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[实用新型]一种便于布置的十字交叉轨道装置-CN202320301486.7有效
发明人：卜海;许继辉;李云飞 -专利权人：濮阳天顺风电设备有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B65G35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种便于布置的十字交叉轨道装置，其包括第一轨道；第二轨道包括分别设置在该第一轨道两侧的两个轨道构件；以及轨道连接装置，包括位于第一轨道顶面且的两个轨道构件之间的主体结构，该主体结构的底面与第一轨道的顶面接触进而使得该主体结构得到支撑，该主体结构的两端还分别具有用于插入的两个轨道构件相对侧且由顶面向下延伸的连接槽的连接臂。本实用新型的轨道连接装置填充在两个轨道构件之间的间隙后，输送小车可以沿着两个轨道构件横跨第一轨道，当将轨道连接装置从该间隙内取出后，两个轨道构件即可分离，进而可以将两个轨道构件的转移至第一轨道其余的部位进行使用，从而提高了两个轨道构件的利用率。
一种便于布置十字交叉轨道装置

[发明专利]MEMS器件及其制造方法、电子装置-CN202310379478.9在审
发明人： 许继辉 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：一种MEMS器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供第一衬底和第二衬底，第一衬底包括第一区域和位于第一区域外侧的第二区域，第二衬底包括第三区域和位于第三区域外侧的第四区域；刻蚀第一衬底以在第一区域形成多个间隔设置的第一梳齿；在第二衬底的第三区域形成多个间隔设置的第二梳齿；执行键合工艺，以使第一衬底形成有第一梳齿的一面和第二衬底形成有第二梳齿的一面相接合构成器件基底，并且多个第一梳齿与多个第二梳齿彼此交错设置。本申请的方法有效减少了硅草的产生，提高了MEMS器件的可靠性、性能和使用寿命。
mems 器件及其制造方法电子装置

[发明专利]共晶键合方法和半导体器件-CN201911424050.1有效
发明人： 许继辉 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种共晶键合方法和半导体器件，先形成挡墙结构，后形成第一键合结构，能避免先形成第一键合结构后形成挡墙结构时在第一键合结构侧壁上产生的挡墙材料残留，由此可以使得第一键合结构和第二键合结构能够充分进行共晶键合反应，从而提高键合后的器件可靠性。
共晶键合方法半导体器件

[发明专利]晶圆键合方法以及微执行器的制作方法-CN202010096666.7有效
发明人：蔡双;许继辉;刘国安 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆键合方法以及一种微执行器的制作方法。所述晶圆键合方法在第一晶圆上形成焊盘金属层以及保护层后，利用光罩上的主掩膜图形定义位于主图形区域内的第一保护区，利用光罩上的辅助掩膜图形定义覆盖辅助图形区域的第二保护区，然后在第一保护区的保护下进行刻蚀形成金属焊盘，刻蚀过程中，由于第二保护区覆盖了辅助图形区域，使辅助图形不受刻蚀的影响，同时由于焊盘金属层位于第二保护区外，可以将金属焊盘以外的焊盘金属层去除干净，之后再将第一晶圆和第二晶圆键合时，由于焊盘金属材料没有残留，可以优化第一晶圆和第二晶圆的键合表面的平整度，提高晶圆键合良率。所述微执行器的制作方法利用了上述晶圆键合方法。
晶圆键合方法以及执行制作方法

[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法和电子装置-CN202211723419.0在审
发明人： 许继辉 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS器件及其制备方法和电子装置。制备方法包括提供MEMS晶圆；在MEMS晶圆上形成牺牲层；在牺牲层上形成疏齿结构以及围绕疏齿结构的支撑区域，支撑区域上形成有锗键合环；生长防粘涂层；通过湿法腐蚀锗键合环表面的一层锗来去掉锗键合环上的防粘涂层。解决了MEMS器件疏齿粘连问题的同时解决了防粘涂层影响键合的难题。
一种 mems 器件及其制备方法电子装置

[发明专利]MEMS驱动器件及其形成方法-CN202010335036.0在审
发明人：张兆林;许继辉;刘国安;辛淼 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种MEMS驱动器件及其形成方法。通过键合具有第二绝缘层和第二导电材料层的第二衬底，从而可精确去除第二衬底，避免对第二导电材料层造成损耗，使得保留的第二导电材料层的厚度可以被精确控制；并且，在去除第二衬底时，是优先利用研磨工艺再结合刻蚀工艺，从而可避免研磨工艺中的机械应力作用在第二导电材料层上，有效改善了在第二导电材料层中容易出现隐裂的问题。
mems 驱动器件及其形成方法

[发明专利]MEMS器件及其形成方法-CN202010239106.2在审
发明人：辛淼;许继辉;刘国安;张兆林 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种MEMS器件及其形成方法。通过在第一固定梳齿结构和第二固定梳齿结构之间设置支撑部，从而在键合第二衬底时，不仅可以提高第二衬底的键合表面，并且还可以利用支撑部使得第二衬底能够承受更大的压力，有利于缓解后续工艺中第二衬底容易发生隐裂甚至断裂的问题。以及，在后续工艺中从第一衬底的背面去除支撑部，以在第一固定梳齿结构和第二固定梳齿结构之间形成空腔，进而保障所形成的MEMS器件的性能。
mems 器件及其形成方法

[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置-CN201610172705.0有效
发明人： 许继辉;谢红梅 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括：提供底部晶圆，在所述底部晶圆上形成有接合环；在所述接合环的两侧形成阻挡侧墙，所述阻挡侧墙与所述接合环之间具有间隔，并且所述阻挡侧墙的高度小于所述接合环的高度；提供覆盖晶圆，并与所述底部晶圆接合为一体；其中，所述覆盖晶圆上形成有与所述接合环相对应的接合材料层，将所述接合材料层与所述接合环相接合并停止于所述阻挡侧墙，以使所述接合材料层的边缘与所述阻挡侧墙至少部分的接触重叠。本发明中在底部晶圆与覆盖晶圆接合的过程中所述阻挡侧墙不仅能够阻挡接合材料(例如合金)挤出，并能挡住覆盖晶圆中接合材料层的下压距离。
一种 mems 器件及其制备方法电子装置

[发明专利]电子器件及其制备方法-CN202110531868.4有效
发明人：吕林静;许继辉 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子器件及其制备方法。在刻蚀形成腔体之后可去除第一光阻层，从而可允许对第一基板进行清洗，避免刻蚀后所产生的聚合物残留对密封腔体的真空度造成影响，并且在制备第二光阻层时可以更为灵活的调整第二光阻层的形貌特性，以进一步降低剥离工艺中对第二光阻层的剥离难度，并有利于提高最终所形成的吸气层的品质。
电子器件及其制备方法

[发明专利]一种惯性传感器及其形成方法-CN202011413591.7有效
发明人：张兆林;许继辉 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G01C19/5733 文献下载
摘要：本发明提供了一种惯性传感器及其形成方法。通过在第二导电材料层中形成凹槽，以使所形成的可动梳齿结构能够间隔于第二导电材料层，并在凹槽的底部还设置有薄膜层，该薄膜层不仅可用于实现刻蚀阻挡，并且在执行刻蚀工艺以形成可动梳齿结构时还可用于固定可动梳齿结构的各个梳齿，避免由于梳齿发生扭转而导致梳齿的侧壁受到损伤。此外，本发明提供的形成方法中，可以使薄膜层的厚度较小，相应的可以在较小的刻蚀量下即能够实现薄膜层的去除，此时并不会对其他膜层造成大量侵蚀，有利于保障器件中的各个组件的稳定性。
一种惯性传感器及其形成方法

[发明专利]一种用于功率调整的方法及装置-CN201810404201.6有效
发明人：袁舒瑞;邱劲松;汪青华;许继辉;周小雷 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H04B10/564 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于功率调整的方法及装置，该方法包括：第一装置确定第二链路的第二链路耗损；第一装置通过第一链路以初始发射功率向第二装置发送第一光信号，该第一光信号用于第二装置根据第一光信号的接收功率和初始发射功率确定第一链路的第一链路耗损；第一装置通过第二链路接收第二装置发送的第二光信号，该第二光信号的发射功率是第二装置根据初始发射功率和第一链路的第一链路耗损确定的；第一装置根据第二光信号的接收功率、第二链路耗损和初始发射功率确定第一链路耗损；第一装置根据第一链路耗损调整第一链路的发射功率。通过实施本申请，第一装置可根据链路耗损自动调整光信号的发射功率。
一种用于功率调整方法装置

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201710071142.0有效
发明人： 许继辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法。所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆表面上形成有接合环和覆盖所述接合环的停止层；蚀刻部分厚度的所述停止层，以在所述接合环的内外两侧形成凹槽和通过所述凹槽与所述接合环间隔的停止环，其中，所述凹槽露出所述接合环的部分侧壁；执行清洗步骤，以去除所述蚀刻过程中在所述接合环的侧壁上形成的残留物。在所述方法中在所述接合环两侧形成所述停止环的过程中仅部分地蚀刻所述停止层，而不完全去除所述第一晶圆表面的所述停止层，使所述停止层继续覆盖所述第一晶圆的表面，从而对所述第一晶圆形成保护，避免在清洗步骤中对所述第一晶圆造成损失。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201510005533.3有效
发明人： 许继辉;郑超;王伟;李卫刚;刘炼 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，在单晶硅上沉积铝之前，先形成一保护层，该保护层遮盖了单晶硅表面的大部分区域，仅露出需形成铝电极区域的单晶硅，由于本发明不是直接在单晶硅上沉积铝，因而避免了铝嵌入单晶硅内形成铝钉，进而避免了该铝钉造成后续结构制作所涉及的光刻过程中的散射、衍射现象以及光刻胶掩膜位置及尺寸不精准问题。
半导体器件形成方法

[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置-CN201410554589.X有效
发明人：郑超;王伟;刘炼;李卫刚;许继辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有光刻胶层；步骤S2：选用修正的光罩对所述光刻胶层进行曝光显影，以在所述光刻胶层中形成图案，其中所述修正的光罩能够补偿曝光显影后所述光刻胶层发生倾斜而引起的图案变形；步骤S3：以所述光刻胶层为掩膜深度蚀刻所述MEMS晶圆，以将所述图案转移至所述MEMS晶圆中。本发明的优点在于：1,不用增加额外的掩膜或工艺(Mask/Process)，成本低廉。2,通过目前图层(Layer)图形的改变，来改善MEMS图形的定义。3,改进了MEMS产品的性能，提高了良率(Yield)。
一种 mems 器件及其制备方法电子装置

[发明专利]接触通孔蚀刻方法-CN201410329093.2有效
发明人：伏广才;许继辉;苏良得;倪梁;汪新学 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触通孔蚀刻方法，适用于至少由第一材料层和第二材料层堆叠形成的复合层结构，其中该第一材料层和第二材料层的材料不同，该接触通孔蚀刻方法包括：a.使用博世蚀刻工艺蚀刻第一材料层，以在该第一材料层内形成接触通孔，其中该博世蚀刻工艺进一步包括：a1.在接触通孔的侧壁和底部形成聚合物；a2.去除该接触通孔的底部处的聚合物；a3.在接触通孔中蚀刻预定深度；a4.重复执行上述步骤a1‑a3，直至该接触通孔在该第一材料层内达到一指定深度；以及b.使用不同于上述博世蚀刻工艺的另一蚀刻工艺来蚀刻已达到该指定深度的接触通孔，使得该接触通孔达到该第一材料层下面的第二材料层。本发明可以使蚀刻得到的接触通孔具有更好的形貌。
接触通孔蚀刻第一材料蚀刻工艺第二材料层聚合物形貌复合层结构重复执行侧壁堆叠去除

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