[发明专利]一种半导体器件的制造方法

说明书

本发明涉及一种半导体器件的制造方法。所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆表面上形成有接合环和覆盖所述接合环的停止层；蚀刻部分厚度的所述停止层，以在所述接合环的内外两侧形成凹槽和通过所述凹槽与所述接合环间隔的停止环，其中，所述凹槽露出所述接合环的部分侧壁；执行清洗步骤，以去除所述蚀刻过程中在所述接合环的侧壁上形成的残留物。在所述方法中在所述接合环两侧形成所述停止环的过程中仅部分地蚀刻所述停止层，而不完全去除所述第一晶圆表面的所述停止层，使所述停止层继续覆盖所述第一晶圆的表面，从而对所述第一晶圆形成保护，避免在清洗步骤中对所述第一晶圆造成损失。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，在传感器(motion sensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。

其中，微电子机械系统(MEMS)在体积、功耗、重量以及价格方面具有十分明显的优势，至今已经开发出多种不同的传感器，例如压力传感器、加速度传感器、惯性传感器以及其他的传感器。

在MEMS领域中，MEMS传感器中的空腔结构采用键合方式(Bonding)形成，一种广泛采用的键合方法为金属-金属键合，或金属-半导体键合(Eutectic bonding)。

在MEMS器件形成的过程中，目前所述键合工艺大都存在键合质量差，使得制备得到的MEMS器件的性能和良率较低。

因此，为解决目前工艺中的上述技术问题，有必要提出一种新的半导体器件的制造方法。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

提供第一晶圆，在所述第一晶圆表面上形成有接合环和覆盖所述接合环的停止层；

蚀刻部分厚度的所述停止层，以在所述接合环的内外两侧形成凹槽和通过所述凹槽与所述接合环间隔的停止环，其中，所述凹槽露出所述接合环的部分侧壁；

执行清洗步骤，以去除所述蚀刻过程中在所述接合环的侧壁上形成的残留物。

可选地，在所述清洗步骤之后，所述方法还包括：

提供掩膜，以覆盖所述接合环；

蚀刻去除所述停止环之外的所述停止层，以露出所述第一晶圆的表面；

去除所述掩膜。

可选地，所述停止层的厚度为8千埃-10千埃。

可选地，所述凹槽底部的所述停止层的厚度为3千埃至4千埃。

可选地，选用羟胺系列清洗液执行所述清洗步骤。

可选地，形成所述停止环的方法包括：

在所述接合环内外两侧的所述停止层上形成两个与所述接合环间隔嵌套设置的环状的掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述停止层，以形成所述停止环；

去除所述掩膜层。

可选地，所述第一晶圆的下方还设置有CMOS晶圆；所述CMOS晶圆和所述第一晶圆之间还形成有空腔，在所述空腔底部的所述CMOS晶圆上还形成有功能材料层和贯穿所述第一晶圆的互连结构。