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[发明专利]从IZO废料中回收有价值金属的方法-CN200880127855.3有效
发明人：新藤裕一朗;竹本幸一 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2008-12-09 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： C25C1/16 文献下载
摘要：一种从IZO废料中回收有价值金属的方法，其特征在于，通过使用不溶性电极作为阳极，并且使用IZO废料作为阴极进行电解，将IZO废料以铟和锌的金属或低氧化物的形式进行回收。本发明提供从铟-锌氧化物(IZO)溅射靶或制造时产生的IZO边角料等IZO废料中有效地回收铟和锌的方法。
izo 废料回收有价值金属方法

[发明专利]IZO薄膜制备方法及物理气相沉积设备-CN202110868762.3在审
发明人：杜立勇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供IZO薄膜制备方法及物理气相沉积设备，包括：制备IZO陶瓷靶材，其中，IZO陶瓷靶材由In2O3和ZnO烧结而成；采用物理气相沉积工艺并利用IZO陶瓷靶材在晶圆上制备IZO薄膜。本发明提供的IZO薄膜制备方法及物理气相沉积设备的技术方案，可以实现大尺寸晶圆镀膜的同时无需增大工艺腔室的体积，降低了工艺成本和工艺复杂性。
izo 薄膜制备方法及物理气沉积设备

[发明专利]一种IZO靶材的回收方法-CN202110537592.0在审
发明人：李开杰;邵学亮;张来稳;司振华;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种IZO靶材的回收方法，属于靶材回收再生领域。本发明所述IZO靶材的回收方法首先将回收靶材经过抛光及热处理去除靶材原有的粗铟及部分杂质，随后粉碎至微米级别粉末并在高温烧结以进一步提纯，随后将新粉与所得粉末混合球磨至合适尺寸，最终经喷雾造粒得到纯度较高，粒度均匀细小，可进一步制备高密度靶材的IZO粉末；所述方法操作步骤简单，可实施工业化大规模生产，所述IZO靶材的回收利用率高，经济效益高；本发明还公开了一种由所述IZO粉末制备IZO靶材的方法，所述IZO粉末经压制成型及烧结后的IZO靶材纯度较高，密致紧实，相对密度大于98.5％。
一种 izo 回收方法

[发明专利]从IZO废料中回收有价值金属的方法-CN200980104860.7有效
发明人：新藤裕一朗;竹本幸一 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2009-01-30 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C25C1/22 文献下载
摘要：一种从IZO废料中回收有价值金属的方法，其特征在于，使用不溶性电极作为阳极或阴极，并且使用IZO废料作为各自的对极即另一个阴极或阳极，使极性周期性反转进行电解，将IZO废料以铟和锌的氢氧化物形式进行回收；和所述的从IZO废料中回收有价值金属的方法，其特征在于，将通过所述电解得到的铟和锌的氢氧化物进行焙烧，以铟和锌的氧化物形式进行回收。本发明提供从铟-锌氧化物(IZO)溅射靶或制造时产生的IZO边角料等IZO废料中有效地回收铟和锌的方法。
izo 废料回收有价值金属方法

[发明专利]从IZO废料中回收有价值金属的方法-CN200980104782.0有效
发明人：新藤裕一朗;竹本幸一 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2009-01-30 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C25C1/22 文献下载
摘要：一种从IZO废料中回收有价值金属的方法，其特征在于，通过使用IZO废料作为阳极和阴极，并使极性周期性反转进行电解，将铟和锌以氢氧化物形式进行回收；和所述的从IZO废料中回收有价值金属的方法，其特征在于，本发明提供从铟-锌氧化物(IZO)溅射靶或制造时产生的IZO边角料等IZO废料中有效地回收铟和锌的方法。
izo 废料回收有价值金属方法

[发明专利]IZO薄膜及其制备方法-CN202310707873.5在审
发明人：王之君;韩冰雪;孙本双;王成铎;陈杰;刘洋;刘苗;曾学云 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种IZO薄膜及其制备方法。IZO薄膜的制备方法包括：将石英玻璃片粘贴在磁控溅射腔体内的基板上，将IZO靶材设置在磁控溅射腔体内，并调整IZO靶材与基板的距离为50～90mm；对磁控溅射腔体抽真空，至4～6×10IZO靶材进行磁控溅射，得到IZO薄膜。
izo 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种蓝色IZO粉末及其制备方法-CN202211615697.4在审
发明人：李开杰;邵学亮;李晴晴;王奇峰;谭洪蕾 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种蓝色IZO粉末的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将氧化铟、氧化锌、二氧化锡、分散剂、纯水混合，得到浆料一；步骤2：将步骤1制得浆料一进行喷雾造粒，得到黄色IZO前驱体粉末；步骤3：将步骤2制得的黄色IZO前驱体粉末中加入还原剂，经乳化剪切机剪切后加入到高压釜中，经热处理后固液分离，得到蓝色沉淀物；步骤4：将步骤3制得的蓝色沉淀物用纯水洗涤、烘干、得到蓝色IZO粉末。通过该方法制备出的蓝色IZO粉末具有较高的氧空位浓度，进而提高了其载流子浓度和导电能力，此外，还公开了一种蓝色IZO粉末。
一种蓝色 izo 粉末及其制备方法

[发明专利]一种IZO靶材前驱体及其制备方法与应用-CN202110625158.8有效
发明人：陈明飞;刘永成;郭梓旋;徐胜利;王志杰;江长久;陈明高 -专利权人：长沙壹纳光电材料有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种IZO靶材前驱体及其制备方法与应用，该前驱体包括以下组分：氧化铟和氧化锌；所述氧化铟和所述氧化锌的质量比为1:0.05～0.2；所述IZO靶材前驱体的比表面积在5m2本发明通过控制前驱体的制备方法解决了IZO靶材的均匀性问题；本发明的制备方法减少了IZO粉体的机械混合破碎工序，减少了混合破碎过程中杂质的引入；同时还有效的降低了生产成本。本发明制得的IZO靶材均匀性好，靶材在使用过程中不结瘤，不产生尖端放电，提高了膜层的均匀性。
一种 izo 前驱及其制备方法应用

[发明专利]一种细晶IZO靶材制备方法-CN202211346941.1在审
发明人：王志强;张兵;曾墩风;马建保;陶成 -专利权人：芜湖映日科技股份有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种细晶IZO靶材制备方法，属于靶材技术领域。使用BET30m2/g以上的纳米氧化锌粉末，首先将氧化锌粉末湿法球磨得到浆料，再加入氧化铟粉末湿法球磨，粉末质量比，氧化铟：氧化锌＝90:10，得到IZO浆料；该工艺制备IZO粉末，粉末均匀，可以制备高密度的靶材。烧结温度采用1300℃以上，采用0.03‑0.05℃/min慢速升温方式，制得超高密度，晶粒尺寸小的IZO靶材。
一种 izo 制备方法

[发明专利]一种溅镀用IZO掺杂靶材及其制备方法-CN202211626321.3在审
发明人：谭洪蕾;邵学亮;李开杰;钟小华 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种溅镀用IZO掺杂靶材及其制备方法。所述IZO掺杂靶材由氧化铟、氧化锌和掺杂氧化物组成；所述IZO掺杂靶材中Zn与In的原子比为Zn/(Zn+In)＝0.1％～7％；所述掺杂氧化物为氧化钽、氧化铈、氧化钛、氧化锗或氧化镓。所述制备方法为：将氧化铟粉末、氧化锌粉末、掺杂氧化物粉末与水、分散剂和粘结剂混合制浆，得到浆料；将所得浆料进行喷雾造粒，得到造粒粉末，然后经过干压和冷等静压后，进行常压烧结，得到所述溅镀用IZO掺杂靶材本发明IZO掺杂靶材具有较低的ZnO加入量，且掺杂元素具有更多的选择，同时能够达到较高的致密度和导电性。
一种溅镀用 izo 掺杂及其制备方法

[发明专利]一种镧系金属掺杂IZO靶材及其制备方法与应用-CN202211101976.9在审
发明人：陈明飞;刘永成;郭梓旋;王金科;徐胜利;陈明高;莫国仁;江长久;王志杰;李跃辉 -专利权人：长沙壹纳光电材料有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧系金属掺杂IZO靶材及其制备方法与应用。本发明的镧系金属掺杂IZO靶材按照质量百分比计包括：Ln系金属氧化物0.5％～10％、氧化铟60％～87％和氧化锌5％～15％，所述Ln系金属选自镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、本发明通过控制镧系金属掺杂IZO靶材中各成分的占比并结合化学共沉淀所制得的镧系金属掺杂IZO靶材具有致密性高、颜色均匀且溅射过程不易结瘤等优点，具有广泛的应用价值。
一种金属掺杂 izo 及其制备方法应用

[实用新型]一种液晶显示器-CN201220059349.9有效
发明人：李建;任思雨;于春崎;胡君文;谢凡;李建华;何基强 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：所述第二基板上的像素电极和公共电极，以及所述第一基板上的防静电层，均采用IZO膜实现。由于IZO膜是采用低温成膜技术得到的，因此，不需要使用复杂的加热装置，从而降低了设备成本，进而降低了液晶显示器的制造成本，而且，由于IZO膜内的杂质较少，因而采用IZO膜制造得到的透明电极的杂质较少，提高了透明电极的透过率
一种液晶显示器

[发明专利]IZO靶材及其制造方法-CN201811055653.4有效
发明人：远藤瑶辅;山本浩由;角田浩二;奈良淳史 -专利权人： JX金属株式会社
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射膜的膜电阻不易受到溅射时的氧浓度影响的IZO靶材。一种IZO靶材，具有如下的整体组成：含有In、Sn和Zn，以原子比计满足Zn/(In+Sn+Zn)＝0.030～0.250、Sn/(In+Sn+Zn)＝0.002～0.080，余量由O和不可避免的杂质构成，该IZO靶材具有靶材组织，所述靶材组织中分散有通过FE－EPMA特定的、含有In、Sn和O的粒径为200nm以上的Sn偏析粒。
izo 及其制造方法

[发明专利]溅射靶及其制造方法-CN00807317.1有效
发明人：中岛光一;石塚庆一;熊原吉一 -专利权人：株式会社日本能源
申请日： 2000-05-01 - 公布日： 2002-05-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产透明导电薄膜的IZO溅射靶,它含100－2000ppm的Sn,其主要由In和Zn的氧化物组成,本发明还涉及一种用于生产透明导电薄膜的IZO溅射靶的方法,该靶含100－2000ppm的Sn生产透明导电薄膜的IZO溅射靶和透明导电薄膜可恒定地获得,并有很好的再现性,其中主要由In和Zn的氧化物组成的IZO透明导电薄膜得到了改进,未影响其特性,加入微量的Sn降低了其体电阻,在溅射时可稳定放电
溅射及其制造方法

[发明专利]IZO烧结体溅射靶及其制造方法-CN201680023954.1有效
发明人：挂野崇;山口洋平;远藤瑶辅 -专利权人：捷客斯金属株式会社
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种IZO烧结体溅射靶，其为氧化铟‑氧化锌类氧化物(IZO)烧结体靶，其特征在于，构成靶的氧化物为In2O3和ZnIZO烧结体的高密度化，并减少残留在晶粒间的微小的孔(微孔)，由此提高成膜的品质。
izo 烧结溅射及其制造方法

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