[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

半导体衬底，其包含第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面；

第一电介质层，其位于所述半导体衬底的所述第二表面上方；

互连件结构，其从所述半导体衬底的所述第一表面延伸；

第二电介质层，其在所述半导体衬底内部并从所述半导体衬底的所述第一表面延伸到所述第二表面，其中所述第二电介质层包含与所述半导体衬底的所述第二表面相邻的第一顶部表面，其中所述第一顶部表面为一内凹表面；以及

接垫，其耦合到所述互连件结构，所述接垫包括通路，所述通路延伸穿过所述半导体衬底到所述互连件结构并具有由所述第二电介质层限定的侧壁，其中第一导电层填充所述通路的底部部分到所述第一导电层的第二顶部表面，所述第二顶部表面在所述通路内，且第二导电层设置在所述第一导电层的所述第二顶部表面上并延伸至所述第二导电层的第三顶部表面，其中所述第二导电层在所述第二电介质层上方延伸，所述第二电介质层的所述第一顶部表面连接所述第二导电层的边缘，所述第三顶部表面具有弯曲形状，其中所述第三顶部表面的顶部与所述第一电介质层齐平；

凸块下金属层，其直接位于所述第二导电层的所述第三顶部表面上且在所述边缘上方延伸而直接连接所述第二电介质层的所述第一顶部表面；以及

凸块，其位于所述凸块下金属层上方。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一导电层的材料具有杨氏模数是从180千兆帕斯卡到220千兆帕斯卡。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述第二导电层具有从50千兆帕斯卡到120千兆帕斯卡的杨氏模数。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二导电层是金层且所述第一导电层是镍层，所述金层经配置以连接到所述凸块。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中所述镍层包括高度是从20,000埃到25,000埃。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中在所述第一导电层及所述第二导电层之间的杨氏模数比值是从1.5到3.5。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述边缘连接所述第三顶部表面的所述顶部与所述第二电介质层的所述第一顶部表面。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述通路的所述底部部分接触所述互连件结构的表面。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述接垫包括渐缩形状。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述凸块下金属层在所述第一电介质层上方延伸且连接所述第一电介质层。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述半导体衬底进一步包括第三电介质层侧向环绕所述第二电介质层。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述凸块下金属层连接所述第三电介质层。