“C04B35/01”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果891个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电介质组合物、电介质元件、电子部件及层叠电子部件-CN201780019120.8有效
发明人：阿满三四郎;秋场博树;竹内启子 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供一种耐受电压高且可靠性良好的电介质组合物以及使用其的电子部件。该电介质组合物的特征在于，具有作为钨青铜型复合氧化物的主成分，主成分以(Sr1.00‑s‑tBasCat)6.00‑xRx(Ti1.00‑aZra)x+2.00(Nb1.00‑bTab)8.00‑xO30.00表示，上述R为选自Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种元素，s、t、x、a、b满足0.70≤s≤1.00，0≤t≤0.30，0.70≤s+t≤1.00，0≤x≤0.50，0.10≤a≤1.00，0≤b≤1.00，相对于上述主成分100摩尔，作为副成分含有0.1摩尔以上且20.00摩尔以下的选自Mn、Mg、Co、V、W、Mo、Si、Li、B、Al的至少一种。
电介质组合元件电子部件层叠

[发明专利]一种基于界面调控的尖晶石型锂电正极陶瓷材料制备方法-CN202110373587.0在审
发明人：高翔;王丹丹;杨文革 -专利权人：北京高压科学研究中心
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于界面调控的尖晶石型锂电正极陶瓷材料制备方法，属于锂离子电池正极材料制备技术领域，为了克服现有的界面接触、界面阻抗和界面稳定性问题，本发明提供的方法为：按照化学式中所需各取各元素的前驱体材料混合均匀，干燥；预烧结得到具有低指数表面的单晶颗粒组成的预烧结材料；预烧结材料进行烧结，冷却至室温后经清洗、过滤、干燥，获得界面结构稳定且致密化的尖晶石型锂电正极陶瓷材料。本发明提供的制备方法，可用不同方法合成具有不同形貌、尺寸的低指数面的预烧结颗粒，然后再通过控制烧结条件和工艺，制备出内部界面阻抗小、界面结构稳定的尖晶石型正极陶瓷材料。
一种基于界面调控尖晶石型锂电正极陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种烧结体、靶材及其制备方法-CN202110591753.4在审
发明人：尹丙伟;肖俊峰;孙俊;周华明;李岩;石刚 -专利权人：通威太阳能（合肥）有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种烧结体及靶材，其组成包括该烧结体及靶材由ITO基材及分布在该ITO基材内的高熔点氧化物固溶体组成；本发明同时还提供了该烧结体及靶材的制备方法，包括烧制工序，该烧制工序是将含有氧化物固溶体或氧化物固溶体对应氢氧化物的ITO混合粉体进行共烧，共烧后制备得到烧结体，对烧结体进行塑性加工，形成ITO靶材。本发明所提供的烧结体、靶材以及通过本发明制备方法制备的烧结体及靶材能够有效抑制烧结体及靶材发生裂纹的现象。
一种烧结及其制备方法

[发明专利]一种ITO废靶坯回收制备的ITO粉末、靶材及其制备方法-CN202110537525.9在审
发明人：张来稳;邵学亮;李开杰;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种ITO废靶坯回收制备的ITO粉末、靶材及其制备方法，属于靶材回收及制备领域。本发明所述ITO废靶坯回收制备ITO粉末的方法先将ITO废靶坯粉碎至特定颗粒尺寸，随后经过热处理去除粉末中多余的添加剂杂质，最后与球磨助剂按比例混合后进行球磨制粉，所得产品颗粒均匀且密度较高；所述方法无需添加额外新粉原料，操作步骤简单，设备要求低，生产效率及得率高，制备成本低廉。本发明还公开了由所述方法制备的ITO粉末；本发明还公开了一种ITO废靶坯回收制备ITO靶材的方法。
一种 ito 废靶坯回收制备粉末及其方法

[发明专利]一种IZO靶材的回收方法-CN202110537592.0在审
发明人：李开杰;邵学亮;张来稳;司振华;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种IZO靶材的回收方法，属于靶材回收再生领域。本发明所述IZO靶材的回收方法首先将回收靶材经过抛光及热处理去除靶材原有的粗铟及部分杂质，随后粉碎至微米级别粉末并在高温烧结以进一步提纯，随后将新粉与所得粉末混合球磨至合适尺寸，最终经喷雾造粒得到纯度较高，粒度均匀细小，可进一步制备高密度靶材的IZO粉末；所述方法操作步骤简单，可实施工业化大规模生产，所述IZO靶材的回收利用率高，经济效益高；本发明还公开了一种由所述IZO粉末制备IZO靶材的方法，所述IZO粉末经压制成型及烧结后的IZO靶材纯度较高，密致紧实，相对密度大于98.5％。
一种 izo 回收方法

[发明专利]金属氧化物膜以及半导体装置-CN202110187768.4在审
发明人：保坂泰靖;生内俊光;岛行德;神长正美;黑崎大辅;羽持贵士;肥塚纯一;冈崎健一;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌，且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外，在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20％以上且60％以下。
金属氧化物以及半导体装置

[发明专利]一种Ga2-CN201810772473.1有效
发明人：郑树文;郑涛;尚秋月;张涛 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ga2O3基共掺杂材料靶及其制备方法。该材料靶的制备过程包括：将SiO2、GeO2或SnO2中的一种纳米粉与Ta2O5纳米粉、Ga2O3纳米粉按照质量比x:y:(100‑x‑y)均匀球磨混合得到纳米混合粉；添加PVA进行球磨和造粒得到粉体；将粉体装入模具中压制成型得到初坯；对初坯进行脱脂处理；对脱脂后的初坯进行冷等静压成型处理，得到素坯。最后对素坯进行高温烧结（氧气环境下）或者进行热等静压（氩气环境下）处理，得到高致密度（相对密度87%）的Ga2O3掺杂材料靶。本发明制备的Ga2O3基掺杂材料靶能满足磁腔溅射法、电子束蒸发法或激光脉冲沉积法对Ga2O3器件的掺杂靶需求。
一种 ga base sub

[发明专利]高致密度、高强度石膏陶瓷及其制备方法-CN202010489328.X有效
发明人：李雷;颜涵;陈湘明 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种高致密度、高强度石膏陶瓷及其制备方法，所述的石膏陶瓷是二水硫酸钙(CaSO4·2H2O)的致密块体材料，与普通块体石膏相比具有大幅提高的致密度(90～97％)、抗压强度(42～97MPa)及抗弯强度(12～27MPa)。本发明提供的石膏陶瓷可用于建筑、装饰、雕塑等，其高致密度与高强度使得制成品不易破碎、并具有更好的耐潮性，而其简单的制备方法则有利于低成本的规模生产。
致密强度石膏陶瓷及其制备方法

[发明专利]负温度系数热磁复合敏感电阻材料及其制备方法-CN201810972113.6有效
发明人：刘敬松;李惠琴;李大伦 -专利权人：西南科技大学;绵阳固特科技有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：负温度系数热磁复合敏感电阻材料及其制备方法，属于电子元器件材料领域。本发明的电阻材料按重量百分比，以氧化物计，含有以下成分：Mn3O4 73～78％，Co2O3 10.5～13％，NiO 11.5～14％，CuO 0～0.5％。本发明的配方中不含Fe，保证了在高温烧结条件下均一性高；烧结温度较低，仅为1140℃，具有一定的节能优势；原材料在国内充足，价格适宜，使其规模化生产没有太高的成本限制。
温度系数复合敏感电阻材料及其制备方法

[发明专利]一种压电陶瓷工艺配方-CN202110208768.8在审
发明人：唐勋宏 -专利权人：广西中科鑫玺电子科技有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电陶瓷工艺配方，包括以下步骤：材料选取、混料、一次球磨、一次烘干、预压、预烧、二次球磨、二次烘干、造粒、干压、排胶和烧结。通过进行一次球磨可以改善原料的显微特征，提高原料在微观尺度上的均匀性，有利于预烧时各原料间充分进行反应，二次球磨可以更进一步的改善原料的显微特征，提高原料在微观尺度上的均匀性，提升压电陶瓷配方所配制的压电陶瓷的稳定性能，提高压电陶瓷的质量，通过在原料中加入锆酸酐可以增强压电陶瓷的耐热效果，通过在原料中加入钛白粉可以在所制得的压电陶瓷表面形成搪瓷釉罩面，一方面防止长期使用中压片陶瓷变色，另一方面增强压电陶瓷的抗腐蚀性。
一种压电陶瓷工艺配方

[发明专利]一种Cr掺杂YMnO3-CN202110241688.2在审
发明人：万凤;曹崇德;白晓军 -专利权人：咸阳师范学院;西北工业大学
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cr掺杂YMnO3磁性材料的退火方法，属于磁性材料技术领域。包括如下步骤：提供粉体的Cr掺杂YMnO3磁性材料；将粉体的Cr掺杂YMnO3磁性材料压制成型，置于空气中，于1100～1450℃烧结4～8h，再置于氧气气氛下，于1200～1350℃退火18～48h，即得退火后的磁性材料。本发明提供通过在氧气气氛下，对Cr掺杂YMnO3磁性材料进行退火处理，能够大幅度提升磁性材料铁磁含量，有效增强磁性材料的磁性能。
一种 cr 掺杂 ymno base sub

[发明专利]亚铁磁性半金属及其制备方法-CN202010494194.0有效
发明人：龙有文;刘哲宏 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供一种亚铁磁性半金属，其化学式为LaCu3Fe2Re2O12。本发明还提供一种制备本发明的亚铁磁性半金属的方法，其包括以下步骤：(1)将La2O3、Fe2O3、Re2O7、CuO和Re粉以摩尔比7:21:9:42:10在保护性气体环境中进行研磨混合，得到混合物；(2)将所述混合物密封包裹后，进行合成；(3)将合成产物降温至室温，卸压，从而制得亚铁磁性半金属LaCu3Fe2Re2O12。本发明的亚铁磁性半金属LaCu3Fe2Re2O12具有高的居里温度(Tc～620K)，宽的带隙(～2.3eV)，以及大的低场磁阻(在2K和0.8T时，为大约4％)，在未来的自旋电子器件中有潜在应用价值。
亚铁磁性金属及其制备方法

[发明专利]一种IGZO粉体、靶材及其制备方法-CN202110266688.8在审
发明人：李开杰;邵学亮;张来稳;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGZO粉体的制备方法，属于工业材料制备领域。本发明所述IGZO粉体制备方法中，选用特定具有分散及粘连功能的助剂与氧化物原料直接混合后，先经超声处理再研磨，既保障了粘结效果及最终产品的颗粒均一性；同时利用超声振动处理提高浆料的均匀性，避免了传统固相法中较长的研磨时间引起分散剂失效造成的团聚现象，或者粉体颗粒表面由于长时间的机械摩擦而引发稳定性降低等问题。该方法所用助剂种类少，引入杂质元素少，可降低产品的缺陷。本发明还公开了所述方法制备的IGZO粉体，该材料稳定性及均匀性高。本发明还公开了一种由所述IGZO粉体制备的IGZO靶材及其制备方法，所得IGZO靶材密度及纯度高，缺陷少，可用于工业高性能IGZO薄膜的制备中。
一种 igzo 粉体及其制备方法

[发明专利]一种微波混合加热快速制备锰钴尖晶石涂层的方法-CN202110127734.6在审
发明人：司晓庆;苏毅;曹健;高建伟;李淳;亓钧雷;冯吉才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：一种微波混合加热快速制备锰钴尖晶石涂层的方法，本发明涉及微波加工和金属表面改性技术领域，它要解决传统技术制备锰钴尖晶石涂层时成分不可控、制备过程繁琐、母材氧化严重等问题。制备锰钴尖晶石涂层的方法：一、称取Co粉末、MnO2粉末及烧结助剂粉末作为原料；二、原料置于球磨罐中湿法球磨处理；三、对铁素体不锈钢进行表面处理；四、将混合粉体均匀涂抹在铁素体不锈钢表面，模压成型；五、将附有预压涂层的不锈钢埋入微波烧结炉内的高微波吸收率粉末中，于空气气氛下烧结保温。本发明采用微波混合加热法制备锰钴尖晶石保护层，升温速率快，加热效率高，极大降低烧结温度，缩短烧结时间，实现整体均匀升温，涂层内应力小。
一种微波混合加热快速制备尖晶石涂层方法

[发明专利]氧化物烧结体和溅射靶及它们的制造方法-CN201780022824.0有效
发明人：田尾幸树;中根靖夫;畠英雄 -专利权人：株式会社钢臂功科研
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：一种氧化物烧结体，其中，含有50～500ppm的锆，相对于除去氧以外的全部金属元素，设锌、铟、镓和锡的含量的比例(原子％)分别为[Zn]、[In]、[Ga]和[Sn]时，满足下式(1)～(3)。35原子％≤[Zn]≤55原子％…(1)20原子％≤([In]+[Ga])≤55原子％…(2)5原子％≤[Sn]≤25原子％…(3)。
氧化物烧结溅射它们制造方法