[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

本发明提供在半导体器件的芯片两面上形成的电极与布线之间构筑热可靠性高的接合的接合方法。本发明的半导体封装件的制造方法包括以下步骤：以夹持接合膜的方式将半导体芯片接合于第一基板；在上述半导体芯片上形成第一绝缘膜；在上述第一绝缘膜中形成第一通孔；以通过上述第一通孔与上述半导体芯片电连接的方式在上述第一绝缘膜上形成第一布线；在上述接合膜中形成第二通孔；以及以通过上述第二通孔与上述半导体芯片电连接的方式在上述半导体芯片之下形成第二布线。

技术领域

本发明涉及半导体封装件，例如安装有功率半导体器件的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

功率半导体器件是以电力的转换和控制为基本功能的半导体器件。上述功率半导体器件不仅在针对家电或OA(办公自动化)设备所用的逆变器或小型电机中的应用上起到重要的作用，而且还在司掌发电厂的电力系统、在电车或汽车等的电机驱动系统等中的电力转换或控制方面起到重要的作用。作为功率半导体器件的代表性器件，可以举出例如具有pn结二极管结构或肖特基势垒二极管结构的整流二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等的功率晶体管及晶闸管等。如在日本特表2012-164817号公报、日本特开平9-74193号公报及日本特开2001-352009号公报中所公开的，通常的功率半导体器件被作为在上面和下面具有一个或更多的电极(端子)的半导体芯片(以下也称为芯片)而供给，并且在芯片的上表面和下表面两者上构筑布线，通过布线与外部电源或其他器件电连接。

发明内容

在本发明的一个实施方式中，半导体封装件包括：半导体芯片；第一绝缘膜，用于将半导体芯片埋入，且具有第一通孔(via)；第一布线，位于半导体芯片上，且通过第一通孔与半导体芯片电连接；接合膜，位于半导体芯片之下，且具有第二通孔；以及第二布线，位于接合膜下，且通过第二通孔与半导体芯片电连接，其中，第一绝缘膜所包括的材料与接合膜所包括的材料互不相同。

半导体芯片可以在半导体芯片之下和之上分别具有第一端子和第二端子，半导体芯片可以分别通过第一端子和第二端子与第二布线和第一布线电连接。

半导体封装件可以在第一绝缘膜内具有第三通孔，也可以具有位于第一绝缘膜之下、且通过第三通孔与第一布线电连接的第三布线。第一布线与第三布线可以在第三通孔中相连接。第二布线和第三布线可以存在于同一层内。

第一通孔、第二通孔和第三通孔的大小可以互不相同。接合膜还可以具有多个通孔。

接合膜可以包括绝缘材料。

半导体封装件还可以在第一布线上具有基板。

在本发明的一个实施方式中，半导体封装件的制造方法包括以下步骤：以夹持接合膜的方式将半导体芯片接合于第一基板；在半导体芯片上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜中形成第一通孔；以通过第一通孔与半导体芯片电连接的方式在第一绝缘膜之上形成第一布线；在接合膜中形成第二通孔；以及以通过第二通孔与半导体芯片电连接的方式在半导体芯片之下形成第二布线。

在半导体封装件的制造方法中，半导体芯片可以在上述半导体芯片之下和之上分别具有第一端子和第二端子，可以以分别通过第二端子和第一端子与半导体芯片电连接的方式形成第一布线和第二布线。

在半导体封装件的制造方法中，可以与在第一绝缘膜中与第一通孔同时地形成第三通孔，可以以掩埋第三通孔的方式形成第一配线。可以与第一布线电连接的方式，在第三通孔之下与第二布线同时地形成第三布线。

在半导体封装件的制造方法中，第一通孔、第二通孔和第三通孔的大小可以互不相同。可以以贯通上述第一基板的方式形成第二通孔。可以以在接合膜上具有多个通孔的方式形成第二通孔。

在半导体封装件的制造方法中，接合膜可以包括绝缘材料。第一绝缘膜所包括的材料可以与接合膜所包括的材料不同。