[发明专利]超结金属氧化物场效应晶体管

权利要求书

1.一种超结金属氧化物晶体管，其特征在于：所述晶体管划分为有源区域、位于有源区域外围的主结区域、位于所述主结区域外围的终端区域，所述晶体管还包括N型衬底、位于所述N型衬底上的N型外延层、位于所述主结区域的N型外延层表面的P型主结、位于所述主结区域的N型外延层中的连接所述P型主结底部且朝向所述N型衬底延伸的P型高掺杂区、位于所述终端区域的N型外延层中连接所述P型主结且朝向所述N型衬底延伸的第一P型柱、连接所述第一P型柱远离所述P型高掺杂区一侧的沿平行所述N型衬底的水平方向延伸的第二P型柱、位于所述终端区域的N型外延层表面且连接所述P型主结远离所述有源区域一侧的表面P型区域、及位于所述表面P型区域上方且具有可动电荷的第一厚氧层；

所述第二P型柱的数量为多个，所述多个第二P型柱的延伸方向均相同且沿着垂直所述水平方向的竖直方向排列，所述多个第二P型柱的一端还分别连接所述第一P型柱；所述多个第二P型柱远离所述第一P型柱的一端齐平，且位于所述第一厚氧层的远离所述P型主结的一端的内侧，所述多个第二P型柱中最远离所述表面P型区域的第二P型柱的底部与所述有源区域的P型重掺杂区的底部齐平。

2.如权利要求1所述的超结金属氧化物晶体管，其特征在于：所述P型主结的P型离子注入浓度与所述第一P型柱的P型离子注入浓度相等。

3.如权利要求2所述的超结金属氧化物晶体管，其特征在于：所述P型主结的P型离子注入浓度与所述第一P型柱的P型离子注入浓度均为每平方厘米的注入离子数量为10的15次方数量级的剂量。

4.如权利要求1所述的超结金属氧化物晶体管，其特征在于：所述多个第二P型柱的P型离子的浓度沿着远离所述N型衬底的方向逐渐降低。

5.如权利要求4所述的超结金属氧化物晶体管，其特征在于：所述第二P型柱包括三个第二P型柱，所述三个第二P型柱的P型离子注入浓度自高到低依次为每平方厘米的注入离子数量为10的15次方数量级的剂量、每平方厘米的注入离子数量为10的14次方数量级的剂量、及每平方厘米的注入离子数量为10的13次方数量级的剂量。

6.如权利要求1所述的超结金属氧化物晶体管，其特征在于：所述P型高掺杂区的P型离子的浓度为每平方厘米的注入离子数量为10的13次方数量级的剂量。

7.如权利要求1所述的超结金属氧化物晶体管，其特征在于：所述晶体管还包括位于所述终端区域的N型柱与第二厚氧层，所述N型柱位于所述第二P型柱远离所述第一P型柱一侧的N型外延层表面，所述第二厚氧层位于所述N型柱上。

8.如权利要求7所述的超结金属氧化物晶体管，其特征在于：所述第一厚氧层的厚度在15000埃到18000埃的范围内，所述第二厚氧层的厚度在15000埃到18000埃的范围内，所述N型柱的N型离子浓度为每平方厘米的注入离子数量为10的15次方数量级的剂量。