[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201611187661.5 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108206160B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 江涛;李付军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构以及覆盖所述栅极结构和所述半导体衬底的偏移侧墙材料层；
对所述偏移侧墙材料层进行蚀刻，以在所述栅极结构的侧壁上形成偏移侧墙并露出所述半导体衬底；
对所述偏移侧墙和露出的所述半导体衬底进行灰化，以在所述半导体衬底表面形成偏移氧化物层；
执行清洗步骤；
执行氧化步骤，在所述偏移氧化物层上再次形成偏移氧化物层，以增加所述半导体衬底表面的偏移氧化物层的厚度。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氧化步骤使用炉内氧化工艺。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氧化步骤的温度为650-750℃。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氧化步骤的时间为1.5-2.5分钟。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述氧化步骤中所述偏移氧化物层增加的厚度在5埃以上。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述氧化步骤之后所述偏移氧化物层的总厚度在25埃以上。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法还进一步包括在所述氧化步骤之后对所述偏移氧化物层的厚度进行测量的步骤。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述栅极结构包括依次形成的界面层、高K介电层和虚拟栅极，所述方法还进一步包括去除所述虚拟栅极，然后形成金属栅极的步骤。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，在所述NMOS区域中形成有NMOS栅极，在所述PMOS区域中形成有PMOS栅极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
