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[发明专利]一种高价元素掺杂的氧化铟锡材料及其制备方法和应用-CN202310075225.2在审
发明人：陈露;葛春桥;柳春锡;廖锋尧;李强;钟威平 -专利权人：中山智隆新材料科技有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于光伏电池技术领域，提供了一种高价元素掺杂的氧化铟锡材料及其制备方法和应用，本发明提供的高价元素掺杂的氧化铟锡靶材包括一定配比的氧化铟、氧化锡、X的氧化物，其中X为钼、钨、铬、钽、铌、钒中的一种，本发明提供的氧化铟锡靶材的密度7.08‑7.11g/m3，靶材电阻率(0.003‑0.025)×10‑2Ω·cm，晶粒尺寸5.5‑11.5μm，本发明提供的高价元素掺杂的氧化铟锡靶材可用作光伏电池用靶材，在基材上沉积TCO薄膜，以较低的掺杂量，在保持较低的自由载流子浓度下，提高了TCO薄膜的透光率和迁移率。
一种高价元素掺杂氧化材料及其制备方法应用

[发明专利]一种新型低介电镓、锗基高品质因数微波介质材料及制备方法-CN202310467986.2在审
发明人：敖来远;杨俊;陈传庆;应建;彭泽椿;王星;姜滔 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷介质材料技术领域，特别涉及一种新型低介电镓、锗基高品质因数微波介质材料及制备方法，通过将Ga2O3、GeO2、MgO按照配比进行一次称量球磨混合，干燥、烧结得到预烧陶瓷粉，再投入球磨机，进行二次球磨，将二次球磨后的陶瓷粉进行造粒，压制成圆柱状生坯，最后生坯排胶烧结而成。与现有技术相比，本发明制得的新型低介电镓、锗基高品质因数微波介质材料不仅具有介电常数，并且具有高品质因素，可以用于滤波器、谐振器、介质天线等不同器件中，并保证器件的稳定性，具有广阔的市场前景。
一种新型低介电镓锗基高品质因数微波介质材料制备方法

[发明专利]一种太阳能电池用蒸镀靶材及其制备方法-CN202211580121.9有效
发明人：姚远;蒋一昌;赵丽媛;杜宝珩;杨冠军;侯远欣;刘金茂 -专利权人：洛阳晶联光电材料有限责任公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能电池用蒸镀靶材及其制备方法，所述蒸镀靶材包括以下质量分数的组分：氧化铟(In2O3)98.5‑99.5%，掺杂氧化物0.5‑1.5%，所述掺杂氧化物为氧化铈、氧化钨、氧化钼、氧化钬、氧化钇、氧化锆、氧化镓中的2‑4种。本方案的蒸镀靶材采用独特的化学组成，通过向氧化铟基体中引入掺杂氧化物，通过二元甚至多元的共掺杂可以在产生较高载流电子浓度的同时，载流电子迁移率得到显著提升，采用该蒸镀靶材所沉积的薄膜具有高的近红外透过率和高电子迁移率。
一种太阳能电池用蒸镀靶材及其制备方法

[发明专利]一种重晶石防辐射陶瓷板材及制备方法-CN202211201004.7有效
发明人：谢承卫;杜鑫 -专利权人：贵州大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种重晶石防辐射陶瓷板材及制备方法，以重晶石为基础原料，用硅酸盐、氧化铝为主要烧结助剂，氧化锌、磷酸二氢铝作为结构加强剂，烧结制作防辐射陶瓷板材。本发明制备的重晶石防辐射陶瓷板材，是一种新型的功能性板材，具有优异的抗辐射性能，制作工艺简单稳定可靠，质量易控，成本低，对环境友好，是重晶石利用的一种新途径。
一种重晶石防辐射陶瓷板材制备方法

[发明专利]一种高迁移率氧化铟钛铈钽靶材及其制备方法-CN202310678924.6在审
发明人：张兴宇;邵学亮;王奇峰;李开杰;罗斯诗;顾德盛 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于氧化物靶材制备技术领域，公开了一种高迁移率氧化铟钛铈钽靶材及其制备方法。所述制备方法为：按质量比为97.95～98.47:0.23～0.35:0.50～0.75:0.80～1.12称取氧化铟、氧化钛、氧化铈和氧化钽粉末；将上述粉末加入到分散剂水溶液中搅拌分散后研磨，得到浆料一，再加入黏结剂进行预分散和研磨得到浆料二；将浆料二通过喷雾造粒，混料和筛分，得到混合粉末；将混合粉末经过干压和冷等静压后进行热处理，得到高迁移率氧化铟钛铈钽靶材。本发明通过对靶材中各组分进行调节，可显著提高靶材的迁移率和导电性能。
一种迁移率氧化铟钛铈钽靶材及其制备方法

[发明专利]一种氧化铟掺杂钛钽铈靶材及其制备方法-CN202310678889.8在审
发明人：顾德盛;邵学亮;李开杰;罗斯诗;张兴宇 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于氧化物靶材制备技术领域，公开了一种氧化铟掺杂钛钽铈靶材及其制备方法。所述制备方法为：按摩尔比为90.5～92.5:1.5～2.5:3～5:1.5～2.5称取氧化铟、氧化钛、氧化钽和氧化铈粉末，然后与分散剂加入到纯水中搅拌分散均匀，湿法研磨得到浆料一；再加入氧化铟粉末、分散剂和水经过湿法研磨得到浆料二；再加入粘结剂混合后经过湿法研磨得到浆料三；通过喷雾造粒，再进行混料和筛分，得到混合粉末；最后经过模压和冷等静压后脱脂、烧结，得到氧化铟掺杂钛钽铈靶材。本发明通过限定各氧化物粉末的成分配比及配合特定的制备工艺，可显著提高靶材的各项性能。
一种氧化掺杂钛钽铈靶材及其制备方法

[发明专利]一种基于CaMnO3-CN202310435760.4在审
发明人：刘俐;罗州;陈志文;赵维玮;张晨如;陈子文;曹学强 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2023-04-22 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CaMnO3掺杂稀土离子的陶瓷吸波材料及其制备方法。本发明的陶瓷吸波材料是通过稀土离子取代Ca2+离子，其化学式为：Ca1‑xMxMnO3，式中M为稀土离子，x＝0.1，0.2，0.3，0.4，其制备方法包括：步骤(1)、将碳酸锰、碳酸钙、稀土氧化物与去离子水配置成混合浆料；步骤(2)、将混合浆料进行球磨，球磨后的混合浆料过滤出球磨珠；步骤(3)、将过滤后的混合浆料进行干燥得到混合粉体，所述混合粉体经研磨、过筛后进行煅烧，冷却至室温后得到钙钛矿相Ca1‑xMxMnO3。本发明的制备方法简单，制备成本低廉，在实际生产应用中有很大优势，既达到了优异的反射损耗，也实现了较宽的有效吸波带宽。
一种基于 camno base sub

[发明专利]一种兼具断裂韧性和硬度的B6-CN202210843743.X有效
发明人：刘超;应盼 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼具断裂韧性和硬度的B6O‑金刚石复合材料及其制备方法，以B6O和炭黑纳米粉体为原料，在高压和高温下合成烧结良好的B6O‑金刚石复合材料。炭黑在高压高温条件下转化为金刚石纳米颗粒，同时形成高强度B6O‑金刚石共格界面。超细B6O和金刚石纳米颗粒与高强度B6O‑金刚石共格界面协同构建了优异的复合材料力学性能。B6O‑金刚石复合材料的硬度(43GPa)与聚晶金刚石PCD(40～60GPa)相当，而断裂韧性(7.6MPa·m1/2)比之前合成的多晶B6O陶瓷(1.7～3.1MPa·m1/2)和B6O基复合材料(3～4MPa·m1/2)提高了数倍。通过断裂行为分析表明，B6O‑金刚石复合材料的增韧机制主要为纳米孪晶增韧、裂纹偏转和裂纹桥接。
一种兼具断裂韧性硬度 base sub

[发明专利]一种凝胶注模制备IGZO旋转靶材的制备方法-CN202310618514.2有效
发明人：孔伟华;刘秉宁;刘洪强 -专利权人：江苏东玖光电科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本申请涉及IGZO旋转靶制备技术领域，具体公开了一种凝胶注模制备IGZO旋转靶材的制备方法。该制备方法包括以下步骤：（1）将纳米氧化铟、纳米氧化镓、纳米氧化锌、去离子水、官能团单体、分散剂、引发剂、催化剂湿法球磨，得到浆料；（2）将浆料和IGZO溶胶混合，依次在100‑120℃和190‑210℃的条件下加热，脱模后得到毛坯；（3）对毛坯依次进行加热脱脂、烧结，将烧结产物粘合在不锈钢管材表面，得到IGZO旋转靶材。本申请限制了纳米氧化铟、纳米氧化镓、纳米氧化锌在加热脱脂和烧结过程中的进一步团聚，得到了致密度更高的IGZO靶材。
一种凝胶制备 igzo 旋转方法

[发明专利]一种钙钛矿型陶瓷材料及其制备方法和应用-CN202310453654.9在审
发明人：范冰冰;周延春;李梦茹;张锐;丁杨杨;陈勇强;王海龙;李金鲁;宋静文 -专利权人：郑州大学;郑州丰元冶金材料有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于高熵陶瓷材料技术领域，提供了一种钙钛矿型陶瓷材料及其制备方法和应用，所述陶瓷材料为Srx(CryMnyFeyCoyNiy)O3；x为0.5～1.5，y为0.1～0.3。本发明提供的钙钛矿型陶瓷材料与石蜡按质量比4：1复合，厚度为2.8mm时，吸收频带宽度可达2GHz，最低反射损耗可达‑43.17dB，具有在低厚度下有效吸收频带宽、吸收强度高的特点。本发明还提了所述钙钛矿型陶瓷材料的制备方法，包含下列步骤：将无机盐溶液与沉淀剂溶液混合后煅烧即得所述钙钛矿型陶瓷材料。本发明以水为溶剂，不需要使用剧毒化学试剂，环保无污染；并且制备工艺简单、成本低，适用于大规模工业化生产。
一种钙钛矿型陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种YbBCO超导块体的制备方法-CN202310555991.9在审
发明人：王亚楠;张泽荣;高瞻;王磊;王秋良 -专利权人：中国科学院赣江创新研究院
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种YbBCO超导块体的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：混合Yb源、Ba源和Cu源，进行球磨，得到混合粉体；将所得混合粉体进行第一热处理，得到前驱粉体；将所得前驱粉体进行冷压，得到块体坯料；将所得块体坯料进行第二热处理，得到YbBCO超导块体。本发明提供的YbBCO的制备方法无需籽晶，只需两步热处理即可制备得到YbBCO超导块体，工艺简单，便于操作；制备得到的YbBCO超导块体具有高相纯度、强织构。
一种 ybbco 超导块体制备方法

[发明专利]烧结体-CN201980085191.7有效
发明人：川岛绘美;井上一吉;大山正嗣;柴田雅敏 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种烧结体，是含有In元素、Ga元素以及Ln元素的烧结体，包含：由In2O3表示的方铁锰矿结构的第1氧化物；含有In元素、Ga元素以及Ln元素的石榴石结构的第2氧化物；和满足由下述(1)、(2)以及(3)表示的原子组成比的范围的第3氧化物，Ln元素是选自La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中的一种以上的元素。0.3≤In/(In+Ga+Ln)≤0.7…(1)0.3≤Ga/(In+Ga+Ln)≤0.7…(2)0≤Ln/(In+Ga+Ln)＜0.05…(3)。
烧结

[发明专利]一种可低温共烧的高储能反铁电陶瓷材料及其制备方法和应用-CN202110788455.4有效
发明人：沈波;葛广龙;杨静;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种反铁电陶瓷材料的低温烧结方法，其目的在于通过降低烧结温度优化反铁电材料的储能性能。该反铁电陶瓷材料的化学通式为(Pb0.98‑1.5xSr0.02Bix)(Zr0.6Sn0.4)O3，本发明用部分Bi3+替代基体中A位的Pb2+，该体系烧结温度低至1125±25℃，制备的瓷体成瓷性较好，通过小离子半径的Bi3+替代Pb2+，提高了反铁电的稳定性。本发明所制备的介质材料具有储能密度高(10±1J/cm3)、储能效率较高(＞85％)、烧结温度低(降低了～150℃)等优点，对于开发高储能密度、可低温烧制的脉冲功率电容器具有非常重要的意义。
一种低温高储能反铁电陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]陶瓷泡沫、其制造方法及其用途-CN202080020335.3有效
发明人：任申强;杨睿哲;柴秉伯;胡峰 -专利权人：纽约州立大学研究基金会
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：提供陶瓷泡沫。陶瓷泡沫可具有分级孔梯度。陶瓷泡沫可以是氧化硅气凝胶。可通过一种或多种前体在由成孔气体形成添加剂产生的惰性气体存在下进行反应来制备陶瓷泡沫。陶瓷泡沫可以用作隔绝材料。
陶瓷泡沫制造方法及其用途

[发明专利]一种PbSb共掺杂BiCuSeO基热电材料及其制备方法-CN202310650624.7在审
发明人：宋吉明;梁小龙;徐慧虹;魏榕;张跃跃 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-06-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种PbSb共掺杂BiCuSeO基热电材料及其制备方法，属于能源转换技术领域。按照Bi0.94‑xPb0.06SbxCuSeO(0≤x≤0.035)的化学计量比称取Bi2O3、Bi、Cu、Se、Pb、Sb粉，在玛瑙研钵中混合均匀，再采用高温烧结、退火的样品制备工艺，获得PbSb共掺杂BiCuSeO基热电材料。用玛瑙研钵将烧结后的材料研磨至粉末状，将粉末装入石墨模具中，在600℃、70 MPa下快速热压30 min，得到Bi0.94‑xPb0.06SbxCuSeO块体热电材料。本发明制备的热电材料降低了Bi0.94Pb0.06CuSeO的热导率，并实现了塞贝克系数的显著提高，从而显著增强了BiCuSeO基材料的热电性能。
一种 pbsb 掺杂 bicuseo 热电材料及其制备方法