[发明专利]半导体器件的制造方法

说明书

一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成包括第一半导体材料和第二半导体材料的半导体层；将半导体层图案化以形成初步有源图案；对初步有源图案的两个侧壁进行氧化，以在所述两个侧壁上形成氧化物层并且在初步有源图案中形成上部图案；以及去除置于一对上部图案之间的半导体图案，以形成包括所述一对上部图案的有源图案。氧化物层包括第一半导体材料的氧化物，并且上部图案中的所述第二半导体材料的浓度高于半导体图案中的所述第二半导体材料的浓度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年4月11日和2016年7月5日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2016-0044380和 No.10-2016-0084926的优先权，所述申请的全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明构思的实施例涉及一种半导体器件及其制造方法，更具体地，涉及一种包括场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。

背景技术

由于半导体装置的小尺寸、多功能特性和/或低制造成本，半导体装置广泛用于电子工业中。半导体装置可分类为存储逻辑数据的半导体存储器装置、处理逻辑数据的半导体逻辑装置以及具有半导体存储器装置功能和半导体逻辑装置功能两者的混合式半导体装置中的任一种。随着电子工业的发展，愈发需要性能卓越的半导体装置。例如，愈发需要高可靠性、高速和/或多功能的半导体装置。为了满足这些需要，半导体器件高度集成，并且半导体器件的结构越来越复杂。

发明内容

本发明构思的实施例可提供一种半导体装置，其包括具有改善的电特性的场效应晶体管。

本发明构思的实施例还可提供一种用于制造半导体装置的方法，该半导体装置包括具有改善的电特性的场效应晶体管。

在一个方面，一种用于制造半导体器件的方法可包括：在衬底上形成包括第一半导体材料和第二半导体材料的半导体层；将半导体层图案化以形成初步有源图案；对初步有源图案的两个侧壁进行氧化，以在所述两个侧壁上分别形成氧化物层，其中，在形成氧化物层时在初步有源图案中形成上部图案；以及去除置于一对上部图案之间的半导体图案，以形成包括所述一对上部图案的有源图案。上部图案中的所述第二半导体材料的浓度可高于半导体图案中的所述第二半导体材料的浓度。

在一个方面，一种用于制造半导体器件的方法可包括：在衬底上形成有源图案；以及形成与有源图案相交的栅电极，所述栅电极在一个方向上延伸。形成有源图案的步骤可包括：形成下部图案以及位于下部图案上的一对沟道图案。下部图案可包括第一半导体材料，并且所述一对沟道图案可包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。栅电极可包括置于所述一对沟道图案之间的部分。栅电极的所述部分在所述一个方向上的宽度可随着距衬底的高度的增加而减少。

在一个方面，一种半导体器件可包括：衬底；位于衬底上的有源图案，所述有源图案包括下部图案和位于下部图案上的一对沟道图案；以及与沟道图案相交并在一个方向上延伸的栅电极。下部图案可包括第一半导体材料，并且所述一对沟道图案可包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。栅电极可包括置于所述一对沟道图案之间的部分。栅电极的所述部分在所述一个方向上的宽度可随着距衬底的高度的增加而减少。

在一个方面，一种用于制造半导体器件的方法可包括：形成从衬底突出的底部图案；形成覆盖衬底上的底部图案的半导体层；将半导体层氧化，以形成氧化物层并且在氧化物层与衬底之间以及氧化物层与底部图案之间形成沟道半导体层；将沟道半导体层图案化，以在底部图案的两个侧壁上分别形成一对沟道半导体图案；以及去除底部图案的置于沟道半导体图案之间的部分，以形成包括所述一对沟道半导体图案的有源图案。底部图案可包括第一半导体材料，并且半导体层可包括第一半导体材料和不同于第一半导体材料的第二半导体材料。