[发明专利]一种QFN封装的引脚结构

说明书

本发明公开了一种QFN封装的引脚结构，包括框架基体和塑封料，框架基体上设有基岛固定区和蚀刻区，蚀刻区位于基岛固定区的外周；基岛固定区包括芯片和用于固定芯片的基岛，芯片连接在基岛的顶面；蚀刻区和基岛之间设有半蚀刻的基岛支架，蚀刻区包括多个引脚，每个引脚的边缘设有半蚀刻的边缘区域，边缘区域内设有半蚀刻的凹槽；芯片通过焊线和引脚相连接，蚀刻区、基岛固定区和焊线均塑封在塑封料内，且边缘区域及边缘区域内的凹槽内填充塑封料；本申请在边缘区域和边缘区域内的凹槽形成的阶梯槽，能够增加塑封料和引脚的附着面积及附着强度，提高了QFN封装的可靠性及芯片的稳定性。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种QFN封装的引脚结构。

背景技术

随着QFN应用的快速增长，高性能的QFN产品，必将会在国内外IC封装测试市场中赢得良好的收益，而QFN引线框架塑封体与引线框架之间的附着强度决定了QFN封装的可靠性，从而影响着芯片的稳定性。现有技术的QFN引线框架，在塑封时易出现引线框架和塑封料之间的剥离，降低了QFN封装的可靠性及芯片的稳定性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种QFN封装的引脚结构，以解决现有技术中导致的塑封料和引线框架之间稳定性和可靠性差的问题。

为达到上述目的，本发明是采用下述技术方案实现的：

一种QFN封装的引脚结构，包括框架基体和塑封料，所述框架基体上设有基岛固定区和蚀刻区，所述蚀刻区位于所述基岛固定区的外周；

所述基岛固定区包括芯片和用于固定所述芯片的基岛，所述芯片连接在所述基岛的顶面；

所述蚀刻区和所述基岛之间设有半蚀刻的基岛支架，所述蚀刻区包括多个引脚，每个所述引脚的边缘设有半蚀刻的边缘区域，所述边缘区域内设有半蚀刻的凹槽；

所述芯片通过焊线和所述引脚相连接，所述蚀刻区、基岛固定区和焊线均塑封在所述塑封料内，且所述边缘区域及边缘区域内的凹槽内填充所述塑封料。

进一步地，所述基岛支架上内设有半蚀刻的凹槽，且所述述基岛支架及基岛支架内的凹槽内填充所述塑封料。

进一步地，所述基岛支架内的凹槽的形状和所述基岛支架的形状相适配，呈回字形。

进一步地，所述引脚的边缘区域位于所述引脚底面的两侧；所述边缘区域内的凹槽为矩形状。

进一步地，所述边缘区域的深度为所述引脚厚度的1/2-2/3；所述边缘区域内的凹槽的深度为所述引脚厚度的1/4。

进一步地，所述基岛支架的深度为所述框架基体厚度的1/2-2/3，所述基岛支架内的凹槽的深度为所述框架基体厚度的1/4。

进一步地，所述边缘区域内的凹槽的宽度为边缘区域宽度的1/3~2/3；

所述基岛支架内的凹槽的宽度为所述基岛支架宽度的1/3~2/3。

进一步地，所述塑封料是由粉状颗粒堆砌制成塑封料。

进一步地，所述框架基体的材质为铜。

进一步地，所述蚀刻区有四个，四个所述蚀刻区均布在所述基岛的四周。

根据上述技术方案，本发明的实施例至少具有以下效果：

1、本申请在每个引脚的边缘设计半蚀刻的边缘区域，并在边缘区域内设计了半蚀刻的凹槽，边缘区域和边缘区域内的凹槽形成的阶梯槽，能够增加塑封料和引脚的附着面积及附着强度，提高了QFN封装的可靠性及芯片的稳定性；

2、本申请在基岛和蚀刻区之间设置半蚀刻的基岛支架，并在基岛支架上设置半蚀刻的凹槽，基岛支架和基岛支架内的凹槽形成的阶梯槽增加了塑封料和引脚的附着面积及附着强度，配合边缘区域处形成的阶梯槽，共同提高了QFN封装的可靠性及芯片的稳定性。

附图说明