[发明专利]半导体封装及其制造方法

说明书

本申请公开一种半导体封装及其制造方法，其中半导体封装包含一半导体元件，该半导体元件具有一上表面与一侧，其中该上表面与该侧形成该半导体元件的一角部。该半导体封装亦包含一横向凸块结构位于该侧上并且实现该半导体元件的一横向信号路径。该半导体封装另包含一垂直凸块结构位于该上表面上并且实现该半导体元件的一垂直信号路径。

技术领域

本公开涉及一种半导体封装及其制造方法，特别关于一种具有在两个横向相邻元件之间实现横向信号路径的横向凸块结构的半导体封装及其制造方法。

背景技术

半导体元件对于许多现代应用而言是重要的。随着电子技术的进展，半导体元件的尺寸越来越小，而功能越来越大且整合的电路量越来越多。由于半导体元件的尺度微小化，芯片上覆置芯片(chip-on-chip)技术目前广泛用于制造半导体元件。在此半导体封装的生产中，实施了许多制造步骤。

因此，微型化规模的半导体元件的制造变得越来越复杂。制造半导体元件的复杂度增加可能造成缺陷，例如电互连不良、产生裂纹、或是组件脱层。据此，半导体元件的结构与制造的修饰有许多挑战。

上文的”现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的”现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的”现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的实施例提供一种半导体封装，包括具有一上表面与一侧的一半导体元件，其中该上表面与该侧形成该半导体元件的一角部；以及一横向凸块结构，位于该侧上且实现该半导体元件的一横向信号路径。

在本公开的一些实施例中，该半导体封装另包括一垂直凸块结构，位于该上表面上且实现该半导体元件的一垂直信号路径，其中该垂直凸块结构与该横向凸块结构分离。

在本公开的一些实施例中，该横向凸块结构自该侧横向延伸。

在本公开的一些实施例中，该垂直凸块结构自该上表面垂直延伸。

在本公开的一些实施例中，该半导体封装另包括一接垫，位于该侧与该横向凸块结构之间。

本公开的另一实施提供一种半导体封装，包括：一第一半导体元件，具有一第一上表面与一第一侧，其中该第一上表面与该第一侧形成该第一半导体元件的一第一角部；一第二半导体元件，横向相邻于该第一半导体元件，其中该第二半导体元件包括一第二上表面与一第二侧，并且该第二上表面与该第二侧形成该第二半导体元件的一第二角部；以及一横向凸块结构，自该第一侧延伸至该第二侧并且于该第一半导体元件与该第二半导体元件的间实现一横向信号路径。

在本公开的一些实施例中，该半导体封装另包括：一封装件，环绕该第一半导体元件与该第二半导体元件，其中该封装件的一中间部位于该第一半导体元件与该第二半导体元件之间；其中该横向凸块结构横向延伸跨过该中间部。

在本公开的一些实施例中，该半导体封装另包括位于该第一上表面上的一第一凸块结构，其中该第一垂直凸块结构与该横向凸块结构分离。

在本公开的一些实施例中，该半导体封装另包括位于该第二上表面上的一第二凸块结构，其中该第二垂直凸块结构与该横向凸块结构分离。

在本公开的一些实施例中，该横向凸块结构垂直延伸跨过该第一上表面与该第二上表面。

在本公开的一些实施例中，该半导体封装另包括一接垫，位于该第一侧与该横向凸块结构之间。

本公开的另一实施提供一种半导体封装的制造方法，包括：提供一半导体元件，具有一本体区以及与该本体区相邻的一边缘区；在该边缘区中形成一凹部，其中该凹部暴露该本体区的一侧；以及在该凹部中形成一横向凸块结构，其中该横向凸块结构形成于该侧上并且实现该半导体元件的一横向信号路径。