]n,其中,n为1‑5;本发明通过高温烧结获得Ag和Dy共掺杂的Ca3Co4O9热电织构基体,利用模板晶粒生长工艺结合流延成型工艺得到Ca3Co4O9素坯体,将Ag浆料通过丝网印刷到素坯体上,通过放电等离子烧结制备出三明治型Ag复合Ca3Co4O9基热电织构材料,该复合材料具有织构晶粒尺寸分布均匀、织构度高、密度大以及热电性能优良的特点;本发明制备方法工艺简单、原材料成本低、结构设计性强,有利于加大对热电织构复合材料的热电性能的调控程度。
  • 一种三明治ag复合cabasesub
  • [发明专利]一种A位高熵钙钛矿ReMnO3-CN202111469600.9有效
  • 石宗墨;魏剑;张军战;李蕾蕾;王斐 - 西安建筑科技大学
  • 2021-12-03 - 2023-03-21 - C04B35/01
  • 本发明属于氧化物热电陶瓷材料技术领域,尤其是一种A位高熵钙钛矿ReMnO3热电陶瓷及其制备方法,步骤一、制备高熵氧化物热电粉体材料,以纯的CaCO3、SrCO3、BaCO3、Y2O3、Nd2O3、Ho2O3和MnO2为原料,按照化学计量比称重,将原料放入球磨罐内进行球磨混合。该A位高熵钙钛矿ReMnO3热电陶瓷及其制备方法,制备过程具体为以CaCO3、SrCO3、BaCO3、Y2O3、Nd2O3、Ho2O3和MnO2为原料,经过球磨混合、预烧,制得高熵热电粉体材料,再经过将高熵粉体造粒、压制和空气下烧结,制得具有高纯度、低电阻率的热电陶瓷材料。
  • 一种位高熵钙钛矿remnobasesub
  • [发明专利]一种碳化硅纳米线的制备方法-CN201910045268.X有效
  • 魏剑;李雪婷;张昊;张军战 - 西安建筑科技大学
  • 2019-01-17 - 2021-09-14 - D01F9/08
  • 一种碳化硅纳米线的制备方法,将硅溶胶与酚醛树脂的均匀混合溶液加入聚乙烯醇水溶液中,制取纺丝先驱体溶液;使用静电纺丝设备对纺丝先驱体溶液进行纺丝,得到纳米线先驱体薄膜;将所得纳米线先驱体薄膜烘干至恒重,得到干燥的纳米线先驱体薄膜;将所得干燥的纳米线先驱体薄膜进行预氧化;将所得预氧化后的纳米线先驱体薄膜在真空气氛下1200‑1600℃加热,之后降至室温;将降温后产物在空气气氛下400‑600℃加热除去残余的碳,得到由高纯度碳化硅纳米线组成的灰绿色柔性薄膜。本发明采用静电纺丝技术,实现了高纯度碳化硅纳米线及其薄膜的安全、高效且低成本地制备。
  • 一种碳化硅纳米制备方法
  • [发明专利]一种孔结构可控的Si-O-C大孔陶瓷的制备方法-CN201610980730.1有效
  • 张军战;张颖;张海昇 - 西安建筑科技大学
  • 2016-11-08 - 2019-11-05 - C04B38/00
  • 本发明涉及一种孔结构可控的Si‑O‑C大孔陶瓷的制备方法,选用硅树脂为陶瓷先驱体,预固化硅树脂微粉为填料;首先,将硅树脂与预固化硅树脂微粉按照(5~30):(70~95)的质量百分比混合均匀,将无水乙醇加入混合粉并搅拌均匀后,在钢模中压制成型;随后,将成型好的素坯干燥并进行二次固化制得多孔陶瓷坯体;最后,将坯体在惰性气氛下进行高温裂解,制得Si‑O‑C大孔陶瓷;本发明制备的Si‑O‑C大孔陶瓷具有孔结构与组成可控、强度高等特点;该方法的优点在于无需添加造孔剂、发泡剂,无需热压,制备工艺简单,成本低廉,易于工业化生产。
  • 一种结构可控si陶瓷制备方法
  • [发明专利]一种碳化硅晶须/碳化硅颗粒复合粉体的制备与应用-CN201610980264.7有效
  • 张军战;张颖;高云琴 - 西安建筑科技大学
  • 2016-11-08 - 2019-10-25 - C04B35/584
  • 本发明公开了一种利用固相反应法合成碳化硅晶须/碳化硅颗粒复合粉,并进一步通过烧结获得SiC晶须/SiC颗粒协同增韧氮化硅多孔陶瓷的方法;首先制备SiC晶须/SiC颗粒复合粉,以氮化硅和炭黑为原料、氧化硼为催化剂,氩气气氛下在高温炉中高温合成,自然冷却至室温后,在氧化气氛下除碳得到SiC晶须/SiC颗粒复合粉;随后,将此复合粉和氮化硅按一定比例混合,加入烧结助剂和结合剂,冷等静压成型,干燥、烧结,得到SiC晶须/SiC颗粒协同增韧氮化硅多孔陶瓷气。所得到的该多孔陶瓷气的气孔率在38%以上,与未加SiC晶须/SiC颗粒复合粉的材料相比,弯曲强度提高18%以上,断裂韧性提高80%以上;所得到的这种材料能明显改善氮化硅陶瓷的脆性,且生产成本低,制备方法简单。
  • 一种碳化硅颗粒复合制备应用
  • [发明专利]低气孔率反应烧结氮化硅结合碳化硅陶瓷材料的制备方法-CN201710035387.8有效
  • 张军战;张颖 - 西安建筑科技大学
  • 2017-01-17 - 2019-04-02 - C04B35/565
  • 本发明公开了一种低气孔率反应烧结氮化硅结合碳化硅陶瓷材料的制备方法,通过反应烧结法,结合致密化技术,获得低气孔率氮化硅结合碳化硅陶瓷材料,具体制备方法是:(1)将两种粒度的SiC颗粒混合后加入硅溶胶搅拌均匀;(2)添加经过预处理的金属Si粉和SiC粉,将浆料搅拌均匀,静置后加入促凝剂,再次搅拌;(3)将浆料迅速注入模具中,振动成型,干燥后脱模;(4)将制得的素坯在氯化铝溶液中真空浸渍两遍;(5)在氮气气氛下反应烧结,得到反应烧结氮化硅结合碳化硅陶瓷材料;与现有注浆成型技术相比,本发明制备的反应烧结氮化硅结合碳化硅陶瓷不需要石膏模具,可在不明显增加生产成本的情况下,显著降低材料的气孔率,提高体积密度。
  • 气孔率反应烧结氮化结合碳化硅陶瓷材料制备方法

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