[发明专利]引线框架及半导体封装体

权利要求书

1.一种引线框架，其特征在于，该引线框架包括：

支撑盘，其经配置为承载电路核心；

第一引脚阵列，其位于所述支撑盘的一侧，且经配置为连接至承载于所述支撑盘的电路核心，所述第一引脚阵列具有位于一端的第一引脚；

凹型汇流条，其位于所述支撑盘的与所述第一引脚阵列相同的一侧，且靠近所述第一引脚，且经配置为连接至承载于所述支撑盘的电路核心；

第二引脚阵列，其延伸入所述凹型汇流条的内凹中，且经配置为连接至承载于所述支撑盘的电路核心；

其中，所述凹型汇流条远离所述第一引脚与承载于所述支撑盘的电路核心之间的电连接线路的中部区域。

2.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述第一引脚和承载于所述支撑盘的电路核心的相应焊盘之间的中点与所述凹型汇流条的最近距离超过所述第一引脚和承载于所述支撑盘的电路核心的相应焊盘之间距离的8％。

3.如权利要求2所述的引线框架，其特征在于，所述凹型汇流条向着远离所述第一引脚的方向偏离并远离所述第一引脚和承载于所述支撑盘的电路核心的相应焊盘之间的中点以形成一防短路结构。

4.如权利要求3所述的引线框架，其特征在于，所述防短路结构为所述凹型汇流条靠近所述第一引脚的拐角处形成的斜切结构，该斜切结构从所述凹形汇流条邻近第一引脚端偏转一在15～60度之间的角度。

5.如权利要求4所述的引线框架，其特征在于，所述角度在30～45度之间。

6.如权利要求3所述的引线框架，其特征在于，所述防短路结构为所述凹型汇流条靠近所述第一引脚的拐角处形成的平滑弧形结构。

7.如权利要求3所述的引线框架，其特征在于，所述防短路结构为所述凹型汇流条靠近所述第一引脚的拐角处形成的阶梯结构。

8.如权利要求2所述的引线框架，其特征在于，所述凹型汇流条与承载于所述支撑盘的电路核心之间的距离大于或等于所述第一引脚阵列与承载于所述支撑盘的电路核心之间的距离。

9.一种半导体封装体，其特征在于，该半导体封装体包括：

支撑盘；

电路核心，其承载于所述支撑盘之上；

第一引脚阵列，其位于所述支撑盘的一侧，且经由连接线连接至所述电路核心，所述第一引脚阵列具有位于一端的第一引脚；

凹型汇流条，其位于所述支撑盘的与所述第一引脚阵列相同的一侧，且靠近所述第一引脚，且经配置为经由连接线连接至所述电路核心；

第二引脚阵列，其延伸入所述凹型汇流条的内凹中，且经由连接线连接至所述电路核心；以及

封装胶体，其包覆所述支撑盘、电路核心、凹型汇流条、第一引脚阵列、第二引脚阵列以及连接线；

其中，所述凹型汇流条远离所述第一引脚与所述电路核心之间的电连接线的中部区域。

10.如权利要求9所述的半导体封装体，其特征在于，所述第一引脚和所述电路核心的相应焊盘之间的中点与所述凹型汇流条的最近距离超过所述第一引脚和所述电路核心的相应焊盘之间距离的8％。

11.如权利要求10所述的半导体封装体，其特征在于，所述凹型汇流条向着远离所述第一引脚的方向偏离并远离所述第一引脚和所述电路核心的相应焊盘之间的中点以形成一防短路结构。

12.如权利要求11所述的半导体封装体，其特征在于，所述防短路结构为所述凹型汇流条靠近所述第一引脚的拐角处形成的斜切结构，该斜切结构从所述凹形汇流条邻近第一引脚端偏转一在15～60度之间的角度。

13.如权利要求12所述的半导体封装体，其特征在于，所述角度在30～45度之间。

14.如权利要求11所述的半导体封装体，其特征在于，所述防短路结构为所述凹型汇流条靠近所述第一引脚的拐角处形成的平滑弧形结构。

15.如权利要求11所述的半导体封装体，其特征在于，所述防短路结构为所述凹型汇流条靠近所述第一引脚的拐角处形成的阶梯结构。

16.如权利要求10所述的半导体封装体，其特征在于，所述凹型汇流条与所述电路核心之间的距离大于或等于所述第一引脚阵列与所述电路核心之间的距离。