[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本揭露实施例提供一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括半导体衬底；以及互连件结构，其在所述半导体衬底上方。所述半导体结构也包括接垫，所述接垫在所述半导体衬底中且耦合到所述互连件结构。所述接垫包括两个导电层。

技术领域

本揭露实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。

背景技术

涉及半导体装置的电子仪器对于许多现代应用来说是必要的。于材料和设计的技术进步已产生其中各代具有比上一代更小且更复杂的电路的数代半导体装置。在进步和创新的过程中，已普遍增加功能密度(即，每芯片面积被互连装置的数目)，同时已减少几何大小(即，使用成形加工工艺可创建的最小组件)。此些进步已增加加工以及制造半导体装置的复杂性。

发明内容

本揭露实施例提供一种半导体结构。所述半导体结构包括半导体衬底；以及互连件结构，在所述半导体衬底上方。所述半导体结构也包括接垫，在所述半导体衬底中且耦合到所述金属层。所述接垫包括两个导电层。

本揭露实施例提供一种半导体结构，其包括第一半导体装置以及第二半导体装置。所述第一半导体装置包括第一半导体衬底；第一互连件结构，其在所述第一半导体衬底上方；端子，其在所述第一半导体衬底中，其中所述端子是用以将所述第一互连件结构与在所述第一半导体衬底上方的连接件电耦合；以及电介质，其环绕所述端子。所述第二半导体装置包括第二半导体衬底。所述第二半导体装置也包括第二互连件结构，在所述第二半导体衬底上方且用以与所述第一互连件结构接合。所述端子包括第一层，其连接到所述第二互连件结构；以及第二层，其在所述电介质上延伸。

本揭露实施例提供一种制造半导体结构的方法。所述方法包括：提供第一半导体衬底；在所述第一半导体衬底上方形成第一互连件结构；提供第二半导体衬底；在所述第一半导体衬底上方形成第二互连件结构；接合所述第一互连件结构与所述第二互连件结构；在所述第一半导体衬底中形成第一通路，所述通路暴露在所述第一互连件结构中的金属层的顶部表面的部分；在所述第一通路中沉积电介质；在所述电介质中形成第二通路；在所述第二通路中沉积第一导电层；以及在所述第一导电层上方沉积第二导电层。

附图说明

本揭露实施例的方面将在与随附图式一同阅读下列详细说明下被最佳理解。请注意，根据业界标准作法，各种特征未依比例绘制。事实上，为了使讨论内容清楚，各种特征的尺寸可刻意放大或缩小。

图1A为根据本揭露的一些实施例的半导体结构的示意图。

图1B为根据本揭露的一些实施例的半导体结构的示意图。

图1C为根据本揭露的一些实施例的半导体结构的示意图。

图2A到2Q为根据本揭露的一些实施例制造半导体结构的示意图。

具体实施方式

下列揭露提供许多用于实施所提供目标的不同特征的不同实施例、或实例。为了简化本揭露实施例，于下描述组件及配置的具体实例。当然这些仅为实例而非意图为限制性。例如，在下面说明中，形成第一特征在第二特征上方或上可包含其中第一及第二特征是经形成为直接接触的实施例，以及也可包含其中额外特征可形成在第一与第二特征之间而使得第一及第二特征不可直接接触的实施例。此外，本揭露实施例可重复参考编号及/或字母于各种实例中。此重复是为了简单与清楚的目的且其本身并不决定所讨论的各种实施例及/或构形之间的关系。

再者，空间相关词汇，例如“在…之下”、“下面”、“下”、“上面”、“上”和类似词汇，可为了使说明书便于描述如图式绘示的一个组件或特征与另一个(或多个)组件或特征的相对关系而使用于本文中。除了图式中所画的方位外，这些空间相对词汇也意图用来覆盖装置在使用中或操作时的不同方位。所述设备可以其他方式定向(旋转90度或于其它方位)，据此在本文中所使用的这些空间相关说明符可以类似方式加以解释。