[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

耐压保持用pn结，设置于n型半导体基板的一个主面侧；以及

n型电场终止层，设置于所述n型半导体基板的另一个主面侧的内部，且电阻比所述n型半导体基板低，用于抑制耗尽层从所述耐压保持用pn结扩展，

所述n型电场终止层是通过质子照射使得形成在所述n型半导体基板的内部的结晶缺陷被施主化而成的区域，并形成在所述n型半导体基板的深度方向的不同位置具有多个杂质浓度峰的杂质浓度分布，

多个所述杂质浓度峰包括多个所述杂质浓度峰中最靠近所述n型半导体基板的一个主面侧的第一杂质浓度峰、与所述第一杂质浓度峰在所述n型半导体基板的另一个主面侧相邻的第三杂质浓度峰、以及与所述第三杂质浓度峰在所述n型半导体基板的另一个主面侧相邻的第二杂质浓度峰，

所述第一杂质浓度峰位于距离所述n型半导体基板的另一个主面有15μm以上的深度，

所述第一杂质浓度峰与所述第二杂质浓度峰之间的距离小于所述第二杂质浓度峰的位置与所述n型半导体基板的另一个主面之间的距离，

所述n型电场终止层的所述第三杂质浓度峰的位置和所述n型半导体基板的另一个主面之间的距离大于所述第三杂质浓度峰的位置和与所述第三杂质浓度峰在所述n型半导体基板的一个主面侧相邻的所述第一杂质浓度峰的位置之间的距离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述n型电场终止层在所述第二杂质浓度峰与所述n型半导体基板的另一个主面之间具有第四杂质浓度峰，

所述n型半导体基板的另一个主面与所述第四杂质浓度峰的位置之间的距离小于所述第二杂质浓度峰的位置与所述第四杂质浓度峰的位置之间的距离。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述杂质浓度峰为3个以上。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述杂质浓度峰为3个以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

多个所述杂质浓度峰中，最靠近所述n型半导体基板的另一个主面侧的所述杂质浓度峰位于距离所述n型半导体基板的另一个主面有6μm以上且15μm以下的深度。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述n型电场终止层具有包括第一部位和第二部位的所述杂质浓度分布，所述第一部位成为所述杂质浓度峰，所述第二部位具有从所述第一部位朝向所述n型半导体基板的两个主面侧降低的浓度梯度。