[发明专利]半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

一半导体元件，具有一上表面与一侧，其中该上表面与该侧形成该半导体元件的一角部；

一横向凸块结构，位于该侧上并且实现该半导体元件的一横向信号路径，该横向凸块结构沿着一第一延伸方向自该侧延伸；以及

一垂直凸块结构，位于该上表面上，该垂直凸块结构沿着一第二延伸方向自该上表面延伸，

该第一延伸方向与该第二延伸方向垂直，

所述半导体封装另包括一接垫，位于该侧与该横向凸块结构之间，该横向凸块结构位于该接垫上。

2.如权利要求1所述的半导体封装，其中，所述垂直凸块结构实现该半导体元件的一垂直信号路径，其中该垂直凸块结构与该横向凸块结构分离。

3.如权利要求1所述的半导体封装，其中该横向凸块结构自该侧横向延伸。

4.如权利要求1所述的半导体封装，其中该垂直凸块结构自该上表面垂直延伸。

5.一种半导体封装，包括：

一第一半导体元件，具有一第一上表面与一第一侧，其中该第一上表面与该第一侧形成该第一半导体元件的一第一角部；

一第二半导体元件，横向相邻于该第一半导体元件，其中该第二半导体元件包括一第二上表面与一第二侧，并且该第二上表面与该第二侧形成该第二半导体元件的一第二角部；

一横向凸块结构，自该第一侧延伸至该第二侧并且于该第一半导体元件与该第二半导体元件之间实现一横向信号路径，该横向凸块结构沿着一第一延伸方向延伸；

一第一垂直凸块结构，位于该第一上表面上，该第一垂直凸块结构沿着一第二延伸方向自该第一上表面延伸，

一第二垂直凸块结构，位于该第二上表面上，该第二垂直凸块结构沿着所述第二延伸方向自该第二上表面延伸，

该第一延伸方向与该第二延伸方向垂直，

所述半导体封装另包括一接垫，位于该第一侧与该横向凸块结构之间，该横向凸块结构位于该接垫上。

6.如权利要求5所述的半导体封装，另包括：

一封装件，环绕该第一半导体元件与该第二半导体元件，其中该封装件的一中间部位于该第一半导体元件与该第二半导体元件之间；

其中该横向凸块结构横向延伸跨过该中间部。

7.如权利要求5所述的半导体封装，其中该第一垂直凸块结构与该横向凸块结构分离。

8.如权利要求5所述的半导体封装，其中该第二垂直凸块结构与该横向凸块结构分离。

9.如权利要求5所述的半导体封装，其中该横向凸块结构垂直延伸跨过该第一上表面与该第二上表面。

10.一种半导体封装的制造方法，包括：

提供一半导体元件，具有一本体区以及与该本体区相邻的一边缘区；

形成一凹部于该边缘区中，其中该凹部暴露该本体区的一侧；

形成一横向凸块结构于该凹部中，其中该横向凸块结构形成于该侧上并且实现该半导体元件的一横向信号路径，该横向凸块结构沿着一第一延伸方向自该侧延伸；以及

形成一垂直凸块结构于该半导体元件的一上表面上，该垂直凸块结构沿着一第二延伸方向自该上表面延伸，

该第一延伸方向与该第二延伸方向垂直，

在该侧与该横向凸块结构之间形成一接垫，该横向凸块结构位于该接垫上。

11.如权利要求10所述的制造方法，包括：

形成一遮罩于该半导体元件的一上表面上，其中该遮罩具有一开孔，暴露该边缘区的一部分；以及

进行一蚀刻制程，以移除该开孔暴露的该边缘区的一部分，形成该凹部。

12.如权利要求11所述的制造方法，另包括：

形成一凸块材料于该凹部中；

移除该遮罩；以及

进行一热制程，以形成该横向凸块结构。