[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710064337.2 | 申请日： | 2017-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN108400116B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介电层，在所述层间介电层中形成有栅极沟槽；
在所述栅极沟槽的底部和侧壁上以及所述层间介电层的表面上依次形成高k介电层和保护层；
去除所述保护层位于所述层间介电层表面上方的部分；
去除所述高k介电层位于所述层间介电层表面上方的部分；
进行第一退火处理；
去除所述保护层。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述高k介电层之后，形成所述保护层之前，还包括在所述高k介电层的表面上形成覆盖层的步骤。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除所述保护层位于所述层间介电层表面上方的部分的步骤包括以下步骤：
形成牺牲材料层填充所述栅极沟槽，并覆盖位于所述层间介电层表面上方的所述保护层；
平坦化所述牺牲材料层直到露出所述保护层；
去除所述保护层位于所述层间介电层表面上方的部分。
4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在去除位于所述层间介电层表面上方的所述高k介电层的步骤之后，所述第一退火处理的步骤之前，还包括去除所述牺牲材料层的步骤。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一退火处理的温度范围为900℃～1100℃。
6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料包括无定形硅。
7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度范围为40埃～120埃。
8.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲材料层的材料包括有机分布层、底部抗反射涂层和光阻中的至少一种。
9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述高k介电层之前，在所述栅极沟槽的侧壁上形成间隙壁。
10.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，使用包括四甲基氢氧化铵或氢氧化铵的刻蚀剂湿法刻蚀去除所述牺牲材料层。
11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，去除所述牺牲材料层时，所述刻蚀剂的温度范围为25℃～75℃。
12.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述高k介电层之后，形成所述保护层之前，还包括：对所述高k介电层进行第二退火的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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