[发明专利]一种QFN封装的引脚结构在审
申请号: | 202110556908.0 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113192920A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 胡小林;张尚飞;张永银;穆云飞 | 申请(专利权)人: | 南京矽邦半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/31 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 210000 江苏省南京市浦*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 qfn 封装 引脚 结构 | ||
1.一种QFN封装的引脚结构,其特征在于,包括框架基体(1)和塑封料(10),所述框架基体(1)上设有基岛固定区和蚀刻区(7),所述蚀刻区(7)位于所述基岛固定区的外周;
所述基岛固定区包括芯片(5)和用于固定所述芯片(5)的基岛(2),所述芯片(5)连接在所述基岛(2)的顶面;
所述蚀刻区(7)和所述基岛(2)之间设有半蚀刻的基岛支架(3),所述蚀刻区(7)包括多个引脚(4),每个所述引脚(4)的边缘设有半蚀刻的边缘区域(6),所述边缘区域(6)内设有半蚀刻的凹槽(8);
所述芯片(5)通过焊线(9)和所述引脚(4)相连接,所述蚀刻区(7)、基岛固定区和焊线(9)均塑封在所述塑封料(10)内,且所述边缘区域(6)及边缘区域(6)内的凹槽(8)内填充所述塑封料(10)。
2.根据权利要求1所述的QFN封装的引脚结构,其特征在于,所述基岛支架(3)上内设有半蚀刻的凹槽(8),且所述述基岛支架(3)及基岛支架(3)内的凹槽(8)内填充所述塑封料(10)。
3.根据权利要求2所述的QFN封装的引脚结构,其特征在于,所述基岛支架(3)内的凹槽(8)的形状和所述基岛支架(3)的形状相适配,呈回字形。
4.根据权利要求2所述的QFN封装的引脚结构,其特征在于,所述引脚(4)的边缘区域(6)位于所述引脚(4)底面的两侧;所述边缘区域(6)内的凹槽(8)为矩形状。
5.根据权利要求2所述的QFN封装的引脚结构,其特征在于,所述边缘区域(6)的深度为所述引脚(4)厚度的1/2-2/3;所述边缘区域(6)内的凹槽(8)的深度为所述引脚(4)厚度的1/4。
6.根据权利要求2所述的QFN封装的引脚结构,其特征在于,所述基岛支架(3)的深度为所述框架基体(1)厚度的1/2-2/3,所述基岛支架(3)内的凹槽(8)的深度为所述框架基体(1)厚度的1/4。
7.根据权利要求2所述的QFN封装的引脚结构,其特征在于,所述边缘区域(6)内的凹槽(8)的宽度为边缘区域宽度的1/3~2/3;
所述基岛支架(3)内的凹槽(8)的宽度为所述基岛支架(3)宽度的1/3~2/3。
8.根据权利要求2所述的QFN封装的引脚结构,其特征在于,所述塑封料(10)是由粉状颗粒堆砌制成塑封料(10)。
9.根据权利要求2所述的QFN封装的引脚结构,其特征在于,所述框架基体(1)的材质为铜。
10.根据权利要求2所述的QFN封装的引脚结构,其特征在于,所述蚀刻区(7)有四个,四个所述蚀刻区(7)均布在所述基岛(2)的四周。
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